公开(公告)号：CN110904506A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201911227771.3

申请日：2019-12-04

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 徐家跃 ,  蒋颖穗 ,  申慧 ,  田甜

IPC: C30B29/28 ,  C30B1/10 ,  C30B9/12 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明公开了一种稀土置换钇铁石榴石晶体的制备方法，包括以下步骤：根据Y（3-x）RexFe5O12按照摩尔比分别称量Y2O3、Re2O3和Fe2O3，研磨压块后通过固相反应得到多晶料块；破碎研磨多晶料块，并加入助熔剂，得到混合物料；将混合物料装入坩埚内，置于晶体生长炉内，加热到设定温度并保温，得到高温溶液；再通过改变坩埚与加热线圈的相对位置，使坩埚逐渐向低温区移动，直至高温溶液全部结晶，停止移动，降温至室温，得到晶锭；采用机械剥离或溶液腐蚀法去除助熔剂，得到晶体。本发明通过助熔剂有效降低晶体生长温度，降低能耗，通过垂直移动提供了晶体生长的驱动力，促进了晶体的长大，得到大尺寸块状晶体。

公开(公告)号：CN109355065A

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201811502611.0

申请日：2018-12-10

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 储耀卿 ,  蒋颖穗 ,  袁军平 ,  黄礼武

IPC: C09K11/78

Abstract: 本发明提供了一种红光荧光粉，其特征在于，其制备方法包括：步骤1：按照(1-x):x:3:4的摩尔比称取Y2O3、Eu2O3、BaCO3、H3BO3混合后球磨均匀，得到粉体混合物，其中0＜X≤0.1；步骤2：将粉体混合物经马弗炉预烧，预烧温度300～600℃，将烧结物研磨到D50在10～16微米之间，得到预烧粉；步骤3：将预烧粉放入马弗炉中进行高温固相反应，高温固相反应温度900～1100℃，将煅烧物研磨到D50在10～16微米之间，得到红光荧光粉。通过高温固相反应所制备出的红光荧光粉粒度均匀、结晶性能好、发红光性能优；本方法操作简单，对设备要求低，适合工业化生产。

公开(公告)号：CN110820045B

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN201911268308.3

申请日：2019-12-11

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 徐家跃 ,  王昂 ,  申慧 ,  田甜 ,  蒋颖穗 ,  封鹏

IPC: C30B29/28 ,  C30B15/00 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明公开了一种稀土石榴石单晶的制备方法，包括以下步骤：根据晶体分子式Y（2.9‑x）RexBi0.1Fe5O12，其中x=0.2～0.4，准确称量原料、混合、烧结、研磨得到多晶料；向多晶料中加入PbO复合助熔剂，球磨、压块；清洗籽晶；晶体生长，将籽晶缓慢浸入接近过饱和的高温溶液，短暂生长，随后提离液面，完成初次生长；根据理论计算消耗量补充溶质，使其再次达到过饱和，重复上述步骤，进行晶体的二次生长；多次重复上述步骤得到目标晶体。本发明采用生长‑补充溶质‑再生长‑再补充溶质多次循环的方式进行晶体生长，实现晶体生长与质量的精准控制，得到表面光滑、无开裂的稀土石榴石单晶；通过多层增厚法制备的稀土石榴石单晶厚度可达100μm以上，满足磁光、微波器件应用。

公开(公告)号：CN113832535A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202111037281.4

申请日：2021-09-06

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 徐家跃 ,  王昂 ,  申慧 ,  蒋颖穗 ,  石祥宇 ,  马健 ,  方娅婷 ,  周鼎 ,  田甜

IPC: C30B9/12

Abstract: 本发明申请属于晶体制备技术领域，具体公开了一种助熔剂法晶体生长在线补充物料系统，包括控制模块、投料模块、输送模块、储料模块、传感器模块、坩埚、生长炉；控制模块与投料模块、储料模块均电信号连接；控制模块负责系统的运行参数控制。本发明主要用于晶体生长补充物料，解决了现有技术中助熔剂法晶体生长过程出现物料不足而无法得到大尺寸晶体的问题。

公开(公告)号：CN110820045A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911268308.3

申请日：2019-12-11

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 徐家跃 ,  王昂 ,  申慧 ,  田甜 ,  蒋颖穗 ,  封鹏

IPC: C30B29/28 ,  C30B15/00 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明公开了一种稀土石榴石单晶的制备方法，包括以下步骤：根据晶体分子式Y（2.9-x）RexBi0.1Fe5O12，其中x=0.2～0.4，准确称量原料、混合、烧结、研磨得到多晶料；向多晶料中加入PbO复合助熔剂，球磨、压块；清洗籽晶；晶体生长，将籽晶缓慢浸入接近过饱和的高温溶液，短暂生长，随后提离液面，完成初次生长；根据理论计算消耗量补充溶质，使其再次达到过饱和，重复上述步骤，进行晶体的二次生长；多次重复上述步骤得到目标晶体。本发明采用生长-补充溶质-再生长-再补充溶质多次循环的方式进行晶体生长，实现晶体生长与质量的精准控制，得到表面光滑、无开裂的稀土石榴石单晶；通过多层增厚法制备的稀土石榴石单晶厚度可达100μm以上，满足磁光、微波器件应用。

公开(公告)号：CN212247271U

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202020484140.1

申请日：2020-04-06

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 徐家跃 ,  王昂 ,  蒋颖穗 ,  申慧 ,  周鼎

IPC: C30B35/00

Abstract: 本实用新型申请属于晶体生长设备技术领域，具体公开了一种晶体生长辅助接种系统，包括炉体、传动装置、接种检测装置和控制装置；炉体内部放置有坩埚，传动装置包括电机、籽晶杆，籽晶杆与电机的输出轴同轴连接；接种检测装置包括探针、信号传输线和报警信号灯；探针连接在籽晶杆的下部，控制装置包括控制面板，探针与控制器电连接，控制面板通过信号传输线与电机电连接，报警信号灯与控制面板电连接。本方案主要用于熔体法或高温溶液法晶体生长的接种工艺，解决了现有技术中难以实现准确接种并对生长实验进行精确控制带来的技术问题。