-
公开(公告)号：CN113930844A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111196947.0
申请日：2021-10-14
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种籽晶诱导、自助熔剂生长CdTe晶体的方法。本发明的方法包括：按照化学计量比称取原料至石英坩埚中，抽真空后密封，放入摇摆炉中进行多晶料的合成；在PBN中装入所需取向的CdTe单晶作为籽晶，然后将自助熔剂Te和合成的CdTe多晶料按照一定比例混合均匀，装入PBN坩埚，置于石英管中，抽真空密封，在高温下生长CdTe晶体。本发明采用CdTe单晶作为籽晶和Te作为自助熔剂，对晶体炉温场、降温速率和生长速率进行控制，降低了生长温度，可以制备出所需取向、大尺寸、高质量的CdTe单晶，也可以用来生长掺杂CdTe单晶，解决了CdTe晶体的生长难题。
-
公开(公告)号：CN111196925A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN202010017945.X
申请日：2020-01-08
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/67
Abstract: 本发明涉及了一种Mn4+掺杂的红色荧光材料及其制备方法，该荧光材料的一般通式为(Mg1-yAy)2(Ti1-zBz)1-xO4:xMn4+(A＝Ca，Sr，Ba；B＝Zr，Si；0.01at％≤x≤1.0at％,0≤y≤5at％,0≤z≤10at％)，其制备方法是以MgO，CaCO3，SrCO3，BaCO3，TiO2，ZrO2，SiO2和MnO2为原料，按元素摩尔比称取原料，在玛瑙研钵中研磨均匀后进行高温固相反应，在保证纯相的条件下加入适量的助熔剂，最终得到Mn4+掺杂的红色荧光粉材料((Mg1-yAy)2(Ti1-zBz)1-xO4:xMn4+)，所得Mn4+掺杂的红色荧光材料具有优异的红色发光性能。本发明制备的红色荧光材料是以Mn4+作为激活剂，不含稀土元素，且原料及最终产物均不含氟等有害物质，且制备方法简单，生产成本低。该红色荧光粉在紫外、近紫外或蓝光LED等激发光源激发时，能发射波长范围在630～730nm的红色荧光，适合应用于暖白光LED器照明和显示领域。
-
公开(公告)号：CN110746968A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911052023.6
申请日：2019-10-31
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种在紫外光激发下发暖白光的荧光粉及其制备方法。所述荧光粉的表达通式为Tb3Al5(1-x)O12:xMn4+，激活离子为Mn4+，其中0.01at％≤x≤5at％。制备方法为：将原料在去离子水中溶解，搅拌混合均匀，搅拌混合5～30分钟；加入碱性溶液，得到前驱体固体样品；将前驱体固体样品过滤出，溶解于醇溶剂中，转移至反应釜中，在180～280℃条件下保温2～12小时；样品过滤，在50～100℃条件下烘干2～12小时，再研磨，得到在紫外光激发下发暖白光的荧光粉。本发明使用过程中不会释放任何有毒、有害物质，制备工艺简单、制备过程无任何污染，可直接在空气中制备合成。
-
公开(公告)号：CN106948006B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201710112231.5
申请日：2017-02-28
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明提供了一种高光输出硅酸铋闪烁晶体，在硅酸铋晶体中掺有Ta5+，Ta5+以Ta2O5的形式掺入，掺杂量为0.2～4mol%/mol。本发明还提供了上述高光输出硅酸铋闪烁晶体的制备方法，通过固相烧结法合成掺杂硅酸铋多晶粉料，将合成的掺杂硅酸铋多晶料压成致密圆柱状料块；将籽晶固定在坩埚底部的种井部位，然后将多晶料块装入坩埚并封好，置于晶体生长炉内并控制温度在1050‑1200℃，晶体生长速度为0.2‑0.6mm/h。由于Ta5+的掺入，使所得BSO晶体光输出大幅提高。本发明实现了高光输出以及高质量硅酸铋单晶的生长，同时工艺设备简单，可同时生长多根晶体，极大提高了硅酸铋闪烁晶体的生长效率及应用。
-
公开(公告)号：CN119980431A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510261230.1
申请日：2025-03-06
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种α‑Fe2O3晶体及其制备方法和应用，包括：将氧化铁原料和复合助熔剂按照摩尔比(6～30):(94～70)称量，混合研磨3～5h得混合物料；将混合物料在真空手套箱中装入坩埚并封口；再将坩埚置于具有垂直温度梯度的晶体生长炉中，以不同速率升至1200℃～1300℃，保温12～16h，随后降至1150～1100℃，再降至800～880℃，保温8～10h，最后冷却至室温，剥离坩埚得原始晶锭；最后对原始晶锭机械剥离加磨抛除去助熔剂，清洗得α‑Fe2O3晶体。本发明采用助熔剂梯度凝固法生长α‑Fe2O3晶体，能够有效降低晶体的熔点，减小晶体生长的难度，使析晶范围更大更快，而成品率高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114318535A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111637516.3
申请日：2021-12-29
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，公开了一种快速生长钇铁石榴石晶体的方法。特征是：(1)按照Y3Fe5O12分子式化学计量比分别称量Y2O3和Fe2O3研磨至均匀，烧结得到多晶料；(2)多晶料与助熔剂(比如PbO、Bi2O3)按照设计组成配料，并研磨混合均匀，装入铂金属坩埚内；(3)将坩埚置于事先设计好的具有通气系统的保温陶瓷管内，置于三温区的垂直凝固炉内，调整位置使其处于需要的高度；(4)升温、保温、化料，待原料完全熔化、达到温度平衡后，在坩埚底部迅速通入气体，诱导快速成核结晶，同时降温实现晶体生长。本方法工艺设备简单，操作方便，可调节多重参数，满足不同成分的晶体生长。
-
公开(公告)号：CN114197031A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111392638.0
申请日：2021-11-23
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种溴铅铜单晶的制备方法。本发明的制备方法包括溴铅铜多晶料的制备和溴铅铜单晶的生长；具体包括：首先按化学计量比称取原料，混合后装入石英坩埚中真空封装，然后把石英坩埚放入摇摆炉中分段加热，边加热边摇摆进行溴铅铜多晶料的烧结；最后将装有溴铅铜多晶料的石英坩埚放入晶体炉中进行晶体生长。本发明采用多晶料制备和晶体生长两步法，成功生长出溴铅铜单晶，得到的溴铅铜晶体尺寸为18x50mm3，本发明解决了溴铅铜单晶生长的瓶颈，克服了溴铅铜单晶生长方法无法实现的技术难题，拓宽了溴铅铜材料在光电探测领域的应用前景。
-
-
公开(公告)号：CN111519250B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010561558.2
申请日：2020-06-18
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种碘铋铜晶体的制备方法，包括碘铋铜多晶料的制备和碘铋铜晶体的生长；将原料按照化学计量比进行称量，然后装入石英坩埚内，并对石英坩埚进行抽真空密封，然后将石英坩埚置于摇摆炉内分段加热得到碘铋铜多晶料；之后将装有多晶料的石英坩埚置于晶体炉内进行晶体生长，最终得到碘铋铜晶体。本发明采用摇摆炉和晶体炉两步法成功生长出碘铋铜晶体，得到的碘铋铜晶体的尺寸为17×80mm，克服了现有碘铋铜晶体生长的技术瓶颈，解决了碘铋铜晶体无法成功生长的技术难题，为碘铋铜晶体的生长提供了新思路。
-
公开(公告)号：CN112094649A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011008793.3
申请日：2020-09-23
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料，该上转换发光材料的化学通式为Te1‑xLnxO2，其中，Ln为Nd、Sm、Ho中的任一种，0＜X≤0.10。本发明还公开了该材料的制备方法，包括：按照上述化学组成式的摩尔配比，以二氧化碲为基质材料，掺杂稀土氧化物，加无水乙醇将混合料研磨混匀，进行两次高温固相烧结，再经研磨、过筛即得稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料。本发明制备得到的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料具有化学稳定性好，结晶度高、均匀性好、发光性能稳定等特点，适用于工业化生产，可作为新一代LED的潜在应用材料，能有效改善LED的显色性及使用性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.022 seconds)
