公开(公告)号：CN113930842A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202111196561.X

申请日：2021-10-14

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 王鹏 ,  徐家跃 ,  张宏丽 ,  申慧

IPC: C30B29/22 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明公开了一种铈掺杂硼酸镥锂晶体的制备方法，涉及晶体生长领域。本发明的铈掺杂硼酸镥锂晶体的化学式为Li6CexLu1‑xB3O9，x的取值范围是0＜x≤0.1；其制备方法为：将高纯氧化物原料事先合成，在坩埚下降法生长炉内生长晶体，本发明的制备方法与提拉法相比，优点是：温度场稳定，组分不易挥发，成品率高，生长的晶体尺寸和外形可以控制，小的温度梯度使晶体不易开裂，有效解决了熔体成分挥发和晶体开裂的技术难题，实现大尺寸硼酸镥锂晶体的稳定生长。另外，本发明的制备方法设备简单，操作方便，能耗低，生长效率高、成本低，可实现工业化生产。

公开(公告)号：CN113930844A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202111196947.0

申请日：2021-10-14

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 张宏丽 ,  徐家跃 ,  王鹏 ,  申慧

IPC: C30B29/48 ,  C30B9/06

Abstract: 本发明公开了一种籽晶诱导、自助熔剂生长CdTe晶体的方法。本发明的方法包括：按照化学计量比称取原料至石英坩埚中，抽真空后密封，放入摇摆炉中进行多晶料的合成；在PBN中装入所需取向的CdTe单晶作为籽晶，然后将自助熔剂Te和合成的CdTe多晶料按照一定比例混合均匀，装入PBN坩埚，置于石英管中，抽真空密封，在高温下生长CdTe晶体。本发明采用CdTe单晶作为籽晶和Te作为自助熔剂，对晶体炉温场、降温速率和生长速率进行控制，降低了生长温度，可以制备出所需取向、大尺寸、高质量的CdTe单晶，也可以用来生长掺杂CdTe单晶，解决了CdTe晶体的生长难题。