一种红色荧光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108384542A

    公开(公告)日:2018-08-10

    申请号:CN201810107070.5

    申请日:2018-02-02

    Abstract: 本发明提供了一种红色荧光材料,其化学式为Ca2AlNbO6:Mn4+,发光中心为非稀土激活剂Mn4+。提供了上述红色荧光材料的制备方法,按元素摩尔比称取原料,进行高温固相反应,通过加入合适的助熔剂控制固相合成温度,通过引入适量的电荷补偿剂,在保证样品的纯相范围内,进一步改善该钙钛矿结构铌铝酸盐红色荧光材料发光性能,最终获得高效、稳定的红色荧光粉。本发明以钙钛矿结构铌铝酸盐为基质,以Mn4+为激活剂,不使用昂贵的稀土元素,且原料及最终产物均不含氟等有害物质,该荧光粉对紫外、蓝光波段的激发光有强的吸收,发射带宽适宜的红色光波,适合应用于紫外或蓝光LED芯片激发的暖白光LED器照明和显示领域。

    一种高光输出硅酸铋闪烁晶体及其制备方法

    公开(公告)号:CN106948006B

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201710112231.5

    申请日:2017-02-28

    Abstract: 本发明提供了一种高光输出硅酸铋闪烁晶体,在硅酸铋晶体中掺有Ta5+,Ta5+以Ta2O5的形式掺入,掺杂量为0.2~4mol%/mol。本发明还提供了上述高光输出硅酸铋闪烁晶体的制备方法,通过固相烧结法合成掺杂硅酸铋多晶粉料,将合成的掺杂硅酸铋多晶料压成致密圆柱状料块;将籽晶固定在坩埚底部的种井部位,然后将多晶料块装入坩埚并封好,置于晶体生长炉内并控制温度在1050‑1200℃,晶体生长速度为0.2‑0.6mm/h。由于Ta5+的掺入,使所得BSO晶体光输出大幅提高。本发明实现了高光输出以及高质量硅酸铋单晶的生长,同时工艺设备简单,可同时生长多根晶体,极大提高了硅酸铋闪烁晶体的生长效率及应用。

    一种掺铬铌酸铝钙可调谐激光晶体及其制备方法

    公开(公告)号:CN108425153B

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201810113276.9

    申请日:2018-02-05

    Abstract: 本发明提供了一种掺铬铌酸铝钙可调谐激光晶体,该晶体材料的化学式为:Cr3+:Ca2AlNbO6,该晶体属于单斜晶系,P21/c空间群结构,其晶胞参数为:β=89.970(2)°,Z=2。本发明还提供了上述可调谐激光晶体的制备方法,采用CaCO3、Al2O3、Nb2O5和Cr2O3作为初始原料,按照固相合成,二次烧结的方法制备Cr3+:Ca2AlNbO6原料,然后将Cr3+:Ca2AlNbO6原料采用提拉法生长出大尺寸、高光学质量的晶体。本发明的晶体可作为可调谐激光晶体,其可调谐范围在600~1000nm之间。

    一种溴硅酸铅晶体及其制备方法

    公开(公告)号:CN108330542A

    公开(公告)日:2018-07-27

    申请号:CN201810106289.3

    申请日:2018-02-02

    Abstract: 一种溴硅酸铅晶体,分子式为Pb4[SiO4]Br4,属于单斜晶系,空间群为P21/c,晶胞参数为β=92.295(2)°。还提供了上述溴硅酸铅晶体的制备方法,将氧化硅,溴化铅和氧化铅固相合成得到溴硅酸铅多晶料;将溴硅酸铅多晶料采用坩埚下降法在富溴化铅体系中生长,生长参数为:生长炉温设定500~590℃,固液界面温度梯度保持25~50℃/cm,生长速率0.2~0.6mm/h,降温速率10~30℃/h,得到溴硅酸铅晶体。本发明减少溴化铅挥发,极大提高了溴硅酸铅单晶的成品率。

    一种红色荧光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108384542B

    公开(公告)日:2019-10-29

    申请号:CN201810107070.5

    申请日:2018-02-02

    Abstract: 本发明提供了一种红色荧光材料,其化学式为Ca2AlNbO6:Mn4+,发光中心为非稀土激活剂Mn4+。提供了上述红色荧光材料的制备方法,按元素摩尔比称取原料,进行高温固相反应,通过加入合适的助熔剂控制固相合成温度,通过引入适量的电荷补偿剂,在保证样品的纯相范围内,进一步改善该钙钛矿结构铌铝酸盐红色荧光材料发光性能,最终获得高效、稳定的红色荧光粉。本发明以钙钛矿结构铌铝酸盐为基质,以Mn4+为激活剂,不使用昂贵的稀土元素,且原料及最终产物均不含氟等有害物质,该荧光粉对紫外、蓝光波段的激发光有强的吸收,发射带宽适宜的红色光波,适合应用于紫外或蓝光LED芯片激发的暖白光LED器照明和显示领域。

    一种掺铬铌酸铝钙可调谐激光晶体及其制备方法

    公开(公告)号:CN108425153A

    公开(公告)日:2018-08-21

    申请号:CN201810113276.9

    申请日:2018-02-05

    Abstract: 本发明提供了一种掺铬铌酸铝钙可调谐激光晶体,该晶体材料的化学式为:Cr3+:Ca2AlNbO6,该晶体属于单斜晶系,P21/c空间群结构,其晶胞参数为:β=89.970(2)°,Z=2。本发明还提供了上述可调谐激光晶体的制备方法,采用CaCO3、Al2O3、Nb2O5和Cr2O3作为初始原料,按照固相合成,二次烧结的方法制备Cr3+:Ca2AlNbO6原料,然后将Cr3+:Ca2AlNbO6原料采用提拉法生长出大尺寸、高光学质量的晶体。本发明的晶体可作为可调谐激光晶体,其可调谐范围在600~1000nm之间。

    一种高光输出硅酸铋闪烁晶体及其制备方法

    公开(公告)号:CN106948006A

    公开(公告)日:2017-07-14

    申请号:CN201710112231.5

    申请日:2017-02-28

    CPC classification number: C30B29/34 C30B11/02 C30B28/02

    Abstract: 本发明提供了一种高光输出硅酸铋闪烁晶体,在硅酸铋晶体中掺有Ta5+,Ta5+以Ta2O5的形式掺入,掺杂量为0.2~4mol%/mol。本发明还提供了上述高光输出硅酸铋闪烁晶体的制备方法,通过固相烧结法合成掺杂硅酸铋多晶粉料,将合成的掺杂硅酸铋多晶料压成致密圆柱状料块;将籽晶固定在坩埚底部的种井部位,然后将多晶料块装入坩埚并封好,置于晶体生长炉内并控制温度在1050‑1200℃,晶体生长速度为0.2‑0.6mm/h。由于Ta5+的掺入,使所得BSO晶体光输出大幅提高。本发明实现了高光输出以及高质量硅酸铋单晶的生长,同时工艺设备简单,可同时生长多根晶体,极大提高了硅酸铋闪烁晶体的生长效率及应用。

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