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公开(公告)号：CN110685006A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911052834.6
申请日：2019-10-31
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种中红外非线性光学晶体POC及其制备方法。所述晶体POC为一种熔融化合物，该晶体的熔点为526℃，属于正交晶系，其空间群为Fmm2(42)，晶胞参数为Z＝3。制备方法为：将PbCl2与PbO混合均匀后的粉末装入到坩埚中加热，自然冷却至室温后取出，进行充分研磨后，得到POC晶料；将POC晶料装入坩埚中置于炉内，将晶体炉升温；调整坩埚位置，让坩埚内的晶料完全充分熔融，下降引下管，进行晶体生长；然后退火处理即可。本发明减少了PbO和PbCl2的挥发，极大提高了POC单晶的成品率。
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公开(公告)号：CN112877069B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202110180776.6
申请日：2021-02-08
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/67
Abstract: 本发明公开了一种Cr3+镓铝酸盐近红外长余辉发光材料及其制备方法。所述近红外长余辉发光材料的化学通式为Zn3GaxAl2‑xGeaTibSn2‑a‑bO10:yCr3+。制备方法：根据方程式中各物质的摩尔比进行称取原料，加入助熔剂，在玛瑙研钵中研磨使其混合均匀得到前驱体；将前驱体装入氧化铝坩埚，在空气或中性气氛下进行预烧结；将预烧结得到的样品研磨混匀后，在空气或中性气氛中，煅烧，得到Cr3+镓铝酸盐近红外长余辉发光材料。本发明所述的近红外长余辉荧光粉具有原料成本低廉、操作简单可行，对设备要求低等优点。本发明所述的长余辉发光材料具有发射范围位于近红外区，且具有余辉时间长等优良性质。
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公开(公告)号：CN112920801B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110175845.4
申请日：2021-02-09
Applicant: 上海应用技术大学 , 上海敬开德精密陶瓷有限公司
IPC: C09K11/86
Abstract: 本发明公开了一种红光荧光粉材料及其制备方法。所述红光荧光粉材料具有磷灰石结构，其化学通式为Sr3‑yMyY7‑7xEu7x(BO4)(SiO4)m(GeO4)nF2。制备方法为：按照化学式称取原料，将原料在玛瑙研钵中充分研磨均匀，获得反应前驱体；将反应前驱体烧结，得到预烧产物；将预烧产物在玛瑙研钵中再次研磨，然后进行固相反应。本发明通过采用Mg，Ca，Ba替换部分或全部Sr，以及采用Ge替换部分或全部Si，从而影响发光中心Eu3+离子的晶体场，进而能够调节红色荧光粉的光色性能，并提高红色荧光粉的光色性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112094649A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011008793.3
申请日：2020-09-23
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料，该上转换发光材料的化学通式为Te1‑xLnxO2，其中，Ln为Nd、Sm、Ho中的任一种，0＜X≤0.10。本发明还公开了该材料的制备方法，包括：按照上述化学组成式的摩尔配比，以二氧化碲为基质材料，掺杂稀土氧化物，加无水乙醇将混合料研磨混匀，进行两次高温固相烧结，再经研磨、过筛即得稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料。本发明制备得到的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料具有化学稳定性好，结晶度高、均匀性好、发光性能稳定等特点，适用于工业化生产，可作为新一代LED的潜在应用材料，能有效改善LED的显色性及使用性能。
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公开(公告)号：CN112877069A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110180776.6
申请日：2021-02-08
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/67
Abstract: 本发明公开了一种Cr3+镓铝酸盐近红外长余辉发光材料及其制备方法。所述近红外长余辉发光材料的化学通式为Zn3GaxAl2‑xGeaTibSn2‑a‑bO10:yCr3+。制备方法：根据方程式中各物质的摩尔比进行称取原料，加入助熔剂，在玛瑙研钵中研磨使其混合均匀得到前驱体；将前驱体装入氧化铝坩埚，在空气或中性气氛下进行预烧结；将预烧结得到的样品研磨混匀后，在空气或中性气氛中，煅烧，得到Cr3+镓铝酸盐近红外长余辉发光材料。本发明所述的近红外长余辉荧光粉具有原料成本低廉、操作简单可行，对设备要求低等优点。本发明所述的长余辉发光材料具有发射范围位于近红外区，且具有余辉时间长等优良性质。
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公开(公告)号：CN112322292A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011389143.8
申请日：2020-12-02
Applicant: 上海应用技术大学 , 上海鼎晖科技股份有限公司
IPC: C09K11/79
Abstract: 本发明公开了一种Eu3+掺杂的荧光材料及其制备方法。所述Eu3+掺杂的荧光材料的化学通式为Ca3(Tb1‑xEux)7(BO4)(SiO4)5O，其发光中心为稀土离子Eu3+。制备方法：将原料进行混合、研磨均匀，得到反应前驱体；将研磨均匀的初始料装入氧化铝坩埚，在还原气氛中升温至进行预烧结，保温；将预烧结的样品取出，置于研钵中研磨混匀后，于还原气氛中煅烧，最后得到Eu3+掺杂的荧光材料。该荧光材料的原料及最终产物均不含氟等有害物质，且制备方法简单，生产成本低。该荧光材料在蓝光LED芯片激发时发出红光，具有很好的色饱和度和显色指数，适用于全光谱LED器件、植物照明和显示等领域。
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公开(公告)号：CN112080798A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202011030636.2
申请日：2020-09-27
Applicant: 上海应用技术大学 , 江苏科创车联网产业研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种近零热猝灭氟化物荧光单晶材料及其制备方法。所述单晶材料的化学式为KY3‑xCexF10，其中，0.01≤x≤0.03。制备方法为：KF、YF3、CeF3原料混合后放入Pt坩埚烧结，制得多晶粉料；将粉料采用坩埚下降法进行晶体生长，经接种、放肩、等径生长，生长出无裂纹、无明显生长条纹的透明晶体；将透明晶体退火，自然冷却至室温。本发明的发光材料与在300nm的紫外光激发下，发射中心波长为360nm的宽带蓝紫光，其发光效率较高，在25℃～300℃温度范围内荧光热猝灭率几乎为零，制备工艺简单，其作为紫外活性介质可适用于制备成大功率或高温下使用的蓝紫光LED器件。
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公开(公告)号：CN110747510A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911196409.4
申请日：2019-11-29
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种铬掺杂铌酸铝锶可调谐激光晶体及其制备方法，晶体材料的化学式为:Cr3+:Sr2AlNbO6。Cr3+:Sr2AlNbO6晶体属于立方晶系，具有 空间群结构。Cr3+:Sr2AlNbO6的熔点为1790℃，属于一致熔融化合物，因此都可以通过提拉法生长出大尺寸和光学均一性较高的晶体。Cr3+:Sr2AlNbO6晶体生长参数为：籽晶杆的旋转速率为10～55rpm，提拉速率为1～3.5mm/h，晶体生长结束后，然后以10℃/h～65℃/h的速率降温至室温，生长出Cr3+:Sr2AlNbO6晶体。其中Cr3+掺杂浓度都为0.1at.％-10.0at.％。Cr3+:Sr2AlNbO6晶体可调谐范围为730～850nm之间，可以作为可调谐激光晶体。
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