一种高熵合金颗粒细化增强铝基复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113088746B

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202110322922.4

    申请日:2021-03-26

    Abstract: 本发明公开了一种高熵合金颗粒细化增强铝基复合材料及其制备方法。本发明通过气体分散搅拌装置将机械合金化后制备的高熵合金颗粒加入到熔融的铝合金基体中搅拌分散,之后进行振动除气,最后采用铸造工艺制备成型高熵合金颗粒增强铝基复合材料的成型件。该工艺通过气体分散搅拌装置分散加入熔体内的高熵合金颗粒,增加高熵合金颗粒与铝合金的接触面积与润湿性,避免团聚,宏观与微观分散均匀,改善界面结合性,并在凝固时在整个基体中大幅增加形核质点,细化晶粒、改善组织、强化性能。

    一种介质冷却行星搅拌半固态浆料的制备方法和装置

    公开(公告)号:CN113198983B

    公开(公告)日:2023-06-16

    申请号:CN202110443755.9

    申请日:2021-04-23

    Abstract: 本发明公开了了一种介质冷却行星搅拌半固态浆料的制备方法和装置。将合金熔体在旋转搅拌轴自转以及周向旋转运动的行星旋转搅拌作用下,其温度场得到搅拌均匀,同时冷却介质流入旋转搅拌轴内的冷却通道内对搅拌轴进行冷却,熔体在行星旋转搅拌和冷却的作用下凝固形核制备半固态浆料。本发明既能够单次制备大体积半固态浆料,又可以持续不断的批量制备半固态浆料,并结合压铸、轧制、模锻等常规成形设备制备半固态成形件。

    一种β-三氧化二镓晶体生长的助熔剂及基于该类助熔剂的晶体生长方法

    公开(公告)号:CN114250514A

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN202111532634.8

    申请日:2021-12-15

    Abstract: 本发明公开了一种β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂及基于该类助熔剂的晶体生长方法。本发明以B2O3‑碱金属氧化物为主,辅以少量钼的氧化物如MoO3、钼酸盐如K2Mo2O7、Na2Mo2O7等,作为β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂体系,其摩尔比为0.8~1.5:0.8~2.5:0~0.3。本发明提出的助熔剂体系,不含高温助熔剂中常用的氧化铅、氟化铅等有毒、有害成份,晶体生长温度区间为950‑1080℃,有效的降低了晶体的生长温度,溶剂粘度小、组分挥发少,高温溶液清澈透明,便于实时控制晶体生长过程,所获得的晶体质量较好,无包裹现象,易于获得高质量的β‑Ga2O3晶体。

    一种高熵合金颗粒细化增强铝基复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113088746A

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN202110322922.4

    申请日:2021-03-26

    Abstract: 本发明公开了一种高熵合金颗粒细化增强铝基复合材料及其制备方法。本发明通过气体分散搅拌装置将机械合金化后制备的高熵合金颗粒加入到熔融的铝合金基体中搅拌分散,之后进行振动除气,最后采用铸造工艺制备成型高熵合金颗粒增强铝基复合材料的成型件。该工艺通过气体分散搅拌装置分散加入熔体内的高熵合金颗粒,增加高熵合金颗粒与铝合金的接触面积与润湿性,避免团聚,宏观与微观分散均匀,改善界面结合性,并在凝固时在整个基体中大幅增加形核质点,细化晶粒、改善组织、强化性能。

    一种晶体生长的助熔剂及晶体生长方法

    公开(公告)号:CN111379014A

    公开(公告)日:2020-07-07

    申请号:CN202010380449.0

    申请日:2020-05-08

    Abstract: 本发明公开了一种晶体生长的助熔剂及晶体生长方法。所述晶体为Pb17O8Cl18,所述助熔剂的体系包括PbO、金属卤化物M′X、金属卤化物M″X2和Bi2O3中的至少一种;M′为Li、Na或K,M″为Mg、Ca、Ba、Sr或Pb,X为F或Cl。晶体生长方法为:将多晶原料与助熔剂混合融化;在熔体温度饱和点上方开始引晶,熔体温度稳定在饱和点,开始晶体生长;晶体生长至所需尺寸,提升籽晶杆晶体脱离液面,在弱氧化性气氛中进行退火处理。本发明充分照顾晶体生长的取向,有效提高晶体生长稳定性,减小生长过程中溶体挥发和体系粘度,解决晶体针状发育及生长的晶体易开裂、变颜色等问题,生长出的晶体尺寸大、光学质量高。

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