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公开(公告)号:CN112094649B
公开(公告)日:2022-12-09
申请号:CN202011008793.3
申请日:2020-09-23
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料,该上转换发光材料的化学通式为Te1‑xLnxO2,其中,Ln为Nd、Sm、Ho中的任一种,0<X≤0.10。本发明还公开了该材料的制备方法,包括:按照上述化学组成式的摩尔配比,以二氧化碲为基质材料,掺杂稀土氧化物,加无水乙醇将混合料研磨混匀,进行两次高温固相烧结,再经研磨、过筛即得稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料。本发明制备得到的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料具有化学稳定性好,结晶度高、均匀性好、发光性能稳定等特点,适用于工业化生产,可作为新一代LED的潜在应用材料,能有效改善LED的显色性及使用性能。
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公开(公告)号:CN112695375A
公开(公告)日:2021-04-23
申请号:CN202110013638.9
申请日:2021-01-06
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了氧化锆晶体的制备方法,属于金属氧化物功能材料的制备领域。本发明将氧化钇和氧化锆按比例混合并研磨成均匀粉末,利用冷坩埚法制备,制得所述立方氧化锆晶体,再进行还原处理,可得到黑色的立方氧化锆晶体。本发明能够让材料大尺寸快速结晶生长,适合大规模生产,坩埚材料作为原料可回收使用,节约成本,得到的晶体尺寸大、结晶度高。
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公开(公告)号:CN111334859B
公开(公告)日:2021-04-20
申请号:CN202010262675.9
申请日:2020-04-06
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明申请属于晶体生长技术领域,具体公开了一种利用氧化铝助熔剂生长二氧化铀晶体的方法,包括以下步骤:(1)将UO2‑Al2O3原料按照设计的摩尔比配料混合均匀,然后压制成芯块;(2)将步骤(1)中的芯块装入钨坩埚并放置石墨坩埚中;(3)将步骤(2)中的石墨坩埚放置高频感应加热装置的感应线圈中间;(4)加热将原料充分熔融,缓慢冷却后得到二氧化铀晶锭;(5)将所得晶锭中助熔剂与晶体分离,得到二氧化铀单晶。本方案主要用于制备二氧化铀单晶,为研究单晶物理化学性能,进而解决核燃料棒在裂变过程中产生的裂变产物引起辐照肿胀导致燃料与包壳相互作用的问题,同时拓展其在半导体、太阳能以及热电领域的应用。
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公开(公告)号:CN112410879A
公开(公告)日:2021-02-26
申请号:CN202011178467.7
申请日:2020-10-29
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种掺钬的2μm激光晶体及其制备方法。所述晶体的结构为双钙钛矿结构,属于立方晶系,晶体的组成表达式为A2MⅠMⅢX6:xHo;其中,A为一价阳离子,MⅠ为一价阳离子,MⅢ为三价阳离子,X为卤素阴离子,并且0
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公开(公告)号:CN110904506A
公开(公告)日:2020-03-24
申请号:CN201911227771.3
申请日:2019-12-04
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土置换钇铁石榴石晶体的制备方法,包括以下步骤:根据Y(3-x)RexFe5O12按照摩尔比分别称量Y2O3、Re2O3和Fe2O3,研磨压块后通过固相反应得到多晶料块;破碎研磨多晶料块,并加入助熔剂,得到混合物料;将混合物料装入坩埚内,置于晶体生长炉内,加热到设定温度并保温,得到高温溶液;再通过改变坩埚与加热线圈的相对位置,使坩埚逐渐向低温区移动,直至高温溶液全部结晶,停止移动,降温至室温,得到晶锭;采用机械剥离或溶液腐蚀法去除助熔剂,得到晶体。本发明通过助熔剂有效降低晶体生长温度,降低能耗,通过垂直移动提供了晶体生长的驱动力,促进了晶体的长大,得到大尺寸块状晶体。
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公开(公告)号:CN115261989A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202211047698.3
申请日:2022-08-30
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种快响应铌酸锂晶体,所述的铌酸锂晶体进行了铟铀双掺杂,In离子以In2O3的形式掺入,掺杂量为2~6 mol%,铀离子以UO2的形式掺入,掺杂量为0.6~2 mol%。本发明还提供了上述快响应铌酸锂晶体的制备方法,通过固相烧结法合成双掺铌酸锂多晶粉料,选择CLN籽晶,将籽晶固定在铂金坩埚底部,然后将掺杂的多晶料装入铂金坩埚中封好,将头尾两端密封后置于氧化铝保温管中;然后将保温管置于晶体生长炉内,加热使多晶料得到充分熔化,利用坩埚下降法生长晶体。本发明实现了快响应速度以及高质量铟铀双掺铌酸锂晶体的生长,并且工艺设备简单,可同时生长多根晶体。
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