公开(公告)号：CN115261990A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202211057076.9

申请日：2022-08-30

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 田甜 ,  张杰 ,  刘伟 ,  陈宇恒 ,  徐家跃

IPC: C30B29/30 ,  C30B11/06

Abstract: 本发明公开了一种具有高饱和衍射效率的铌酸锂晶体，将原料混合充分研磨后，将籽晶固定在坩埚底部种井部位，然后将所有混合原料装入铂金坩埚并封好，置于晶体生长炉生长晶体并控制炉内温度1300‑1400℃，利用坩埚下降法法生长晶体，生长速度为0.2‑0.4mm/h，Mg离子和U离子的掺入大幅度提高了LiNbO3晶体的饱和衍射效率和光折变响应时间。还公开了该铌酸锂晶体的制备方法。本发明实现了高饱和衍射效率、快响应铌酸锂单晶的生长，并且工艺设备简单，可同时生长多根晶体，可极大提高铌酸锂晶体的生产效率，推动其在全息领域的应用。

公开(公告)号：CN115261989A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202211047698.3

申请日：2022-08-30

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 田甜 ,  陈宇恒 ,  刘伟 ,  张杰 ,  徐家跃

IPC: C30B29/30 ,  C30B11/14 ,  C30B28/02 ,  G02F1/355

Abstract: 本发明公开了一种快响应铌酸锂晶体，所述的铌酸锂晶体进行了铟铀双掺杂，In离子以In2O3的形式掺入，掺杂量为2～6 mol%，铀离子以UO2的形式掺入，掺杂量为0.6～2 mol%。本发明还提供了上述快响应铌酸锂晶体的制备方法，通过固相烧结法合成双掺铌酸锂多晶粉料，选择CLN籽晶，将籽晶固定在铂金坩埚底部，然后将掺杂的多晶料装入铂金坩埚中封好，将头尾两端密封后置于氧化铝保温管中；然后将保温管置于晶体生长炉内，加热使多晶料得到充分熔化，利用坩埚下降法生长晶体。本发明实现了快响应速度以及高质量铟铀双掺铌酸锂晶体的生长，并且工艺设备简单，可同时生长多根晶体。