-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111394781B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202010262173.6
申请日：2020-04-06
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明申请属于晶体制备技术领域，具体公开了一种利用硼酸盐助熔剂生长二氧化铀晶体的方法，包括以下步骤：(1)助熔剂Li5U(BO3)3通过化学计量比的Li2CO3、H3BO3和UO2粉末进行混合研磨3h；(2)将步骤(1)中的混合粉末装入铂金坩埚中，通过三段温度烧结；(3)将助熔剂Li5U(BO3)3与UO2按摩尔比83mol％:17mol％配料，充分混合研磨后，装入铂金坩埚中，通Ar/5％H2，放置管式电阻炉中，升温至1235℃，利用Li5U(BO3)3助熔剂将UO2溶解，体系达到熔融态，通过缓慢冷却来达到过饱和度驱动晶体生长，得到UO2晶体。本方案主要用于制备二氧化铀晶体，解决了现有熔体法难以生长超高熔点二氧化铀晶体的问题。
-
公开(公告)号：CN111334859A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010262675.9
申请日：2020-04-06
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明申请属于晶体生长技术领域，具体公开了一种利用氧化铝助熔剂生长二氧化铀晶体的方法，包括以下步骤：(1)将UO2-Al2O3原料按照设计的摩尔比配料混合均匀，然后压制成芯块；(2)将步骤(1)中的芯块装入钨坩埚并放置石墨坩埚中；(3)将步骤(2)中的石墨坩埚放置高频感应加热装置的感应线圈中间；(4)加热将原料充分熔融，缓慢冷却后得到二氧化铀晶锭；(5)将所得晶锭中助熔剂与晶体分离，得到二氧化铀单晶。本方案主要用于制备二氧化铀单晶，为研究单晶物理化学性能，进而解决核燃料棒在裂变过程中产生的裂变产物引起辐照肿胀导致燃料与包壳相互作用的问题，同时拓展其在半导体、太阳能以及热电领域的应用。
-
公开(公告)号：CN111334859B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010262675.9
申请日：2020-04-06
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明申请属于晶体生长技术领域，具体公开了一种利用氧化铝助熔剂生长二氧化铀晶体的方法，包括以下步骤：(1)将UO2‑Al2O3原料按照设计的摩尔比配料混合均匀，然后压制成芯块；(2)将步骤(1)中的芯块装入钨坩埚并放置石墨坩埚中；(3)将步骤(2)中的石墨坩埚放置高频感应加热装置的感应线圈中间；(4)加热将原料充分熔融，缓慢冷却后得到二氧化铀晶锭；(5)将所得晶锭中助熔剂与晶体分离，得到二氧化铀单晶。本方案主要用于制备二氧化铀单晶，为研究单晶物理化学性能，进而解决核燃料棒在裂变过程中产生的裂变产物引起辐照肿胀导致燃料与包壳相互作用的问题，同时拓展其在半导体、太阳能以及热电领域的应用。
-
公开(公告)号：CN114232094A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111640665.5
申请日：2021-12-29
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，公开了一种铀掺杂硅酸铋闪烁晶体及其制备方法。特征是：(1)所述硅酸铋闪烁晶体为闪烁材料，铀离子以UO2形式掺入，可显著提高晶体的光输出，掺杂量为0.01～1mol％，所述的硅酸铋晶体的分子式为Bi4Si3O12；(2)选用高纯SiO2、Bi2O3原料，根据化学计量比配料，采用固相烧结法制备Bi4Si3O12多晶料，然后按所述掺杂量向Bi4Si3O12多晶料中加入UO2，混合均匀并烧结，得到铀掺杂的Bi4Si3O12多晶料；(3)选择硅酸铋籽晶，将籽晶固定在坩埚底部的种井部位，将掺杂的多晶料装入坩埚并封口，移入陶瓷管中，置于区熔炉内，升温、保温、接种后以一定的速率下降生长，得到铀掺杂的高光输出硅酸铋闪烁晶体。
-
公开(公告)号：CN111394781A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010262173.6
申请日：2020-04-06
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明申请属于晶体制备技术领域，具体公开了一种利用硼酸盐助熔剂生长二氧化铀晶体的方法，包括以下步骤：(1)助熔剂Li5U(BO3)3通过化学计量比的Li2CO3、H3BO3和UO2粉末进行混合研磨3h；(2)将步骤(1)中的混合粉末装入铂金坩埚中，通过三段温度烧结；(3)将助熔剂Li5U(BO3)3与UO2按摩尔比83mol％:17mol％配料，充分混合研磨后，装入铂金坩埚中，通Ar/5％H2，放置管式电阻炉中，升温至1235℃，利用Li5U(BO3)3助熔剂将UO2溶解，体系达到熔融态，通过缓慢冷却来达到过饱和度驱动晶体生长，得到UO2晶体。本方案主要用于制备二氧化铀晶体，解决了现有熔体法难以生长超高熔点二氧化铀晶体的问题。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.014 seconds)
