公开(公告)号：CN114232094A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111640665.5

申请日：2021-12-29

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 徐家跃 ,  田甜 ,  张炎 ,  潘芸芳 ,  李志超 ,  张彦 ,  申慧 ,  马云峰 ,  陈媛芝

IPC: C30B29/34 ,  C30B11/14 ,  C30B28/02 ,  G01T1/202

Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，公开了一种铀掺杂硅酸铋闪烁晶体及其制备方法。特征是：(1)所述硅酸铋闪烁晶体为闪烁材料，铀离子以UO2形式掺入，可显著提高晶体的光输出，掺杂量为0.01～1mol％，所述的硅酸铋晶体的分子式为Bi4Si3O12；(2)选用高纯SiO2、Bi2O3原料，根据化学计量比配料，采用固相烧结法制备Bi4Si3O12多晶料，然后按所述掺杂量向Bi4Si3O12多晶料中加入UO2，混合均匀并烧结，得到铀掺杂的Bi4Si3O12多晶料；(3)选择硅酸铋籽晶，将籽晶固定在坩埚底部的种井部位，将掺杂的多晶料装入坩埚并封口，移入陶瓷管中，置于区熔炉内，升温、保温、接种后以一定的速率下降生长，得到铀掺杂的高光输出硅酸铋闪烁晶体。