公开(公告)号：CN106948006A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710112231.5

申请日：2017-02-28

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 徐家跃 ,  冯海威 ,  田甜 ,  申慧 ,  储耀卿 ,  李旭祥 ,  王洪超

IPC: C30B29/34 ,  C30B11/02 ,  C30B28/02

CPC classification number: C30B29/34 ,  C30B11/02 ,  C30B28/02

Abstract: 本发明提供了一种高光输出硅酸铋闪烁晶体，在硅酸铋晶体中掺有Ta5+，Ta5+以Ta2O5的形式掺入，掺杂量为0.2～4mol%/mol。本发明还提供了上述高光输出硅酸铋闪烁晶体的制备方法，通过固相烧结法合成掺杂硅酸铋多晶粉料，将合成的掺杂硅酸铋多晶料压成致密圆柱状料块；将籽晶固定在坩埚底部的种井部位，然后将多晶料块装入坩埚并封好，置于晶体生长炉内并控制温度在1050‑1200℃，晶体生长速度为0.2‑0.6mm/h。由于Ta5+的掺入，使所得BSO晶体光输出大幅提高。本发明实现了高光输出以及高质量硅酸铋单晶的生长，同时工艺设备简单，可同时生长多根晶体，极大提高了硅酸铋闪烁晶体的生长效率及应用。

公开(公告)号：CN106948006B

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201710112231.5

申请日：2017-02-28

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 徐家跃 ,  冯海威 ,  田甜 ,  申慧 ,  储耀卿 ,  李旭祥 ,  王洪超

IPC: C30B29/34 ,  C30B11/02 ,  C30B28/02

Abstract: 本发明提供了一种高光输出硅酸铋闪烁晶体，在硅酸铋晶体中掺有Ta5+，Ta5+以Ta2O5的形式掺入，掺杂量为0.2～4mol%/mol。本发明还提供了上述高光输出硅酸铋闪烁晶体的制备方法，通过固相烧结法合成掺杂硅酸铋多晶粉料，将合成的掺杂硅酸铋多晶料压成致密圆柱状料块；将籽晶固定在坩埚底部的种井部位，然后将多晶料块装入坩埚并封好，置于晶体生长炉内并控制温度在1050‑1200℃，晶体生长速度为0.2‑0.6mm/h。由于Ta5+的掺入，使所得BSO晶体光输出大幅提高。本发明实现了高光输出以及高质量硅酸铋单晶的生长，同时工艺设备简单，可同时生长多根晶体，极大提高了硅酸铋闪烁晶体的生长效率及应用。