公开(公告)号：CN119980431A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510261230.1

申请日：2025-03-06

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 徐家跃 ,  王飞 ,  申慧 ,  李蕾帆 ,  陆华彬 ,  周杰

IPC: C30B9/12 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明公开了一种α‑Fe2O3晶体及其制备方法和应用，包括：将氧化铁原料和复合助熔剂按照摩尔比(6～30):(94～70)称量，混合研磨3～5h得混合物料；将混合物料在真空手套箱中装入坩埚并封口；再将坩埚置于具有垂直温度梯度的晶体生长炉中，以不同速率升至1200℃～1300℃，保温12～16h，随后降至1150～1100℃，再降至800～880℃，保温8～10h，最后冷却至室温，剥离坩埚得原始晶锭；最后对原始晶锭机械剥离加磨抛除去助熔剂，清洗得α‑Fe2O3晶体。本发明采用助熔剂梯度凝固法生长α‑Fe2O3晶体，能够有效降低晶体的熔点，减小晶体生长的难度，使析晶范围更大更快，而成品率高。

公开(公告)号：CN119736699A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411902081.4

申请日：2024-12-23

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 申慧 ,  李蕾帆 ,  周杰 ,  李齐昕 ,  王飞 ,  徐家跃

IPC: C30B9/12 ,  C30B29/22

Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种基于助熔剂的六方R1‑xInxFeO3(R＝Lu,Yb,Tm,x＝0‑1)晶体的生长方法。该方法通过引入In3+，成功将正交结构RFeO3(R＝Lu,Yb,Tm)诱导为六方结构InFeO3；此外，该方法采用KF‑X2CO3(X＝Li,Na,K)复合助熔剂体系，实现在常压、较低温度下生长出稳定的R1‑xInxFeO3(R＝Lu,Yb,Tm)晶体。与现有技术相比，本发明克服了六方RFeO3晶体需要高温高压生长的苛刻要求，所生长的晶体不仅组分可控，能够实现从正交结构到六方结构的连续变化，同时晶体尺寸能够达到厘米量级，结晶质量高。