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发明公开
一种基于助熔剂的六方R1-xInxFeO3(R＝Lu,Yb,Tm,x＝0-1)晶体的生长方法审中-实审

公开(公告)号：CN119736699A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411902081.4

申请日：2024-12-23

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 申慧 , 李蕾帆 , 周杰 , 李齐昕 , 王飞 , 徐家跃

IPC: C30B9/12 , C30B29/22

Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种基于助熔剂的六方R1‑xInxFeO3(R＝Lu,Yb,Tm,x＝0‑1)晶体的生长方法。该方法通过引入In3+，成功将正交结构RFeO3(R＝Lu,Yb,Tm)诱导为六方结构InFeO3；此外，该方法采用KF‑X2CO3(X＝Li,Na,K)复合助熔剂体系，实现在常压、较低温度下生长出稳定的R1‑xInxFeO3(R＝Lu,Yb,Tm)晶体。与现有技术相比，本发明克服了六方RFeO3晶体需要高温高压生长的苛刻要求，所生长的晶体不仅组分可控，能够实现从正交结构到六方结构的连续变化，同时晶体尺寸能够达到厘米量级，结晶质量高。

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