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1.

发明公开
一种溴铅铜单晶的制备方法无效

公开(公告)号：CN114197031A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111392638.0

申请日：2021-11-23

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 丁彬 , 徐家跃 , 陈媛芝 , 申慧

IPC: C30B11/02 , C30B29/12

Abstract: 本发明公开了一种溴铅铜单晶的制备方法。本发明的制备方法包括溴铅铜多晶料的制备和溴铅铜单晶的生长；具体包括：首先按化学计量比称取原料，混合后装入石英坩埚中真空封装，然后把石英坩埚放入摇摆炉中分段加热，边加热边摇摆进行溴铅铜多晶料的烧结；最后将装有溴铅铜多晶料的石英坩埚放入晶体炉中进行晶体生长。本发明采用多晶料制备和晶体生长两步法，成功生长出溴铅铜单晶，得到的溴铅铜晶体尺寸为18x50mm3，本发明解决了溴铅铜单晶生长的瓶颈，克服了溴铅铜单晶生长方法无法实现的技术难题，拓宽了溴铅铜材料在光电探测领域的应用前景。

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