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公开(公告)号：CN116925758B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310897877.4
申请日：2023-07-20
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种真空紫外光激发的钽铌酸镁蓝紫色荧光粉及其应用。本发明的蓝紫色荧光粉钽铌酸镁的化学组成表达式为Mg4(Ta1‑xNbx)2O9，其中，0≤x≤1。该蓝紫色荧光粉采用高温固相反应法合成，在空气中稳定存在，工艺安全简单，容易控制。本发明的真空紫外激发的蓝、紫色荧光粉的发光强度是对比样品BaMgAl10O17:Eu2+(BAM)蓝色荧光粉的0.53～4.06倍。其中Mg4(Ta0.8Nb0.2)2O9的发光强度最高，是BaMgAl10O17:Eu2+(BAM)的4.06倍，抗热损伤、抗辐射损伤、余辉时间短，在3D‑PDP等离子平板显示器以及无汞荧光灯等领域中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117229776A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311185730.9
申请日：2023-09-13
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/67 , F21K9/64 , F21Y115/10
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂钽酸镁UVA发光荧光粉。本发明的UVA荧光粉的化学组成表达式为Mg4Ta2O9:0.25at％RE，其中，稀土掺杂离子RE为La3+、Ce3+、Pr3+、Nd3+、Sm3+、Eu3+、Gd3+、Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm3+、Yb3+、Lu3+、Y3+和Sc3+中的至少一种。该UVA荧光粉采用高温固相反应法合成，在空气中稳定存在，工艺安全简单，容易控制。本发明的真空紫外激发的UVA荧光粉发射波长在360～392nm范围内可调，发光峰强度是商用蓝色荧光粉BaMgAl10O17:Eu2+(BAM)的1.275～4.575倍。
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公开(公告)号：CN115520898A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211205790.8
申请日：2022-09-30
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开本发明公开了一种片状微晶粉体的制备方法及应用。本发明的片状微晶粉体的化学通式为(Mg1‑xZnx)4(Ta1‑yNby)2O9，其中x＝0～1，y＝0～1。其制备方法为：按化学通式称取原料，并称取NaCl和KCl原料；各原料与无水乙醇研磨混匀并烘干，于马弗炉中950℃下烧结；将烧结样品研磨至粉碎后转移至玻璃杯，加入去离子水，采用加热搅拌溶解‑抽滤的方法除去其中的NaCl和KCl熔盐，最后干燥即得片状微晶粉体。该片状微晶粉体的晶粒取向性明显，径向长度为0.1～2.5μm，厚度为0.05～0.3μm，具有大的宽高比。可作为制造微波介质陶瓷、闪烁透明陶瓷、硼酸盐玻璃微晶闪烁体等的前驱粉体。
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公开(公告)号：CN117402616B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202311182947.4
申请日：2023-09-13
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了钽酸镁掺杂锑、锡、铋/锂闪烁发光材料及其制备方法与应用。所述闪烁发光材料的化学组成式为Mg4Ta2O9:x at％Sb5+(0≤x≤10)；Mg4Ta2O9:y at％Sn4+(0≤y≤1.5)；(Mg(1‑2z)BizLiz)4Ta2O9(0≤z≤0.02)。制备方法为：按化学通式称取原料，将所有原料混合均匀；然后将混合物在空气气氛中依次预烧、煅烧，再自然冷却到室温，研磨即可。本发明通过对Mg4Ta2O9分别不同比例掺杂Sb2O5、SnO2和Bi2O3/Li2CO3，大幅缩短了闪烁体材料的衰减时间，可以应用在X射线和γ射线辐射探测领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117402616A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311182947.4
申请日：2023-09-13
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了钽酸镁掺杂锑、锡、铋/锂闪烁发光材料及其制备方法与应用。所述闪烁发光材料的化学组成式为Mg4Ta2O9:x at％Sb5+(0≤Snx4+≤(01≤0)y；≤Mg14Ta.5)2O；9(M:y g(1at‑2％z)BizLiz)4Ta2O9(0≤z≤0.02)。制备方法为：按化学通式称取原料，将所有原料混合均匀；然后将混合物在空气气氛中依次预烧、煅烧，再自然冷却到室温，研磨即可。本发明通过对Mg4Ta2O9分别不同比例掺杂Sb2O5、SnO2和Bi2O3/Li2CO3，大幅缩短了闪烁体材料的衰减时间，可以应用在X射线和γ射线辐射探测领域。
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公开(公告)号：CN116969682A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310800113.9
申请日：2023-06-30
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种ZnO:Ga激活的硼酸盐闪烁微晶玻璃及其制备方法和应用。本发明的硼酸盐闪烁微晶玻璃的化学组成表达式为Li2B4O7‑x at％ZnO:Ga，其中，0＜x≤50，微晶相ZnO:Ga(即ZnO‑0.5wt％Ga2O3)掺杂占硼酸盐闪烁微晶玻璃整体的比例为0～50at％。该闪烁微晶玻璃采用高温熔融法合成，在空气中稳定存在，工艺安全简单，容易控制。本发明的闪烁微晶玻璃在X射线激发下，光产额为1543～1694ph./MeV。其中Li2B4O7‑50at％ZnO:Ga的光产额最高，是BGO晶体的21％，解决了ZnO:Ga晶体存在的严重自吸收问题，光产额高于ZnO:Ga晶体。
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公开(公告)号：CN113861976B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202111293157.4
申请日：2021-11-03
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种钽酸镁异价掺杂铪、锆、钼、钨闪烁发光材料及其制备方法。所述的闪烁发光材料的化学通式为Mg4Ta2O9:x at％Y(x＝2、4、6、8、10，Y＝Hf4+、Zr4+、Mo6+、W6+)，其制备方法为：按化学通式称取原料并混合均匀；然后将混合物在空气气氛中依次预烧、煅烧，再自然冷却到室温，研磨即可。本发明所制备的闪烁发光材料在X射线激发下的光产额为413～13469ph./MeV，稍低于Mg4Ta2O9材料的光产额，但荧光寿命因掺杂大为缩短，为1186ns～3345ns，其中，掺杂钨时具有最短的衰减时间1186ns，约为Mg4Ta2O9材料衰减时间的1/5。
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公开(公告)号：CN113861976A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111293157.4
申请日：2021-11-03
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种钽酸镁异价掺杂铪、锆、钼、钨闪烁发光材料及其制备方法。所述的闪烁发光材料的化学通式为Mg4Ta2O9:x at％Y(x＝2、4、6、8、10，Y＝Hf4+、Zr4+、Mo6+、W6+)，其制备方法为：按化学通式称取原料并混合均匀；然后将混合物在空气气氛中依次预烧、煅烧，再自然冷却到室温，研磨即可。本发明所制备的闪烁发光材料在X射线激发下的光产额为413～13469ph./MeV，稍低于Mg4Ta2O9材料的光产额，但荧光寿命因掺杂大为缩短，为1186ns～3345ns，其中，掺杂钨时具有最短的衰减时间1186ns，约为Mg4Ta2O9材料衰减时间的1/5。
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公开(公告)号：CN115520898B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202211205790.8
申请日：2022-09-30
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开本发明公开了一种片状微晶粉体的制备方法及应用。本发明的片状微晶粉体的化学通式为(Mg1‑xZnx)4(Ta1‑yNby)2O9，其中x＝0～1，y＝0～1。其制备方法为：按化学通式称取原料，并称取NaCl和KCl原料；各原料与无水乙醇研磨混匀并烘干，于马弗炉中950℃下烧结；将烧结样品研磨至粉碎后转移至玻璃杯，加入去离子水，采用加热搅拌溶解‑抽滤的方法除去其中的NaCl和KCl熔盐，最后干燥即得片状微晶粉体。该片状微晶粉体的晶粒取向性明显，径向长度为0.1～2.5μm，厚度为0.05～0.3μm，具有大的宽高比。可作为制造微波介质陶瓷、闪烁透明陶瓷、硼酸盐玻璃微晶闪烁体等的前驱粉体。
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