公开(公告)号：CN111379025A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN202010321316.6

申请日：2020-04-22

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 申慧 ,  王娜 ,  徐家跃 ,  张彦 ,  田甜 ,  储耀卿

IPC: C30B29/12 ,  C30B13/00 ,  C30B33/02 ,  G01T1/202

Abstract: 本发明公开了一种卤化铯铅晶体的生长方法，包括以下步骤：原料的密封：将卤化铯和卤化铅粉末干燥后，置于石英安培瓶中抽真空进行密封；多晶料的制备：将石英安培瓶置于摇摆炉内进行分阶段升温至690～700℃后，保温，然后将炉温降至室温，得到多晶料；卤化铯铅晶体的制备：将装有多晶料的安培瓶置于区熔炉的顶部，将区熔炉的温度升至690～730℃，待温场稳定之后将安培瓶向下移动，完成晶锭的生长；最后进行退火处理。本发明制备方法简单，容易控制，生长周期较短，温度梯度可调。本发明制备的晶体无明显的杂质，具有良好的光学性能，可以用于作为闪烁晶体用于辐射探测等领域。