公开(公告)号：CN118147752A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410307647.2

申请日：2024-03-18

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 徐家跃 ,  胡书诚 ,  王梦雪 ,  田甜 ,  申慧 ,  周鼎 ,  刘莉莉

IPC: C30B29/34 ,  C30B13/10 ,  C30B13/28

Abstract: 本发明公开了一种铝和钽双掺杂提高透过率的硅酸铋晶体及其制备方法，该Bi12SiO20晶体掺有铝离子Al3+和钽离子Ta5+，其中，铝离子以Al2O3形式掺入，钽离子以Ta2O5形式掺入。选用高纯SiO2、Bi2O3原料，采用固相烧结法制备Bi12SiO20多晶料，然后按向多晶料中加入Al2O3和Ta2O5，混合均匀并烧结，得到铝和钽双掺杂的多晶料；将硅酸铋籽晶和掺杂的多晶料装入坩埚并封口，移入氧化铝管中，置于晶体炉内，升温、保温、接种后以一定的速率下降生长，得到透过率提高的铝和钽双掺杂硅酸铋晶体。采用本发明制备方法得到的铝和钽双掺杂硅酸铋晶体，可显著提高晶体的透过率。