公开(公告)号：CN101325218B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200810110124.X

申请日：2008-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑现钟 ,  郑兰珠 ,  徐顺爱 ,  金东彻 ,  李章元

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/12 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/18 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/11807 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/2203 ,  H01L29/7606 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管、包括场效应晶体管的逻辑电路及制造方法。所述场效应晶体管可包括：双极性层，包括源区、漏区以及源区和漏区之间的沟道区，其中，源区、漏区以及沟道区以单片结构形成；栅电极，位于沟道区上；绝缘层，隔离栅电极与双极性层，其中，在与第一方向相交的第二方向上，源区和漏区的宽度大于沟道区的宽度，源区和漏区在第一方向上彼此连接。

公开(公告)号：CN102479804A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110389294.8

申请日：2011-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  徐顺爱 ,  李晟熏 ,  郑现钟 ,  梁喜准

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1606

Abstract: 本发明公开一种石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：栅电极；设置在栅电极上的栅氧化物；形成在栅氧化物上的石墨烯沟道层；以及分别设置在石墨烯沟道层的两端上的源电极和漏电极。在石墨烯沟道层中，多个纳米孔沿石墨烯沟道层的宽度方向布置成单一行。

公开(公告)号：CN101183705B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200710192709.6

申请日：2007-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李明宰 ,  朴泳洙 ,  郑兰株 ,  徐顺爱 ,  金东徹 ,  安承彦

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明公开了一种具有固溶体层的电阻式随机存取存储器(RRAM)以及该RRAM的制造方法。RRAM包括：下电极；固溶体层，在下电极上；阻抗层，在固溶体层上；上电极，在阻抗层上。该RRAM的制造方法包括：形成下电极；在下电极上形成固溶体层；在固溶体层上形成阻抗层；在阻抗层上形成上电极，其中，固溶体层由过渡金属固溶体形成。

公开(公告)号：CN102060292A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010541911.7

申请日：2010-11-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 禹轮成 ,  徐大卫 ,  裴秀康 ,  徐顺爱 ,  郑现钟 ,  姜世拉 ,  许镇盛 ,  郑明姬

IPC: C01B31/04

CPC classification number: C01B31/0206 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  Y10T156/1041

Abstract: 示例实施例涉及制造和转移大尺寸石墨烯层的方法。转移大尺寸石墨烯层的方法可以包括：在基底上形成石墨烯层、保护层和粘合层；去除所述基底。可以通过将所述石墨烯层滑动到转移基底上来将所述石墨烯层设置在所述转移基底上。

公开(公告)号：CN101615423A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910150851.3

申请日：2009-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成喆 ,  徐顺爱 ,  曹永真 ,  皮雄焕 ,  裴智莹

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C19/0808 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C19/0841

Abstract: 提供一种信息存储装置以及操作所述装置的方法。所述信息存储装置包括：磁层，具有多个磁畴区以及置于磁畴区之间的磁畴壁；第一单元，布置在第一区域以将信息记录在第一区域，所述第一区域是多个磁畴区中的一个；第二单元，连接到第一单元以感应磁场，从而将信息记录在第一区域。

公开(公告)号：CN100524875C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200510136129.6

申请日：2005-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑镛洙 ,  朴允童 ,  柳寅儆 ,  李明宰 ,  徐顺爱 ,  金惠英 ,  安承彦 ,  徐大卫

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供具有两种电阻器的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括：下电极；第一电阻层，其形成在所述下电极上且具有两种或更多种电阻特性；第二电阻层，其形成在所述第一电阻层上且具有阈值开关特性；以及上电极，其形成在所述第二电阻层上。

公开(公告)号：CN100462823C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200310124902.8

申请日：2003-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金道映 ,  朴玩濬 ,  朴永洙 ,  李俊冀 ,  闵约赛 ,  权章渊 ,  徐顺爱 ,  崔荣敏 ,  蔡洙杜

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78603 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/136227 ,  G02F2201/50 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/66757 ,  H01L51/5253 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种在柔性基底上实现的薄膜半导体器件、使用该器件的电子器件、及其制造方法。该薄膜半导体器件包括一柔性基底、一形成在柔性基底上的半导体芯片、一密封该半导体芯片的保护盖层、以及一形成在该保护盖层上的绝缘区。该电子器件包括一柔性基底和形成在柔性基底上的半导体芯片，还包括密封半导体芯片的保护盖层和形成在该保护盖层上的绝缘区。由于使用了保护盖层，提高了薄膜半导体器件抵抗基底弯曲所产生的应力的耐用性。

公开(公告)号：CN101055917A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200710001604.8

申请日：2007-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白寅圭 ,  金东徹 ,  李将银 ,  李明宰 ,  徐顺爱 ,  金亨俊 ,  安承彦 ,  林恩京

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/32

Abstract: 多位存储单元，存储对应于高阻抗状态和低于高阻抗状态的多个其他阻抗状态的信息。通过将相应电流施加到存储元件，多位存储单元内的存储元件的阻抗从高阻抗状态切换到其他多个阻抗状态之一。

公开(公告)号：CN1964050A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610075345.9

申请日：2006-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东彻 ,  柳寅儆 ,  李明宰 ,  徐顺爱 ,  白寅圭 ,  安承彦 ,  朴炳昊 ,  车映官 ,  朴祥珍

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种在存储节点中具有改进的结构从而具有稳定的开关特性的非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件包括开关器件和与该开关器件耦接的存储节点。该存储节点包括第一电极、第二电极、数据存储层、以及至少一个接触层。该数据存储层设置在该第一电极与该第二电极之间且包括过渡金属氧化物或者铝氧化物。所述至少一个接触层设置在该数据存储层之上或之下，且包括导电金属氧化物从而改善该数据存储层与该第一电极之间以及该数据存储层与该第二电极之间的界面特性。

公开(公告)号：CN1790726A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510120431.2

申请日：2005-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安承彦 ,  柳寅儆 ,  郑镛洙 ,  车映官 ,  李明宰 ,  徐大卫 ,  徐顺爱

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明涉及一种包括一个电阻器和一个二极管的非挥发性存储器。其包括：底部电极；电阻器结构，布置在底部电极上；二极管结构，布置在电阻器结构上；和上部电极，布置在二极管结构上。本发明的非挥发性存储器可以用简单工艺制造，可以用低电力驱动，具有快的运作速度。