公开(公告)号：CN101055917A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200710001604.8

申请日：2007-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白寅圭 ,  金东徹 ,  李将银 ,  李明宰 ,  徐顺爱 ,  金亨俊 ,  安承彦 ,  林恩京

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/32

Abstract: 多位存储单元，存储对应于高阻抗状态和低于高阻抗状态的多个其他阻抗状态的信息。通过将相应电流施加到存储元件，多位存储单元内的存储元件的阻抗从高阻抗状态切换到其他多个阻抗状态之一。

公开(公告)号：CN101533848B

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN200910118570.X

申请日：2009-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白寅圭 ,  沈贤准 ,  赵金石 ,  林恩京

IPC: H01L27/24

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/78 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器器件及相关的方法和处理系统，即提供一种非易失性存储器器件、制造该非易失性存储器器件的方法以及包括该非易失性存储器器件的处理系统。非易失性存储器器件包括：多个内部电极，在与衬底的面基本垂直的方向上延伸；多个第一外部电极，与衬底的面基本平行地延伸；以及多个第二外部电极，也与衬底的面基本平行地延伸。每个第一外部电极位于相应的内部电极的第一侧，而每个第二外部电极位于相应的内部电极的第二侧。这些器件还包括：多个可变电阻器，与内部电极、第一外部电极和第二外部电极接触。

公开(公告)号：CN101136247A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710148167.2

申请日：2007-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白寅圭 ,  李将银 ,  吴世忠 ,  南坰兑 ,  郑峻昊 ,  林恩京

IPC: G11C16/10

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0066 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/009 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34

Abstract: 提供编程RRAM器件的方法。增加的置位电流被施加到RRAM器件的数据存储层图形，同时测量该数据存储层图形的电阻，直到该电阻表示数据存储层图形中的置位态。增加的复位电压被施加到RRAM器件的数据存储层图形，同时测量该数据存储层图形的电阻，直到该电阻表示数据存储层图形中的复位态。

公开(公告)号：CN101055917B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN200710001604.8

申请日：2007-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白寅圭 ,  金东徹 ,  李将银 ,  李明宰 ,  徐顺爱 ,  金亨俊 ,  安承彦 ,  林恩京

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/32

Abstract: 多位存储单元，存储对应于高阻抗状态和低于高阻抗状态的多个其他阻抗状态的信息。通过将相应电流施加到存储元件，多位存储单元内的存储元件的阻抗从高阻抗状态切换到其他多个阻抗状态之一。

公开(公告)号：CN101533848A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910118570.X

申请日：2009-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白寅圭 ,  沈贤准 ,  赵金石 ,  林恩京

IPC: H01L27/24

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/78 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器器件及相关的方法和处理系统，即提供一种非易失性存储器器件、制造该非易失性存储器器件的方法以及包括该非易失性存储器器件的处理系统。非易失性存储器器件包括：多个内部电极，在与衬底的面基本垂直的方向上延伸；多个第一外部电极，与衬底的面基本平行地延伸；以及多个第二外部电极，也与衬底的面基本平行地延伸。每个第一外部电极位于相应的内部电极的第一侧，而每个第二外部电极位于相应的内部电极的第二侧。这些器件还包括：多个可变电阻器，与内部电极、第一外部电极和第二外部电极接触。