公开(公告)号：CN102759400B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201210115204.0

申请日：2012-04-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  宋利宪 ,  安承彦 ,  金昌桢 ,  金暎

IPC: G01J1/44

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14623

Abstract: 根据示例实施例，一种光感测装置可以包括光感测像素的阵列、第一栅极驱动器和信号输出单元。每一个光感测像素可以包括被配置为感测光的光传感器晶体管、被配置为输出来自光传感器晶体管的光感测信号的开关晶体管、以及在开关晶体管的光入射表面上的导电遮光膜。所述光传感器晶体管和开关晶体管可以具有相同的氧化物半导体晶体管结构。第一栅极驱动器可以被配置为向每一个光感测像素提供栅极电压和负偏置电压。所述信号输出单元可以被配置为从每一个光感测像素接收光感测信号并输出数据信号。

公开(公告)号：CN102997993B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201210186006.3

申请日：2012-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安承彦 ,  宋利宪 ,  田尚勋 ,  金暎 ,  全镕宇 ,  金昌桢

IPC: G01J1/44 ,  G06F3/042

CPC classification number: H01L27/14609 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0421 ,  G06F2203/04103

Abstract: 一种光感测装置、驱动光感测装置的方法以及包含光感测装置的光学触摸屏装置，其中，光感测像素中的光传感器晶体管由光敏氧化物半导体晶体管形成。光感测装置包括：光感测像素阵列，具有按照行和列排列的多个光感测像素；以及多条栅极线，按照行方向排列并且分别向光感测像素提供栅极电压，其中，光感测像素的每一个包括用于感测光的光传感器晶体管以及用于输出来自光传感器晶体管的光感测信号的开关晶体管。栅极线被连接到在光感测像素阵列中的每一行中的开关晶体管的栅极，且复位线被连接到在光感测像素阵列中的每一行中的光传感器晶体管的栅极。复位线经由相位反转器被连接到栅极线。因而，当栅极电压被施加于栅极线时，具有与栅极电压反转相位的复位信号可以被施加于复位线。

公开(公告)号：CN103699256A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310168079.4

申请日：2013-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安承彦 ,  宋利宪 ,  田尚勋 ,  金暎

IPC: G06F3/041 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/133

CPC classification number: G06F3/0421 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/042 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04106

Abstract: 一种触摸面板包括感测单元和显示单元。该感测单元包括：第一子感测单元，其响应于第一栅极线的激活而将与第一触摸变化对应的感测电流输出到感测线，并且响应于第一栅极线的去激活和第二栅极线的激活而被重置；以及第二子感测单元，其响应于第三栅极线的激活而将与不同于第一触摸变化的第二触摸变化对应的感测电流输出到感测线，并且响应于第三栅极线的去激活和第四栅极线的激活而被重置。该显示单元响应于第一到第四栅极线当中对应栅极线的激活而产生与要显示的图像数据对应的图像电压。根据向其施加图像电压或公共电压的第一电极和第二电极之间的电压差来驱动触摸面板的液晶。

公开(公告)号：CN100530691C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610005021.8

申请日：2006-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  崔圣圭 ,  金桢雨 ,  黄显相 ,  韩祯希 ,  崔相武 ,  朴星昊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/02148 ,  H01L21/02156 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 一种半导体存储器件，包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区设置在半导体衬底中；绝缘层，设置得与所述第一掺杂区和第二掺杂区接触，所述绝缘层包括从包括Hf、Zr、Y和Ln的组中选择的材料；和设置在所述绝缘层上的栅电极层。

公开(公告)号：CN100530595C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510120298.0

申请日：2005-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴允童 ,  金元柱 ,  田尚勋

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/24 ,  Y10S438/947

Abstract: 提供了一种制造包括电阻变化层作为存储节点的存储器件的方法。所述方法包括：在底层上依次堆叠导电材料层、二极管层和数据存储层；在所述数据存储层上形成第一材料层；在所述第一材料层中形成暴露所述数据存储层的第一孔；在所述第一孔的侧壁上用第二材料层形成第一间隙壁；用第三材料层填充所述第一孔并覆盖所述第一间隙壁；除去所述第一材料层；在所述第一间隙壁的侧壁上用第四材料层形成第二间隙壁；除去所述第三材料层；以及使用所述第一和第二间隙壁作为掩模在第一堆叠结构中形成暴露底层的第二孔。这些操作结果形成了位线，然后形成字线。

公开(公告)号：CN100511683C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200510136255.1

申请日：2005-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴允童 ,  金元柱 ,  田尚勋

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/24 ,  H01L27/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/005 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C16/04 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种混合多位型非易失性存储器件和一种操作该存储器件的方法。所述混合型非易失性存储器件包括：第一存储单位，其包括存储数据的第一存储节点，所述第一存储节点利用第一方法存储数据；以及第二存储单位，其包括利用与所述第一方法不同的第二方法存储数据的第二存储节点，其中所述第一存储单位和所述第二存储单位共享源极和漏极。

公开(公告)号：CN100477266C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200510106838.X

申请日：2005-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金桢雨 ,  黄显相

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8246

CPC classification number: H01L21/28273 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明涉及一种包括多层隧道势垒层的非易失存储器件和制造其的方法。所述器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的源极区和漏极区；和形成于所述半导体衬底上且接触所述源极和漏极区的栅极结构。这里，栅极结构包括多层隧道势垒层，所述隧道势垒层由具有不同带隙能量的两个或更多层形成。

公开(公告)号：CN1841774A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610067355.8

申请日：2006-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩祯希 ,  金柱亨 ,  金桢雨 ,  田尚勋 ,  郑渊硕 ,  李承铉

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/42324 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供了一种适用于形成在半导体衬底上的非易失性存储器件的制造方法和所得到的结构的示范性实施例。栅极结构的示范性实施例包括形成在半导体衬底上的第一绝缘膜，形成在第一绝缘膜上用于储存电荷的储存节点，形成在储存节点上的第二绝缘膜，形成在第二绝缘膜上的第三绝缘膜，和形成在第三绝缘膜上的栅电极。选择绝缘膜使得第二和第三绝缘膜之一或两者的介电常数大于第一绝缘膜的介电常数。

公开(公告)号：CN1790718A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510119953.0

申请日：2005-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  韩桢希 ,  金桢雨

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/513 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 一种非易失半导体存储器件，它包括具有源区、漏区和在源区和漏区之间提供的沟道区的衬底，以及位于沟道区上部的栅极堆叠和位于栅极堆叠上部的金属栅极。金属栅极是由相对栅极堆叠的复合层具有特定金属逸出功的金属构成的，以使电子通过直接隧穿效应贯穿阻挡层的整个厚度。栅极堆叠优选地包括一种选自由ONO、ONH、OHH、OHO、HHH或HNH构成的多层堆叠组的多层堆叠，其中O为氧化物材料、N为SiN、H为高κ材料。

公开(公告)号：CN1691334A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510068438.4

申请日：2005-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李明宰 ,  柳寅儆 ,  徐顺爱 ,  徐东硕 ,  徐大卫 ,  田尚勋

IPC: H01L27/10

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供了利用具有分级电阻变化的多层的存储器件。所述存储器件包括：下电极；数据存储层，形成于下电极上且具有分级的电阻变化；和上电极，形成于数据存储层上。