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公开(公告)号：CN112713208B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010679051.7
申请日：2020-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本公开提供了超光学器件及其制造方法以及电子装置。一种配置为感测入射光的超光学器件包括多个纳米棒，每个纳米棒具有比入射光的波长小的形状尺寸。每个纳米棒包括第一导电类型半导体层、本征半导体层以及第二导电类型半导体层。超光学器件可以分离并感测入射光的波长。
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公开(公告)号：CN117641940A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310417831.8
申请日：2023-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了存储器件和包括该存储器件的存储装置。该存储器件可以包括第一电极、与第一电极间隔开的第二电极、在第一电极和第二电极之间的中间层、以及与中间层接触的界面层。中间层和界面层均可以具有双向阈值开关(OTS)特性。界面层的材料的阈值电压偏移可以大于中间层的阈值电压偏移(ΔVth)。
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公开(公告)号：CN115811931A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202210773794.X
申请日：2022-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供基于硫属化物的材料、以及包括其的开关元件和存储器件。所述基于硫属化物的材料包括：硫属化物材料和掺杂剂。所述硫属化物材料包括Ge、Sb和Se。所述掺杂剂包括选自In、Al、Sr和Si的至少一种金属或准金属元素、所述金属或准金属元素的氧化物、或者所述金属或准金属元素的氮化物。
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公开(公告)号：CN115707327A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210367881.5
申请日：2022-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种开关器件、制造其的方法以及包括其的存储器件。开关器件包括第一电极和第二电极以及提供在第一电极和第二电极之间并包括硫族化物的开关材料层。开关材料层包括芯部分和覆盖芯部分的侧表面的壳部分。壳部分包括具有比芯部分的电阻大的电阻的材料，例如在芯部分和壳部分中的至少一个中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103579310B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201310073946.6
申请日：2013-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/16 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/4908 , H01L29/66045 , H01L29/66742 , H01L29/78 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了晶体管和该晶体管的制造方法。晶体管可以包括石墨烯和由石墨烯转变的材料。该晶体管可以包括沟道层和栅绝缘层，该沟道层包括石墨烯，该栅绝缘层包括由石墨烯转变的材料。由石墨烯转变的材料可以是氟化石墨烯。沟道层可以包括图案化的石墨烯区域。图案化的石墨烯区域可以通过由石墨烯转变的区域来限定。图案化的石墨烯区域可具有纳米带或纳米网结构。晶体管的栅极可以包括石墨烯。
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公开(公告)号：CN106328708A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610102164.4
申请日：2016-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01N27/4141 , C30B25/04 , C30B29/46 , C30B29/60 , H01L21/02568 , H01L21/0259 , H01L21/02614 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/3065 , H01L29/0665 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/778 , H01L29/7851 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/78696 , H01L29/785
Abstract: 本发明涉及包括二维材料结构的装置及形成该二维材料结构的方法。其中一种晶体管包括：基板；包括基本上垂直地排列在基板上的至少一层的二维材料结构，使得所述至少一层的边缘在基板上并且所述至少一层基本上垂直于基板延伸；源电极和漏电极，连接到二维材料结构的相反端；栅绝缘层，在源电极和漏电极之间的二维材料结构上；和在栅绝缘层上的栅电极。所述至少一层的每个包括具有二维晶体结构的半导体。
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公开(公告)号：CN105590665A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510770231.5
申请日：2015-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23F1/32 , D06M15/564 , D06M23/005 , D06M2101/00 , G06F3/041 , G06F3/0412 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , G06F2203/04112 , H01L29/0673 , H01L29/413 , H01L31/022491 , H01L33/42 , H01B5/14 , H01B13/00
Abstract: 实例实施方式涉及纳米结构体、其制备方法及包括该纳米结构体的面板单元，所述纳米结构体包括导电区和非导电区，其中所述导电区包括至少一根第一纳米线，和所述非导电区包括至少一根至少部分地截断的第二纳米线。
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公开(公告)号：CN103579043A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310124248.4
申请日：2013-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/66045 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/05 , C01B32/186 , C25B1/00 , C25B9/00 , C25D17/00 , C25F5/00 , C25F7/00
Abstract: 本发明提供一种石墨烯器件制造装置和使用该装置的石墨烯器件制造方法。该石墨烯器件制造装置包括：电极；石墨烯结构，包括基板、形成在基板上的金属催化剂层、形成在金属催化剂层上的石墨烯层、以及形成在石墨烯层上的保护层；电源单元，在电极和金属催化剂层之间施加电压；槽，容纳电极和石墨烯结构；以及在槽中准备的电解液。
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公开(公告)号：CN103227201A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310007163.8
申请日：2013-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L21/6835 , H01L29/41758 , H01L29/41775 , H01L29/42384 , H01L29/66787 , H01L29/778 , H01L29/7831 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68381
Abstract: 本公开提供了晶体管及其制造方法。该晶体管可以包括：在基板上的栅极；沟道层，具有覆盖栅极的至少一部分的三维（3D）沟道区域；源极电极，接触沟道层的第一区域；以及漏极电极，接触沟道层的第二区域。
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