公开(公告)号：CN112713208A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202010679051.7

申请日：2020-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李政烨 ,  高雄 ,  李昌承 ,  朴弘圭 ,  白瓒郁 ,  李泓锡 ,  周原提

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  H01L27/146

Abstract: 本公开提供了超光学器件及其制造方法以及电子装置。一种配置为感测入射光的超光学器件包括多个纳米棒，每个纳米棒具有比入射光的波长小的形状尺寸。每个纳米棒包括第一导电类型半导体层、本征半导体层以及第二导电类型半导体层。超光学器件可以分离并感测入射光的波长。

公开(公告)号：CN107025953A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201610991612.0

申请日：2016-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹轮成 ,  孙熙尚 ,  辛源镐 ,  赵恩亨 ,  郭灿 ,  朴贤哲 ,  曹永真 ,  高东秀 ,  高雄 ,  金光熙

IPC: H01B5/14 ,  H01B1/04 ,  B82Y30/00

Abstract: 示例性实施方式提供透明电极和包括其的电子器件，所述透明电极包括基底、形成于所述基底上并且包括由石墨烯或其衍生物形成的网状结构体的第一层、和形成于所述第一层上的第二层，其中石墨烯网状结构体包括多个孔并且所述第二层包括多个导电纳米线。

公开(公告)号：CN112713208B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202010679051.7

申请日：2020-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李政烨 ,  高雄 ,  李昌承 ,  朴弘圭 ,  白瓒郁 ,  李泓锡 ,  周原提

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  H01L27/146

Abstract: 本公开提供了超光学器件及其制造方法以及电子装置。一种配置为感测入射光的超光学器件包括多个纳米棒，每个纳米棒具有比入射光的波长小的形状尺寸。每个纳米棒包括第一导电类型半导体层、本征半导体层以及第二导电类型半导体层。超光学器件可以分离并感测入射光的波长。

公开(公告)号：CN107025953B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201610991612.0

申请日：2016-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹轮成 ,  孙熙尚 ,  辛源镐 ,  赵恩亨 ,  郭灿 ,  朴贤哲 ,  曹永真 ,  高东秀 ,  高雄 ,  金光熙

IPC: H01B5/14 ,  H01B1/04 ,  B82Y30/00

Abstract: 示例性实施方式提供透明电极和包括其的电子器件，所述透明电极包括基底、形成于所述基底上并且包括由石墨烯或其衍生物形成的网状结构体的第一层、和形成于所述第一层上的第二层，其中石墨烯网状结构体包括多个孔并且所述第二层包括多个导电纳米线。