-
公开(公告)号：CN103165608B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210543865.3
申请日：2012-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L23/528 , H01L23/5226 , H01L27/0203 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/11 , H01L27/228 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L29/4236 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本申请提供了数据存储器件及其制造方法。该器件可以包括：多个单元选择部，形成在基板中；板导电图案，覆盖单元选择部且电连接到单元选择部的第一端子；多个贯通柱，穿透板导电图案且与板导电图案绝缘；以及多个数据存储部，分别直接连接到多个贯通柱。数据存储部可以分别电连接到单元选择部的第二端子。
-
公开(公告)号：CN105702284A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510919424.2
申请日：2015-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李宰圭
IPC: G11C13/00
Abstract: 公开了具有独立感测电路的半导体存储器件以及相关感测方法。用于半导体存储器件的感测电路包括具有第一端和第二端的位线、感测线、电流供应单元和感测放大器。多个存储单元连接在第一端与第二端之间。感测线连接到位线的第二端，电流供应单元经由位线的第一端供应感测电流的。当感测电流从位线的第一端流到所选择的存储单元时，感测放大器通过将感测线的感测电压与参考电压相比较来感测存储在所选择的存储单元中的数据。
-
公开(公告)号：CN103311264A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310072970.8
申请日：2013-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24
CPC classification number: H01L45/00 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 本公开提供了半导体器件。该半导体器件包括：第一半导体层，在基板上且在第一方向上延伸；多个第二半导体层，在第一半导体层上且在第一方向上间隔开；以及绝缘层结构，围绕第一半导体层的侧壁和多个第二半导体层的侧壁。第一半导体层可以具有第一导电类型，多个第二半导体层可以具有第二导电类型。
-
公开(公告)号：CN103165608A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210543865.3
申请日：2012-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L23/528 , H01L23/5226 , H01L27/0203 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/11 , H01L27/228 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L29/4236 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了数据存储器件及其制造方法。该器件可以包括：多个单元选择部，形成在基板中；板导电图案，覆盖单元选择部且电连接到单元选择部的第一端子；多个贯通柱，穿透板导电图案且与板导电图案绝缘；以及多个数据存储部，分别直接连接到多个贯通柱。数据存储部可以分别电连接到单元选择部的第二端子。
-
公开(公告)号：CN103137173A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210507899.7
申请日：2012-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C8/10 , G11C8/08 , G11C11/16 , G11C11/1653 , G11C11/1659
Abstract: 本发明提供了高密度半导体存储器件。该器件可以包括：单元阵列区，包括下结构、上结构和选择结构，该选择结构插置在下结构与上结构之间并且包括多个字线；以及解码电路，用于控制施加到字线的电压。该解码电路可以配置为响应于输入到其的字线地址信息而将第一电压施加到彼此相邻的一对字线并且将不同于第一电压的第二电压施加到剩余的字线。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1239819A
公开(公告)日：1999-12-29
申请号：CN99109051.9
申请日：1999-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/10844 , H01L21/823462
Abstract: 一种用于制造具有不同栅氧化物层的半导体器件的方法。根据有源区尺寸控制氧化作用，从而使氧化物在较宽有源宽度(外围区)生长得薄，而在较窄有源宽度(单元阵列区)生长得厚。在具有不同有源区的半导体衬底上形成栅图形。形成栅间隔层，然后进行与有源尺寸相关的氧化工艺，从而生长不同的氧化物层。
-
公开(公告)号：CN119071657A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410686950.8
申请日：2024-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李宰圭
IPC: H04N25/57 , H01L27/146 , H04N25/532 , H04N25/59 , H04N25/40
Abstract: 提供了图像像素、图像传感器以及图像传感器的操作方法。所述图像像素包括：光电转换元件；公共电路，包括被配置为从光电转换元件接收电荷的浮置扩散节点，并且被配置为基于浮置扩散节点的电压将输出电压传输到第一节点；采样电路，包括被配置为存储第一节点的输出电压的第一电容器和第二电容器；以及第一晶体管，将第一电容器或第二电容器中的至少一个电连接到浮置扩散节点。
-
公开(公告)号：CN118200756A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311694313.7
申请日：2023-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种具有高动态范围的图像传感器。根据本发明构思的一些示例实施例的所述图像传感器可在全局快门模式下进行操作，并且每个像素电路可支持高转换增益(HCG)模式和低转换增益(LCG)模式，以便具有高动态范围(HDR)。因此，根据本发明构思的一些示例实施例的所述图像传感器可具有HDR并且可生成高质量图像。
-
公开(公告)号：CN118173563A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311286691.1
申请日：2023-10-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/70 , H04N25/77
Abstract: 公开了一种图像传感器。所述图像传感器包括：光电转换元件，在第一半导体基底中；第二半导体基底，在第一半导体基底上；源极跟随器晶体管，在第二半导体基底上；以及贯穿插塞，穿透第二半导体基底。贯穿插塞将光电转换元件电连接到源极跟随器晶体管。源极跟随器晶体管的源极端子电连接到第二半导体基底。
-
公开(公告)号：CN109801932B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN201811358377.9
申请日：2018-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/70 , H04N25/67
Abstract: 一种图像传感器和一种电子装置，该图像传感器包括：多个像素，所述多个像素的每个像素包括光电二极管和对应于光电二极管的转移晶体管、复位晶体管、源极跟随器晶体管和选择晶体管；多个第一互连线，所述多个第一互连线连接到转移晶体管、复位晶体管和选择晶体管的栅极，所述多个第一互连线在第一方向上延伸；以及连接到选择晶体管的源极区的多个第二互连线，所述多个第二互连线在交叉第一方向的第二方向上延伸，其中所述多个第一互连线或所述多个第二互连线在其中安置像素的像素区域之外的外围区域上包括虚设线。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
50
records
(took 0.039 seconds)
