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公开(公告)号：CN103811513A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310538289.8
申请日：2013-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：下部线、交叉下部线的上部线、提供在下部线和上部线之间的交叉点处的选择元件、以及提供在选择元件和上部线之间的存储元件。每个存储元件可以包括下电极和数据存储层，该下电极具有大于底部宽度的顶部宽度，该数据存储层包括层叠在下电极的顶表面上并且具有圆化的边缘的多个磁性层。
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公开(公告)号：CN110581129B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201910119597.4
申请日：2019-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件可以包括：多个有源区域，在基板上在第一方向上延伸；第一栅极结构和第二栅极结构，在第一方向上彼此间隔开并在基板上在交叉所述多个有源区域的第二方向上延伸；层间绝缘层，覆盖在第一栅极结构和第二栅极结构周围；以及栅极间切割层，在第一方向上穿过第一栅极结构和第二栅极结构以及层间绝缘层，该栅极间切割层包括绝缘材料，其中第一栅极结构和第二栅极结构由栅极间切割层切割，其中在切割第一栅极结构和第二栅极结构的区域处的栅极间切割层的底表面的水平面低于层间绝缘层中的栅极间切割层的底表面的水平面。
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公开(公告)号：CN109841728B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN201811432213.6
申请日：2018-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10N50/10
Abstract: 一种磁存储器件包括在衬底上的下部层间绝缘层、以及多个磁隧道结图案，所述多个磁隧道结图案在下部层间绝缘层上并在平行于衬底的顶表面延伸的方向上彼此隔离。下部层间绝缘层包括上表面，该上表面包括凹入表面和顶表面，凹入表面至少部分地限定相邻磁隧道结图案之间的凹陷区域的内侧壁和底表面，使得凹入表面至少部分地限定该凹陷区域。所述内侧壁相对于衬底的顶表面以锐角倾斜，并且所述底表面具有在垂直于衬底的顶表面延伸的方向上朝向衬底的顶表面凸起的形状。
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公开(公告)号：CN109935683B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201811432190.9
申请日：2018-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10N50/10
Abstract: 一种半导体器件包括：顺序地堆叠在衬底上的第一下绝缘夹层、保护绝缘层和第一上绝缘夹层，以及穿透第一上绝缘夹层、保护绝缘层和第一下绝缘夹层的导电图案。导电图案包括线部分和接触部分，线部分沿与衬底的上表面平行的方向延伸，接触部分从线部分朝衬底延伸。接触部分彼此分开且其间具有绝缘图案。绝缘图案包括第一上绝缘夹层、保护绝缘层和第一下绝缘夹层的每个的一部分。绝缘图案的至少一部分具有台阶状的轮廓。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115966609A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211189232.7
申请日：2022-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括：第一栅电极和第二栅电极，各自在衬底上并在第一方向上延伸；第一和第二源极/漏极图案，在与第一栅电极交叉的第二方向上与第一栅电极和第二栅电极间隔开的第一和第二源极/漏极图案；以及有源接触，与第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案的顶表面共同连接。有源接触包括在第一源极/漏极图案上的第一部分和在第二源极/漏极图案上的第二部分。该器件包括在第二方向上延伸以将第一栅电极与第二栅电极分隔开的绝缘分隔图案，有源接触包括第三部分，该第三部分延伸到绝缘分隔图案的底表面下方的区域以将有源接触的第一部分和第二部分彼此连接。
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公开(公告)号：CN114639735A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111400333.X
申请日：2021-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体器件包括：栅极图案，在基板上并且包括顺序堆叠的栅极电介质层、栅电极和栅极盖图案；在栅极图案的侧壁上的栅极间隔物；在基板中的源极/漏极图案；在源极/漏极图案上的接触焊盘；在接触焊盘上的源极/漏极接触；以及在栅极间隔物和源极/漏极接触之间的掩埋电介质图案，其中栅极间隔物包括：在栅电极和接触焊盘之间的第一段；从第一段延伸并在栅电极和源极/漏极接触之间的第二段；以及在第二段上的第三段，掩埋电介质图案在第三段和源极/漏极接触之间，不存在于第一段和接触焊盘之间并且不存在于第二段和源极/漏极接触之间。
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公开(公告)号：CN110416210A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910206680.5
申请日：2019-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L23/528 , H01L21/8234
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；栅极结构，位于基底上；第一蚀刻停止层、第二蚀刻停止层和层间绝缘层，堆叠在栅极结构上；以及接触插塞，穿透层间绝缘层、第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层并且接触栅极结构的侧壁。接触插塞包括具有第一宽度的下部和具有第二宽度的上部。接触插塞的下表面具有台阶形状。
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公开(公告)号：CN109216542A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810296008.5
申请日：2018-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴钟撤
CPC classification number: H01L27/2463 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/008 , G11C2213/71 , G11C2213/73 , H01L27/2427 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1675 , H01L45/00 , G11C13/00
Abstract: 公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法。该可变电阻存储器件包括：第一导电线，在衬底上在第一方向上延伸；第二导电线，在第一导电线上并在交叉第一方向的第二方向上延伸；以及存储单元柱，在第一导电线与第二导电线之间的交叉点处连接到第一导电线和第二导电线，并包括加热电极层和接触加热电极层的可变电阻层，使得加热电极层的两个侧壁在第一方向上与第一导电线的两个侧壁对准。
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公开(公告)号：CN106972098A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610900409.8
申请日：2016-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L43/12
CPC classification number: H01L43/12
Abstract: 此处提供一种制造磁存储器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成磁性隧道结图案；在衬底上形成层间绝缘层以覆盖磁性隧道结图案；在层间绝缘层上形成导电层；图案化导电层以形成电连接到磁性隧道结图案的互连图案；以及在互连图案上执行清洁工艺。清洁工艺使用第一气体和第二气体的气体混合物执行。第一气体包含氢元素(H)，以及第二气体包含不同于第一气体的源气体。
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