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公开(公告)号：CN109768043A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811324302.9
申请日：2018-11-08
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/11 , H01L27/092
摘要： 一种半导体器件包括：基板，包括有源图案；器件隔离层，填充一对相邻的有源图案之间的沟槽；栅极电极，在有源图案上；以及栅极接触，在栅极电极上。每个有源图案包括在栅极电极的相反两侧的源极/漏极图案。栅极接触包括第一部分以及第二部分，第一部分与栅极电极竖直地交叠，第二部分从第一部分横向地延伸以使得第二部分与器件隔离层竖直交叠而不与栅极电极竖直交叠。第二部分的底表面相对于第一部分的底表面在基板的远端。第二部分的底表面相对于邻近第二部分的源极/漏极图案的顶部在基板的远端。
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公开(公告)号：CN109119406B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201810383864.4
申请日：2018-04-26
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了一种包括电阻器结构的半导体器件，该半导体器件包括：衬底，其具有垂直于第一方向的上表面；电阻器结构，其包括在衬底上的第一绝缘层、在第一绝缘层上的电阻器层和在电阻器层上的第二绝缘层；以及电阻器接触，其穿透第二绝缘层和电阻器层。电阻器接触的侧壁相对于第一方向的倾斜角根据离衬底的高度而变化。该半导体器件具有低的接触电阻和窄的接触电阻变化。
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公开(公告)号：CN109119406A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810383864.4
申请日：2018-04-26
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了一种包括电阻器结构的半导体器件，该半导体器件包括：衬底，其具有垂直于第一方向的上表面；电阻器结构，其包括在衬底上的第一绝缘层、在第一绝缘层上的电阻器层和在电阻器层上的第二绝缘层；以及电阻器接触，其穿透第二绝缘层和电阻器层。电阻器接触的侧壁相对于第一方向的倾斜角根据离衬底的高度而变化。该半导体器件具有低的接触电阻和窄的接触电阻变化。
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公开(公告)号：CN115966609A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211189232.7
申请日：2022-09-28
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/423
摘要： 一种半导体器件包括：第一栅电极和第二栅电极，各自在衬底上并在第一方向上延伸；第一和第二源极/漏极图案，在与第一栅电极交叉的第二方向上与第一栅电极和第二栅电极间隔开的第一和第二源极/漏极图案；以及有源接触，与第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案的顶表面共同连接。有源接触包括在第一源极/漏极图案上的第一部分和在第二源极/漏极图案上的第二部分。该器件包括在第二方向上延伸以将第一栅电极与第二栅电极分隔开的绝缘分隔图案，有源接触包括第三部分，该第三部分延伸到绝缘分隔图案的底表面下方的区域以将有源接触的第一部分和第二部分彼此连接。
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公开(公告)号：CN108364937B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN201810077733.3
申请日：2018-01-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/64 , H01L21/768
摘要： 本发明提供了包括满足电阻器件的期望目标电阻值的电阻结构且具有增强的特性的半导体器件。一种半导体器件包括：下层间绝缘层，设置在包括电阻区域的基板上；电阻结构，包括顺序地堆叠在电阻区域的下层间绝缘层上的电阻层和蚀刻停止图案；上层间绝缘层，配置为覆盖电阻结构并设置在下层间绝缘层上；电阻接触结构，配置为穿过上层间绝缘层和蚀刻停止图案并接触电阻层；以及电阻接触间隔物，设置在上层间绝缘层和蚀刻停止图案与电阻接触结构之间。
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公开(公告)号：CN109768043B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201811324302.9
申请日：2018-11-08
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H10B10/00 , H01L27/092
摘要： 一种半导体器件包括：基板，包括有源图案；器件隔离层，填充一对相邻的有源图案之间的沟槽；栅极电极，在有源图案上；以及栅极接触，在栅极电极上。每个有源图案包括在栅极电极的相反两侧的源极/漏极图案。栅极接触包括第一部分以及第二部分，第一部分与栅极电极竖直地交叠，第二部分从第一部分横向地延伸以使得第二部分与器件隔离层竖直交叠而不与栅极电极竖直交叠。第二部分的底表面相对于第一部分的底表面在基板的远端。第二部分的底表面相对于邻近第二部分的源极/漏极图案的顶部在基板的远端。
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公开(公告)号：CN115966570A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211247071.2
申请日：2022-10-12
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
摘要： 一种半导体器件，包括：有源区，该有源区包括第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区彼此平行并在第一方向上延伸；栅结构，包括第一栅结构和第二栅结构，第一栅结构与第一有源区相交，在第二方向上延伸并彼此平行，第二栅结构与第二有源区相交，并在第二方向上与第一栅结构相对；第一栅结构和第二栅结构之间的栅隔离图案；栅结构的至少一侧上的源/漏区；以及公共接触插塞，电连接到源/漏区，其中，栅隔离图案包括下区域和上区域，上区域在第三方向上从下区域延伸，并在第一方向上彼此间隔开，其中，上区域在第一栅结构和第二栅结构之间。
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公开(公告)号：CN108364937A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810077733.3
申请日：2018-01-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/64 , H01L21/768
摘要： 本发明提供了包括满足电阻器件的期望目标电阻值的电阻结构且具有增强的特性的半导体器件。一种半导体器件包括：下层间绝缘层，设置在包括电阻区域的基板上；电阻结构，包括顺序地堆叠在电阻区域的下层间绝缘层上的电阻层和蚀刻停止图案；上层间绝缘层，配置为覆盖电阻结构并设置在下层间绝缘层上；电阻接触结构，配置为穿过上层间绝缘层和蚀刻停止图案并接触电阻层；以及电阻接触间隔物，设置在上层间绝缘层和蚀刻停止图案与电阻接触结构之间。
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