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公开(公告)号：CN1722382A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510083364.1
申请日：2005-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴永洙 , 朴玩濬 , 亚历山大·A·萨拉宁 , 安德雷·V·佐托夫
IPC: H01L21/3205
CPC classification number: B82Y20/00 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , Y10S977/742 , Y10S977/777
Abstract: 提供了形成在氧化硅上的纳米点及其制造方法。所述纳米点包括：硅衬底；形成在所述硅衬底上的氧化硅层；以及均匀排列在所述氧化硅层上的多个纳米点。包括所述纳米点的光学器件或半导体器件的阈值电流减小并且保持特性得到改善。
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公开(公告)号：CN1681040A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200410075897.0
申请日：2004-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/14 , G11C7/062 , G11C11/1659 , G11C11/1673
Abstract: 一种磁随机存取存储器(MRAM)以及从所述的MRAM中读取数据的方法，该磁随机存取存储器包括具有一个晶体管和一个磁隧道结(MTJ)层的存储单元和当读取存储在存储单元的数据时作为基准的参考单元，其中参考单元包括彼此并联连接的第一和第二MTJ层；和彼此并联连接的第一和第二晶体管，第一和第二晶体管分别串联到第一和第二MTJ层。所述的第一和第二晶体管也可以被一个具有对应于存储单元的晶体管两倍驱动能力的晶体管所代替。此外，第一和第二晶体管与第一和第二MTJ层的位置也可以互换。
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公开(公告)号：CN1527115A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200310124902.8
申请日：2003-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78603 , G02F1/133305 , G02F1/136227 , G02F2201/50 , H01L23/3192 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L27/1214 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L29/66757 , H01L51/5253 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2251/5338 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01009 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01058 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种在柔性基底上实现的薄膜半导体器件、使用该器件的电子器件、及其制造方法。该薄膜半导体器件包括一柔性基底、一形成在柔性基底上的半导体芯片、以及一密封该半导体芯片的保护盖层。该电子器件包括一柔性基底和形成在柔性基底上的半导体芯片，还包括密封半导体芯片的保护盖层。由于使用了保护盖层，提高了薄膜半导体器件抵抗基底弯曲所产生的应力的耐用性。
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公开(公告)号：CN1462036A
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN03104485.9
申请日：2003-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00
Abstract: 一种磁阻随机存取存储器，包括MOS晶体管、下电极、第一磁层、介电阻挡层、第二磁层、上电极、第二栅极及位线。MOS晶体管由在半导体衬底上的第一栅极和源结及漏结构成。下电极和源结相连。第一磁层形成在下电极上。介电阻挡层形成在第一磁层上，并至少包括铝和铪，和第一磁层一道形成势阱。第二磁层形成在和第一磁层相对的介电阻挡层上。上电极形成在第二磁层上。第二栅极插在第一栅极和下电极之间，用于控制第一磁层和第二磁层中之一的磁数据。位线和第一栅极垂直，和上电极实现电连接。如添加有铪的氧化铝层这种氧化层作为阻挡层，则可改善阻挡层的特性，从而增加磁阻比。可改善磁阻随机存取存储器的数据存储能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100533744C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200610004871.6
申请日：2006-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/78
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C11/56 , G11C2213/17 , H01L29/42332 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7887 , H01L29/7923 , H01L51/0048 , H01L51/0554 , Y10S977/938 , Y10S977/943
Abstract: 本发明涉及使用碳纳米管沟道的多位非易失性存储器件及其操作方法。该多位非易失性存储器件包括：由至少一个碳纳米管形成且在一方向上延伸的沟道；源极和漏极，其沿该沟道延伸的该方向彼此隔开布置，且接触该沟道的不同部分；形成在该沟道之下的第一存储节点；形成在该沟道上的第二存储节点；形成在该第一存储节点之下的第一栅极电极；以及形成在该第二存储节点上的第二栅极电极。
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公开(公告)号：CN100462823C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200310124902.8
申请日：2003-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78603 , G02F1/133305 , G02F1/136227 , G02F2201/50 , H01L23/3192 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L27/1214 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L29/66757 , H01L51/5253 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2251/5338 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01009 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01058 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种在柔性基底上实现的薄膜半导体器件、使用该器件的电子器件、及其制造方法。该薄膜半导体器件包括一柔性基底、一形成在柔性基底上的半导体芯片、一密封该半导体芯片的保护盖层、以及一形成在该保护盖层上的绝缘区。该电子器件包括一柔性基底和形成在柔性基底上的半导体芯片，还包括密封半导体芯片的保护盖层和形成在该保护盖层上的绝缘区。由于使用了保护盖层，提高了薄膜半导体器件抵抗基底弯曲所产生的应力的耐用性。
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公开(公告)号：CN1925166A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610092400.5
申请日：2006-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/115 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C23/00 , G11C2213/16 , Y10S977/742 , Y10S977/743 , Y10S977/842
Abstract: 本发明公开了一种纳米弹性存储装置及其制造方法。所述纳米弹性存储装置包括：基底；布置在所述基底上的多个下电极；支承单元，在具有暴露所述下电极的空腔的基底上以预定厚度由绝缘材料形成；纳米弹性体，在所述空腔中从所述下电极的表面竖直延伸；和多个上电极，形成于所述支承单元上，并且在所述纳米弹性体上面与所述下电极垂直交叉。使用纳米弹性存储装置可以在比使用多个带型纳米管的传统存储装置低的驱动电压下运行，存储单元不相互影响，可靠性更高，集成度更高。
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公开(公告)号：CN1891624A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610007135.6
申请日：2006-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/17 , H01J2201/30469 , Y10S977/84 , Y10S977/842 , Y10S977/845
Abstract: 提供一种从碳纳米管(CNT)中选择性除去碳质杂质的方法。在该方法中，通过杂质和硫在密闭空间中的硫化反应除去在CNT表面上形成的杂质。更具体地，提供选择性地仅除去无定形碳的方法，通过该方法，碳纳米管壁不与硫反应，且仅有在CNT表面上形成的碳质杂质发生硫化反应(C+2S－－>CS2)，即，提供了通过硫化作用从结合到装置中的CNT中选择性地除去碳质杂质的方法。
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公开(公告)号：CN1558422A
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN200410003614.1
申请日：2004-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , H01F10/324
Abstract: 提供一种磁阻随机存取存储器。该磁阻随机存取存储器包括一个磁化矢量方向为固定的第一磁性层，一个在位置上与第一磁性层平行、一个磁化矢量方向可以被反转的第二磁性层，插入第一磁性层和第二磁性层之间的非磁性层，该第二磁性层的纵横比为2或更小，厚度为5nm或更小，饱和磁化强度为800emu/cm3或更小。磁阻随机存取存储器具有无转折点、磁致电阻的特性，因而表现了无需考虑处理能力的高选择性。
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