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公开(公告)号：CN1226722C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN02101586.4
申请日：2002-01-10
IPC: G11B5/62
CPC classification number: G11B5/64 , Y10S428/90 , Y10T428/12465 , Y10T428/12854 , Y10T428/265
Abstract: 提供了一种垂直磁记录介质。该垂直磁记录介质具有一个用于引起一个垂直磁记录层的垂直取向的底层，它被叠置在一个基底与该垂直磁记录层之间，且该垂直磁记录层的厚度被控制在大于等于5nm、小于30nm之内以具有一个负的成核场。
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公开(公告)号：CN1366298A
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：CN02101586.4
申请日：2002-01-10
IPC: G11B5/62
CPC classification number: G11B5/64 , Y10S428/90 , Y10T428/12465 , Y10T428/12854 , Y10T428/265
Abstract: 提供了一种垂直磁记录介质。该垂直磁记录介质具有一个用于引起一个垂直磁记录层的垂直取向的底层,它被叠置在一个基底与该垂直磁记录层之间,且该垂直磁记录层的厚度被控制在5－40nm之内以具有一个负的成核场。
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公开(公告)号：CN101025932B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200610131736.8
申请日：2006-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供了垂直磁记录介质。垂直磁记录介质包括：基板；形成在基板上的第一软磁衬层；形成在第一软磁衬层上并且具有垂直磁各向异性的垂直各向异性中间层；形成在垂直各向异性中间层上的第二软磁衬层；以及形成在第二软磁衬层上的垂直磁记录层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101025932A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610131736.8
申请日：2006-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供了垂直磁记录介质。垂直磁记录介质包括：基板；形成在基板上的第一软磁衬层；形成在第一软磁衬层上并且具有垂直磁各向异性的垂直各向异性中间层；形成在垂直各向异性中间层上的第二软磁衬层；以及形成在第二软磁衬层上的垂直磁记录层。
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公开(公告)号：CN101388222B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810098710.7
申请日：2008-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种垂直磁记录介质及其制造方法。所述垂直磁记录介质包括：衬底；形成于所述衬底上的软磁层；形成于所述软磁层上的衬层；以及包括多个铁磁层并且形成于所述衬层上的记录层，其中，所述多个铁磁层中的每者具有随着与所述衬层的距离的增大而降低的磁各向异性能。
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公开(公告)号：CN101388222A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810098710.7
申请日：2008-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种垂直磁记录介质及其制造方法。所述垂直磁记录介质包括：衬底；形成于所述衬底上的软磁层；形成于所述软磁层上的衬层；以及包括多个铁磁层并且形成于所述衬层上的记录层，其中，所述多个铁磁层中的每者具有随着与所述衬层的距离的增大而降低的磁各向异性能。
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公开(公告)号：CN100440372C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN03104485.9
申请日：2003-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00
Abstract: 一种磁阻随机存取存储器，包括MOS晶体管、下电极、第一磁层、介电阻挡层、第二磁层、上电极、第二栅极及位线。MOS晶体管由在半导体衬底上的第一栅极和源结及漏结构成。下电极和源结相连。第一磁层形成在下电极上。介电阻挡层形成在第一磁层上，并至少包括铝和铪，和第一磁层一道形成势阱。第二磁层形成在和第一磁层相对的介电阻挡层上。上电极形成在第二磁层上。第二栅极插在第一栅极和下电极之间，用于控制第一磁层和第二磁层中之一的磁数据。位线和第一栅极垂直，和上电极实现电连接。如添加有铪的氧化铝层这种氧化层作为阻挡层，则可改善阻挡层的特性，从而增加磁阻比。可改善磁阻随机存取存储器的数据存储能力。
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公开(公告)号：CN1462036A
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN03104485.9
申请日：2003-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00
Abstract: 一种磁阻随机存取存储器，包括MOS晶体管、下电极、第一磁层、介电阻挡层、第二磁层、上电极、第二栅极及位线。MOS晶体管由在半导体衬底上的第一栅极和源结及漏结构成。下电极和源结相连。第一磁层形成在下电极上。介电阻挡层形成在第一磁层上，并至少包括铝和铪，和第一磁层一道形成势阱。第二磁层形成在和第一磁层相对的介电阻挡层上。上电极形成在第二磁层上。第二栅极插在第一栅极和下电极之间，用于控制第一磁层和第二磁层中之一的磁数据。位线和第一栅极垂直，和上电极实现电连接。如添加有铪的氧化铝层这种氧化层作为阻挡层，则可改善阻挡层的特性，从而增加磁阻比。可改善磁阻随机存取存储器的数据存储能力。
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