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公开(公告)号：CN101093673A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710085011.4
申请日：2007-02-28
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本发明提供了一种垂直磁记录媒质。该垂直磁记录媒质包括：形成在衬底上的垂直磁记录层；和至少一个软磁衬层，形成在该衬底与垂直磁记录层之间，其中所述软磁衬层由非磁材料和磁材料的合金形成，该磁材料以粒状纳米颗粒的形式存在于非磁材料的基体中，且该磁纳米颗粒以规则间距彼此分隔，从而相互形成反铁磁耦合。在根据本发明的垂直磁记录媒质中，由于形成软磁衬层的磁材料以小颗粒形式存在于非磁基体中且粒状颗粒相互形成反铁磁耦合，因此可以抑制多颗粒畴的形成，从而使软磁衬层的噪声最小化。
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公开(公告)号：CN101046982B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200610166906.6
申请日：2006-12-12
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G11B5/667
摘要： 本发明提供一种磁记录介质。该磁记录介质包括：衬底；垂直磁记录层，形成在该衬底之上；第一软磁衬层，设置在该垂直磁记录层与该衬底之间；第二软磁衬层，设置在该第一软磁衬层与该垂直磁记录层之间；以及隔离层，设置在该第一软磁衬层与该第二磁层之间且阻止该第一软磁衬层和该第二软磁衬层之间的磁相互作用，其中该第二软磁衬层的各向异性场Hk大于该第一软磁衬层的各向异性场Hk。为了增大第二软磁衬层的各向异性场，该第二软磁衬层可具有反铁磁耦合结构。信噪比(SNR)和记录密度可通过分流软磁衬层的磁畴壁产生的磁场且防止磁场到达磁头而显著增大。
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公开(公告)号：CN101034559B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200610148546.7
申请日：2006-11-16
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G11B5/667 , Y10T428/24942
摘要： 本发明提供一种垂直磁记录介质，包括：衬底；垂直磁记录介质，形成在所述衬底之上；软磁衬层，设置在所述衬底和所述垂直磁记录层之间；分流层，设置在所述软磁衬层之下；及隔离层，设置在所述软磁衬层和所述分流层之间并提供所述分流层和形成在所述分流层之上的其它层之间的磁隔离。分流层与形成在该分流层之上的其它磁层磁隔离，并且使软磁衬层的磁畴壁产生的磁场分流从而该磁场不能到达磁头，由此增加信噪比(SNR)。
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公开(公告)号：CN101046982A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610166906.6
申请日：2006-12-12
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G11B5/667
摘要： 本发明提供一种磁记录介质。该磁记录介质包括：衬底；垂直磁记录层，形成在该衬底之上；第一软磁衬层，设置在该垂直磁记录层与该衬底之间；第二软磁衬层，设置在该第一软磁衬层与该垂直磁记录层之间；以及隔离层，设置在该第一软磁衬层与该第二磁层之间且阻止该第一软磁衬层和该第二软磁衬层之间的磁相互作用，其中该第二软磁衬层的各向异性场Hk大于该第一软磁衬层的各向异性场Hk。为了增大第二软磁衬层的各向异性场，该第二软磁衬层可具有反铁磁耦合结构。信噪比(SNR)和记录密度可通过分流软磁衬层的磁畴壁产生的磁场且防止磁场到达磁头而显著增大。
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公开(公告)号：CN101388222B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810098710.7
申请日：2008-05-30
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本发明提供了一种垂直磁记录介质及其制造方法。所述垂直磁记录介质包括：衬底；形成于所述衬底上的软磁层；形成于所述软磁层上的衬层；以及包括多个铁磁层并且形成于所述衬层上的记录层，其中，所述多个铁磁层中的每者具有随着与所述衬层的距离的增大而降低的磁各向异性能。
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公开(公告)号：CN101093673B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200710085011.4
申请日：2007-02-28
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本发明提供了一种垂直磁记录媒质。该垂直磁记录媒质包括：形成在衬底上的垂直磁记录层；和至少一个软磁衬层，形成在该衬底与垂直磁记录层之间，其中所述软磁衬层由非磁材料和磁材料的合金形成，该磁材料以粒状纳米颗粒的形式存在于非磁材料的基体中，且该磁纳米颗粒以规则间距彼此分隔，从而相互形成反铁磁耦合。在根据本发明的垂直磁记录媒质中，由于形成软磁衬层的磁材料以小颗粒形式存在于非磁基体中且粒状颗粒相互形成反铁磁耦合，因此可以抑制多颗粒畴的形成，从而使软磁衬层的噪声最小化。
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公开(公告)号：CN101388222A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810098710.7
申请日：2008-05-30
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了一种垂直磁记录介质及其制造方法。所述垂直磁记录介质包括：衬底；形成于所述衬底上的软磁层；形成于所述软磁层上的衬层；以及包括多个铁磁层并且形成于所述衬层上的记录层，其中，所述多个铁磁层中的每者具有随着与所述衬层的距离的增大而降低的磁各向异性能。
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公开(公告)号：CN101034559A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200610148546.7
申请日：2006-11-16
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G11B5/667 , Y10T428/24942
摘要： 本发明提供一种垂直磁记录介质，包括：衬底；垂直磁记录介质，形成在所述衬底之上；软磁衬层，设置在所述衬底和所述垂直磁记录层之间；分流层，设置在所述软磁衬层之下；及隔离层，设置在所述软磁衬层和所述分流层之间并提供所述分流层和形成在所述分流层之上的其它层之间的磁隔离。分流层与形成在该分流层之上的其它磁层磁隔离，并且使软磁衬层的磁畴壁产生的磁场分流从而该磁场不能到达磁头，由此增加信噪比(SNR)。
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