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公开(公告)号：CN106981491A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710033439.8
申请日：2017-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L29/42328 , H01L29/42344 , H01L27/115
Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置和垂直非易失性存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：基底，包括单元阵列区域和连接区域；电极结构，包括交替地且竖直地堆叠在基底上的第一电极和第二电极，并且在连接区域上具有阶梯状结构。第一电极和第二电极中的每个可以包括：电极部分，设置在单元阵列区域上，以沿第一方向延伸，并且在垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开；电极连接部分，设置在连接区域上，以沿第二方向延伸并且使电极部分彼此水平地连接；突出，在连接区域上设置为从电极连接部分沿第一方向延伸，并且在第二方向上彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN106972024A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610909317.6
申请日：2016-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11578
CPC classification number: H01L29/1083 , H01L21/764 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L27/11578 , H01L27/11575
Abstract: 本公开提供了三维半导体器件。一种三维(3D)半导体器件包括：多个栅电极，在垂直于基板的顶表面的方向上层叠在基板上；沟道结构，穿过该多个栅电极并连接到基板；以及孔隙，设置在基板中并位于沟道结构下面。
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公开(公告)号：CN106910742A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201611067114.3
申请日：2016-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/11578
CPC classification number: H01L23/5283 , H01L21/76816 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L27/115
Abstract: 提供一种垂直存储器装置及其制造方法。所述装置可以包括栅极线结构，栅极线结构包括在第一方向上堆叠并在第二方向上延伸的栅极线。所述装置也可以包括第一台阶图案结构和第二台阶图案结构，第一台阶图案结构包括从栅极线延伸的延伸栅极线并包括第一台阶层，第二台阶图案结构接触第一台阶图案结构，包括延伸栅极线并包括第二台阶层。第n个延伸栅极线(n为偶数)可以设置在每一个第一台阶层的上部处，第n‑1个延伸栅极线可以设置在每一个第二台阶层的上部处。第n‑1个延伸栅极线的暴露部中的每一个用作焊盘区，焊盘区具有不同的面积。
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公开(公告)号：CN1825592A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610009420.1
申请日：2006-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L23/52 , H01L21/8239 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , H01L27/11529
Abstract: 在实施例中，存储器件包括具有单元阵列区和外围电路区的半导体衬底。包括位线接触插塞、公共源线、外围栅互连接触插塞、以及外围金属互连接触插塞的插塞由通过相同工艺的导电层构成。同样，包括直接连接到插塞的位线、单元金属互连、外围栅互连和外围金属互连的金属互连通过相同工艺的金属层构成。因此，简化了包括插塞和金属互连的互连结构，并因此简化了它们的形成过程。
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