公开(公告)号：CN106910742B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN201611067114.3

申请日：2016-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹石重 ,  李星勋 ,  韩智勋 ,  郑容沅 ,  曹盛纯

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供一种垂直存储器装置及其制造方法。所述装置可以包括栅极线结构，栅极线结构包括在第一方向上堆叠并在第二方向上延伸的栅极线。所述装置也可以包括第一台阶图案结构和第二台阶图案结构，第一台阶图案结构包括从栅极线延伸的延伸栅极线并包括第一台阶层，第二台阶图案结构接触第一台阶图案结构，包括延伸栅极线并包括第二台阶层。第n个延伸栅极线(n为偶数)可以设置在每一个第一台阶层的上部处，第n‑1个延伸栅极线可以设置在每一个第二台阶层的上部处。第n‑1个延伸栅极线的暴露部中的每一个用作焊盘区，焊盘区具有不同的面积。

公开(公告)号：CN106910742A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201611067114.3

申请日：2016-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹石重 ,  李星勋 ,  韩智勋 ,  郑容沅 ,  曹盛纯

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/11578

CPC classification number: H01L23/5283 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/115

Abstract: 提供一种垂直存储器装置及其制造方法。所述装置可以包括栅极线结构，栅极线结构包括在第一方向上堆叠并在第二方向上延伸的栅极线。所述装置也可以包括第一台阶图案结构和第二台阶图案结构，第一台阶图案结构包括从栅极线延伸的延伸栅极线并包括第一台阶层，第二台阶图案结构接触第一台阶图案结构，包括延伸栅极线并包括第二台阶层。第n个延伸栅极线(n为偶数)可以设置在每一个第一台阶层的上部处，第n‑1个延伸栅极线可以设置在每一个第二台阶层的上部处。第n‑1个延伸栅极线的暴露部中的每一个用作焊盘区，焊盘区具有不同的面积。