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公开(公告)号：CN109075041A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201680084099.5
申请日：2016-04-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 具本雄 , 维克拉姆·M·博斯尔 , 约翰·A·弗龙梯柔
IPC: H01L21/265 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开一种提高卤素系源气体的离子束品质的设备及各种方法。出乎意料地，将例如氩或氖等稀有气体引入至离子源腔室可增加所期望的离子物质的百分比，同时减少污染物及含卤素的离子的量。此在未经质量分析的离子植入机中尤其有益，于所述离子植入机中所有离子被植入至工件内。在一个实施例中，将包含加工物质及卤素的第一源气体引入至离子源腔室中，还引入包含氢化物的第二源气体及包含稀有气体的第三源气体。这三种源气体的组合与在不使用第三源气体时所将发生的相比，可产生具有更高百分比的纯加工物质离子的离子束。
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公开(公告)号：CN106030779B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201580009010.4
申请日：2015-02-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 罗杰·B·费许 , 史蒂芬·恩尔拉 , 陶德·路易斯·马克阿册恩
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种平台支撑结构以及平台，所述平台支撑结构被适配成使加热平台部分与冷底板绝热同时提供其间的基本上无泄漏的气体运输，且同时允许所述平台部分的热膨胀和收缩。所述支撑结构提供的各种实例提供：管状弯曲部，其具有内部气体导管；平台部分安装耳片，其连接到所述弯曲部并且具有与所述弯曲部的所述内部气体导管流体连通的内部气体输入狭槽，所述平台部分安装耳片适用于连接到平台的平台部分；以及底板安装耳片，其连接到所述弯曲部并且具有与所述弯曲部的所述内部气体导管流体连通的内部气体输出狭槽，所述底板安装耳片适用于连接到平台的底板。平台支撑结构提供加热平台部分与冷底板的强机械耦接、良好的热绝缘以及无泄漏气体运输。
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公开(公告)号：CN108780740A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780016912.X
申请日：2017-03-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , G03F1/74 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32357 , H01J37/32366 , H01J37/32403 , H01J37/32422 , H01L21/0337 , H01L21/3085 , H01L21/31144 , H01L21/76879 , H01L21/76883
Abstract: 本发明提供一种方法可包括：在衬底上提供表面特征，表面特征包括特征形状、特征位置及在衬底平面内沿第一方向的尺寸；在衬底特征上沉积包含层材料的层；以及在离子曝光中以入射角度朝衬底射出离子，入射角度相对于衬底平面的垂线形成非零角度，其中离子曝光包含离子及反应性不带电物质，离子曝光对层材料进行反应性蚀刻，其中离子撞击表面特征的第一部分且不撞击表面特征的第二部分，且其中产生改变后的表面特征，改变后的表面特征在以下中的至少一个方面不同于表面特征：沿第一方向的尺寸、特征形状或特征位置。
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公开(公告)号：CN105594083B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201480053863.3
申请日：2014-08-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 可赛格·D·特拉斯狄克 , 卡尔斯·L·史坦利 , 希马恩·飞三 , 皮尔·卢比克
IPC: H02H9/02
Abstract: 本发明提供一种固态故障电流限制器，固态故障电流限制器包含电流分离电抗器，电流分离电抗器包括系统电流输入端、无源电流输出端以及控制电流输出端。电压控制电抗器包含第一端部以及第二端部，第一端部耦合到控制电流输出端上并且第二端部耦合到无源电流输出端上。故障电流触发电路与电压控制电抗器并联耦合，并且经配置以在由系统电流输入端接收的故障电流超出预定触发电流时断开。瞬态电压控制电路与电压控制电抗器并联耦合以接收故障电流。该固态故障电流限制器可以为电路断路器提供减少的闪光电弧能，以及通过操作并处理较低的闪光电弧能获得的对应安全益处。
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公开(公告)号：CN108475679A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680074925.8
申请日：2016-11-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/768 , H01L29/78 , H01L29/66
CPC classification number: H01L27/10826 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/2633 , H01L21/26506 , H01L21/26586 , H01L21/28167 , H01L27/10879 , H01L29/42368
Abstract: 本文中提供用于形成动态随机存取存储器元件的栅极氧化物层的方法，所述方法包括：提供带鳍片基底，带鳍片基底中形成有凹槽；以及向凹槽的侧壁表面中执行离子植入，以形成具有非均匀厚度的栅极氧化物层，其中栅极氧化物层在侧壁表面的顶部区段处的厚度大于栅极氧化物层在侧壁表面的底部区段处的厚度。在某些方法中，将离子植入设置成以随着离子植入能量和/或离子剂量而变化的多个不同的植入角度进行的一系列离子植入，从而增大侧壁表面的顶部区段的栅极氧化物的厚度。在某些方法中，在离子植入期间或在离子植入之后也将带鳍片基底暴露至等离子体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108475609A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680074896.5
申请日：2016-12-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/08
Abstract: 本发明公开了一种具有经改善的温度控制的离子源。离子源的一部分位于散热器中的凹腔内，其中离子源的一部分以及凹腔分别塑形以使得离子源的膨胀导致与散热器发生高压热接触。举例来说，离子源可具有锥形的柱体端，锥形的柱体端适配于散热器中的凹腔内。离子源的热膨胀导致锥形的柱体端压靠在散热器的凹腔内。通过恰当地选择散热器的温度、经过散热器的冷却剂流体的温度及流量、以及散热器与离子源之间的间隙的尺寸，离子源的温度可得到控制。
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公开(公告)号：CN105378896B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201480039222.2
申请日：2014-07-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约翰·W·奎夫 , 具本雄 , 约翰·A·弗龙梯柔 , 尼可拉斯·PT·贝特曼 , 提摩西·J·米勒 , 维克拉姆·M·博斯尔
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J2237/006 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种将掺质植入工件中的方法。在一些离子植入系统中，来自离子源的污染物与期望的离子一同被提取，而引入污染物至工件。这些污染物可能是离子源腔室中的杂质。当不进行提取的离子束的质量分析时，这个问题会变严重，而当期望的馈入气体包括卤素时，这个问题会变得更严重。将稀释气体引入离子源腔室中可减少腔室内表面上的卤素的有害影响，以减少提取的离子束中的污染物。在一些实施例中，所述稀释气体可以是锗烷或硅烷。
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公开(公告)号：CN107924818A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680048977.8
申请日：2016-06-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/027 , H01L29/06 , G03F7/20 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/3086
Abstract: 一种将衬底图案化的方法。所述方法可包括：在衬底上提供表面特征，所述表面特征具有沿衬底平面内的第一方向的第一尺寸及沿所述衬底平面内的第二方向的第二尺寸，其中第二方向垂直于第一方向；以及在存在含有反应性物质的反应性气氛的条件下，相对于衬底平面的垂线以非零入射角沿第一方向将第一曝光中的第一离子引导至表面特征；其中第一曝光沿第一方向蚀刻表面特征，其中在所述引导之后，表面特征保持沿第二方向的第二尺寸，且其中所述表面特征具有沿第一方向的不同于第一尺寸的第三尺寸。
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公开(公告)号：CN107923063A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680048202.0
申请日：2016-08-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 一种从熔体拉制结晶片的装置。所述装置可包括：坩埚，用以容纳所述熔体并具有挡坝结构，其中所述熔体包括暴露表面，所述暴露表面具有由所述挡坝结构的顶部界定的水平高度。所述装置可进一步包括支撑装置，所述支撑装置安置于所述坩埚内并具有上表面，其中当在所述支撑装置之上拉制所述结晶片时，所述结晶片保持与所述熔体的所述暴露表面齐平，且所述装置可包括回熔加热器，所述回熔加热器经由所述支撑装置的所述上表面引导热量，以在所述支撑装置之上拉制所述结晶片时使所述结晶片部分地熔融。
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公开(公告)号：CN105794325B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201480066582.1
申请日：2014-10-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H05H1/46 , H01J27/024 , H01J37/32082 , H01J37/32422
Abstract: 本发明涉及一种用于对基底进行图案化的系统与方法，所述系统包含：等离子体腔室；功率源，用于在所述等离子体腔室内产生等离子体；以及提取板系统，包括多个孔径且沿着所述等离子体腔室的一侧而设置。所述提取板系统经配置以接收相对于所述等离子体腔室而对所述提取板系统加偏压的提取电压，其中所述多个孔径经配置以从所述等离子体提取多个相应带电粒子子束。所述系统还包含：投影光学系统，用于将所述多个带电粒子子束中的至少一个引导到所述基底。本申请技术方案的等离子体腔室的使用促进以高平行度引导带电粒子穿过图案化系统的能力，并促进的跨越图案化系统的面积的带电粒子密度的高均一度，进而改进图案化制程的均一度。
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