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公开(公告)号：CN118511249A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202280088152.4
申请日：2022-11-02
Applicant: 希尔福克斯有限公司
Abstract: 公开了当被暴露于卤素等离子体时能耐受蚀刻的材料的各种组成。该组成包含硅与掺杂剂，硅具有至少6N的纯度(即包含除硅及掺杂剂以外的杂质，且杂质浓度少于1质量ppm)且掺杂剂具有至少4N的纯度(即包含少于100质量ppm的杂质)。掺杂剂可选自由硼、镓、磷、砷、和锑所组成的群组。公开了每一掺杂剂的特定浓度。在这些浓度下，材料被暴露于卤素等离子体时表现出相对低的蚀刻率。此外，在这些浓度下，在晶体生长时不会形成掺杂剂的沉淀物。由该材料所制成的衬底处理室的部件被暴露于衬底处理室中的卤素等离子体时表现出对蚀刻的相对高耐受度。
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公开(公告)号：CN117737825A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311839311.2
申请日：2023-12-29
Applicant: 大庆溢泰半导体材料有限公司
Abstract: 一种四英寸锑化镓单晶生长炉，涉及单晶生长技术领域，包括生长区和化料区，两个区域使用不同的温场、不同的坩埚，多晶料先在化料区融化，融化的多晶料及覆盖剂会缓慢的流入下部生长区的坩埚内，通过测温点能够了解物料是否全部流入生长区，待纵向温梯和生长区坩埚调整合适后，进行单晶生长。单晶生长结束以后，可以打开生长区，化料区无需打开，避免高温热损失，直接向化料区加热多晶物料和覆盖剂即可进入下一个化料进程中去。在生长区的下石墨保温套筒和多温区石墨加热器下端设置旋转装置，在多晶生长过程中，通过旋转装置驱动下石墨保温套筒和多温区石墨加热器转动，确保横向温场均匀。
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公开(公告)号：CN117051470A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311050849.5
申请日：2023-08-21
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种掺铊碘化钠晶体的制备方法，属于卤化物闪烁晶体生长制备技术领域，包括两次晶体生长过程，首先使用坩埚下降法进行第一次晶体生长，进行筛选，筛选出合格产品和瑕疵晶体，瑕疵晶体筛选后进行处理，之后使用坩埚下降法进行第二次晶体生长，使用本发明所述方法处理的回收晶体料可以生长2‑4 L大尺寸掺铊碘化钠且晶体内部没有杂质，点缺陷出现的几率更低，原子排列更加紧密，单晶性能更强，充分利用了第一次晶体制备过程中的晶体回收料，使原材料利用率达到80%以上，且第二次生长的大尺寸掺铊碘化钠晶体能量分辨率小于7%，光产额增加8%以上。
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公开(公告)号：CN117026384A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310865541.X
申请日：2023-07-14
Applicant: 昆明理工大学 , 云南国检珠宝检验实验室有限公司
Abstract: 本发明公开了一种蓝色合成立方氧化锆辐照变色后热处理恢复的试验方法，包括：步骤一，按照摩尔百分比准备粉料；步骤二，采用冷坩埚熔壳法蓝色合成立方氧化锆；步骤三，对蓝色合成立方氧化锆晶体进行X射线辐照，使其产生变色；步骤四，热处理；步骤五，将各种辐照、热处理后的合成立方氧化锆进行拍摄对比，并利用光纤光谱仪对这些合成立方氧化锆的色度进行测定，寻求颜色恢复到辐照前原始色度的最佳热处理参数。本发明通过合成立方氧化锆辐照变色后热处理恢复试验，寻求可多次循环利用，兼顾经济和环保效益的新材料，为防辐射泄漏指示灯材料提供新选择，使X射线防辐射泄露指示灯更易于向市场推广应用。
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公开(公告)号：CN113930843B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202111235905.3
申请日：2021-10-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于水平定向凝固法生长晶体的方法，本方法采用单晶炉制备，单晶炉炉内依次形成有用于向坩埚内添加原料的备料区、用于熔融原料的熔料区以及晶体生长的生长区，在单晶炉炉外设有与备料区相连通的加料装置，并通过加料装置向坩埚内添加原料，然后水平移动装有原料的坩埚，使坩埚进入熔料区并使原料熔化；然后移动坩埚回到备料区，重复备料区加料和熔料区熔料，直到原料添加到需要的量并熔化，移动坩埚至生长区，即可进行晶体生长。本发明能够有效保证产品成型厚度，保证产品成型质量及利用率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113622027B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202110825757.4
申请日：2021-07-21
Applicant: 同济大学
IPC: C30B29/16 , C30B11/04 , C30B13/10 , C30B15/04 , C30B15/34 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/115
Abstract: 本发明涉及一种高阻氧化镓晶体及其制备方法与应用，所述高阻氧化镓晶体的分子式为β‑(Ga1‑xAlx)2O3，其中x的取值范围为0.07≤x≤0.3，采用包括光学浮区法、提拉法、导模法或下降法的熔体生长方法制备得到。与现有技术相比，本发明提供的掺铝高阻氧化镓晶体的电阻率≥109Ω·cm，晶体结晶质量高，基于该高阻氧化镓晶体制备的辐射探测器具有制作工艺简单、暗电流小、光暗电流比高、响应速度快、灵敏度高、信噪比高、能量分辨率好等优点。
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公开(公告)号：CN114808130A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210506066.2
申请日：2022-05-10
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
Abstract: 磷化铟多晶料VGF或VB法生长单晶的装料方法，涉及半导体材料单晶生长技术领域，具体涉及一种VGF法磷化铟单晶生长所需的多晶料及辅料的装料方法。本发明通过合理分配磷化铟多晶料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺杂剂和液封剂的用量及放置位置，有助于磷化铟多晶原料的快速熔化、掺杂剂的均匀分布、液封剂的有效侵润和红磷的蒸气压控制，有效提高磷化铟单晶的电阻率、载流子浓度、电子迁移率的均匀性。
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公开(公告)号：CN112853467B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201911193740.0
申请日：2019-11-28
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种硼铌酸钾晶体、其制备方法与其作为反铁电材料的用途。KNBO晶体的化学式为K3Nb3B2O12，KNBO晶体在室温时处于正交晶系，P21ma点群，其晶胞参数为：α＝β＝γ＝90°。所述KNBO反铁电晶体在‑193℃至510℃的宽温区范围内都处于反铁电相。该发明为反铁电领域提供了一种无铅、温度可调变的新型反铁电材料，在储能电容器、脉冲电容器、精密制动器、电致应变、电卡制冷等领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN112064107A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010953798.7
申请日：2020-09-11
Applicant: 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所)
Abstract: 本发明公开了一种实现炉内温度场梯度分布的高压单晶炉炉体结构，解决了如何完成炉内温度场梯度分布的技术问题。在下炉体内腔（18）中，设置有沿上下竖直方向的下保温筒（20），在上保温筒支撑支架（10）上设置有沿上下竖直方向设置的上保温筒（11），在上保温筒（11）的顶端设置有盖板（12），下保温筒（20）与上保温筒（11）的底端对接在一起，下炉体（1）的炉底板、下保温筒（20）、上保温筒（11）和盖板组成一个封闭的炉内温度场空间，在该封闭的炉内温度场空间内设置有金属均温筒（14）、防爆裂石英筒（15），在驱动轴（23）的顶端设置有石英坩埚支架（22）和石英坩埚（16），实现了大直径碲化汞晶体的生长。
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公开(公告)号：CN110438566A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910735093.5
申请日：2019-08-09
Applicant: 湖南红太阳光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多掺杂硅锭的制备方法、多掺杂硅锭和硅片，该制备方法包括以下步骤：将硅料、硼硅合金、磷硅合金和镓合金混合，得到混合物料，其中混合物料中硅、硼、磷、镓的浓度比为1︰5.1×10-8～1.1×10-6︰6.4×10-10～3.1×10-6︰2.0×10-9～4.2×10-5；所得混合物料进行熔化、再结晶和退火冷却，得到多掺杂硅锭。多掺杂硅锭由上述制备方法制得。硅片由上述多掺杂硅锭制得。本发明制备方法制得的多掺杂硅锭，硼溶度较低，具有电阻率分布均匀性好、少子寿命长等优点，由此制备的太阳电池光电转换效率更高，光致衰减率更低，对于实现太阳电池的广泛应用具有十分重要的意义。
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