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公开(公告)号：CN114808130A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210506066.2
申请日：2022-05-10
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
Abstract: 磷化铟多晶料VGF或VB法生长单晶的装料方法，涉及半导体材料单晶生长技术领域，具体涉及一种VGF法磷化铟单晶生长所需的多晶料及辅料的装料方法。本发明通过合理分配磷化铟多晶料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺杂剂和液封剂的用量及放置位置，有助于磷化铟多晶原料的快速熔化、掺杂剂的均匀分布、液封剂的有效侵润和红磷的蒸气压控制，有效提高磷化铟单晶的电阻率、载流子浓度、电子迁移率的均匀性。
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公开(公告)号：CN114990697B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210506067.7
申请日：2022-05-10
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
Abstract: 磷化铟单晶回料采用VGF或VB法再次生长单晶的装料方法，单晶生长所使用的原料全部为单晶生长过程产生的回料。本发明通过控制磷化铟单晶回料的参数要求、合理分配磷化铟单晶回料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺杂剂和液封剂的用量及放置位置，有助于多晶原料的快速熔化、掺杂剂的均匀分布、液封剂的有效侵润和红磷的蒸气压控制。该装料方法有效利用单晶生长回料，提高原料利用率，大幅减少废料的产生，降低了生产成本，并能提高使用单晶回料所生长的磷化铟单晶的电阻率、载流子浓度、电子迁移率的径向均匀性。
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公开(公告)号：CN114990697A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210506067.7
申请日：2022-05-10
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
Abstract: 磷化铟单晶回料采用VGF或VB法再次生长单晶的装料方法，单晶生长所使用的原料全部为单晶生长过程产生的回料。本发明通过控制磷化铟单晶回料的参数要求、合理分配磷化铟单晶回料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺杂剂和液封剂的用量及放置位置，有助于多晶原料的快速熔化、掺杂剂的均匀分布、液封剂的有效侵润和红磷的蒸气压控制。该装料方法有效利用单晶生长回料，提高原料利用率，大幅减少废料的产生，降低了生产成本，并能提高使用单晶回料所生长的磷化铟单晶的电阻率、载流子浓度、电子迁移率的径向均匀性。
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公开(公告)号：CN114808130B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210506066.2
申请日：2022-05-10
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
Abstract: 磷化铟多晶料VGF或VB法生长单晶的装料方法，涉及半导体材料单晶生长技术领域，具体涉及一种VGF法磷化铟单晶生长所需的多晶料及辅料的装料方法。本发明通过合理分配磷化铟多晶料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺杂剂和液封剂的用量及放置位置，有助于磷化铟多晶原料的快速熔化、掺杂剂的均匀分布、液封剂的有效侵润和红磷的蒸气压控制，有效提高磷化铟单晶的电阻率、载流子浓度、电子迁移率的均匀性。
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公开(公告)号：CN105951170A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610495202.7
申请日：2016-06-30
Applicant: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
CPC classification number: C30B11/003 , C30B11/006 , C30B29/08
Abstract: 本发明涉及一种新材料制备技术领域，具体为一种锗单晶生长炉及基于生长炉的锗单晶生长温度控制方法，该装置垂直固定在底座上，其特征在于该生长炉采用圆柱形不锈钢炉体，炉体侧壁自下而上设置若干个加热电极，沿炉体内侧设置环形的保温材料；沿炉体中轴底部设置支撑系统，支撑系统上架设石英异型管，石英异型管内自下而上依次设置下层坩埚、中环、上层坩埚以及封帽，石英异型管上方覆盖石英棉。生长炉针对8英寸锗单晶生长特点，结构精妙，温区设计合理。
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公开(公告)号：CN116555911A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310385188.5
申请日：2023-04-12
Applicant: 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
Abstract: 磷化铟碎片制备多晶的方法，涉及半导体材料制备技术领域，尤其是一种磷化铟回料制备磷化铟多晶的方法。本发明的方法包括碎片处理、装料入炉、多晶制备及冷却出炉4个步骤。本发明的方法简便易操作，可用现有的高压VGF炉直接制备磷化铟多晶，碎片利用率高，所制备多晶纯度高，达到继续生长单晶的要求，缩减了资源循环利用流程，提高了磷化铟废料的利用率，具有可观的经济效益。
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公开(公告)号：CN205688056U
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201620518771.4
申请日：2016-06-01
Applicant: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
Abstract: VGF锗单晶生长炉支撑底座，涉及一种底座，尤其是一种VGF锗单晶生长炉支撑底座。本实用新型的VGF锗单晶生长炉支撑底座，其特征在于该装置由横杆、底板、活动块、散热孔和细圆棒构成；底板通过内六角螺栓固定在两根横杆之间，活动块拼接在底板侧面，底板与活动块相对的一侧都具有一个半圆孔，两者通过外六角螺栓连接构成一个圆孔，底板中间设置散热孔，两根细圆棒通过U型卡槽固定在散热孔的两侧。本实用新型的VGF锗单晶生长炉支撑底座，在保证能平稳、牢固地支撑炉芯、石英管及炉套的情况下，也能固定好石英棒与测温热电偶，且安装方便，使用简单，稳固性好，散热性好，实用性高，适合用在不同尺寸的VGF炉中。
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公开(公告)号：CN205917343U
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201620584182.6
申请日：2016-06-16
Applicant: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
Abstract: 可拆分VGF单晶生长坩埚中环，涉及一种装料装置部件，尤其是一种可拆分VGF单晶生长坩埚中环。可拆分VGF单晶生长坩埚中环，该中环放置于上层坩埚与下层坩埚中间，上层坩埚与下层坩埚放置在石英管内，其特征在于该中环由石英外环、石英斜面和石英横杆组成，石英斜面放置于石英外环内，石英斜面上设置石英横杆,石英横杆抵在石英管管壁上，起固定作用。可拆分VGF单晶生长坩埚中环，设计科学，使用方便，有效降低成本，并且由于石英斜面和石英横杆可以重复利用，大幅提高了单位时间内的加工效率，对企业提高效率、降低成本有重要作用。
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公开(公告)号：CN205915428U
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201620584184.5
申请日：2016-06-16
Applicant: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
Abstract: 圆形石英棉切割工具，涉及一种切割工具，尤其是一种圆形石英棉切割工具。圆形石英棉切割工具，其特征在于该装置由手柄、管体、固定环和刀口构成，管体为中空圆柱形管材，手柄对称固定在管体的管壁之上，管体底端设置固定环，刀口通过固定螺丝安装在固定环底部。本实用新型的圆形石英棉切割工具，设计科学，结构简单，使用方便，简化了保温棉的制作过程，保温棉外形尺寸制作准确，提高了保温棉的制作效率。
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公开(公告)号：CN205774917U
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201620667264.7
申请日：2016-06-30
Applicant: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种新材料制备技术领域，具体为一种锗单晶生长炉，垂直固定在底座上，其特征在于该生长炉采用圆柱形不锈钢炉体，炉体侧壁自下而上设置若干个加热电极，沿炉体内侧设置环形的保温材料；沿炉体中轴底部设置支撑系统，支撑系统上架设石英异型管，石英异型管内自下而上依次设置下层坩埚、中环、上层坩埚以及封帽，石英异型管上方覆盖石英棉。生长炉针对8英寸锗单晶生长特点，结构精妙，温区设计合理。
