-
公开(公告)号：CN116005138A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211598687.4
申请日：2022-12-12
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/505 , C23C16/52 , C23C16/34 , C23C16/56 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的薄膜沉积装置、一种半导体器件、一种半导体器件的薄膜沉积方法以及一种计算机可读存储介质。该半导体器件的薄膜沉积装置包括反应腔、射频发生器、可调电容及控制器，其中，控制器被配置为：确定对半导体器件进行薄膜沉积时的目标能量密度；根据目标能量密度及射频发生器的射频频率，调节可调电容的电容值，以使沉积功率、射频时间及反应腔中的沉积压力匹配目标能量密度；以及基于目标能量密度的工艺条件，对半导体器件进行薄膜沉积。
-
公开(公告)号：CN115863221A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211664249.3
申请日：2022-12-23
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种半导体喷淋板中的限流装置，喷淋板包括中央设有进气通道的上盖板，限流装置插装于进气通道内，限流装置为圆筒状结构，其内周沿轴向分为多段，中间段的孔径窄于上下两端的孔径，该多段之间通过斜面平滑过渡，本发明提供的半导体喷淋板中的限流装置，可以在不增加气体流量的情况下提升工艺气体进入喷淋腔室内部的动能，进而使得气体进入腔室后可以充分扩展至边缘各处，提升沉积薄膜的均匀性。
-
公开(公告)号：CN115852341A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211664236.6
申请日：2022-12-23
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供了一种半导体喷淋板中的导流装置，喷淋板包括侧周密封连接的上盖板和喷淋面板，喷淋气体由上盖板中央的进气口通入后再由喷淋面板上的多个孔洞喷淋至待加工半导体表面，导流装置设于上盖板的进气口与喷淋面板之间，导流装置的主体为锥体，底部通过支撑装置安装于喷淋面板上，锥体的侧周面自上向下呈向外扩散状以将进入进气口的气体导流至喷淋面板的各处。
-
公开(公告)号：CN115786882A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211457435.X
申请日：2022-11-21
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种泵组系统、工艺方法及半导体工艺设备，用于半导体原子层沉积工艺，泵组系统包括：反应腔室，至少一种前驱气体通入反应腔室进行沉积反应；真空干泵，真空干泵通过门阀与反应腔室相连通，用于抽取反应腔室中的残留气体；以及至少一个分子泵，分子泵的一端与反应腔室相连通，另一端与真空干泵相连通，在前驱气体分别进行沉积反应后，向反应腔室内通入载气气体吹扫，载气气体再通过分子泵流至真空干泵排出，从而降低反应腔室内的气体压力。
-
公开(公告)号：CN115763315A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211514466.4
申请日：2022-11-29
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种射频连杆的冷却结构以及一种半导体器件的加工设备。所述射频连杆的冷却结构包括：导热基座，其中部设有通孔，所述射频连杆经由所述通孔穿过所述导热基座，以连接射频电路及晶圆托盘；导热陶瓷部，设于所述导热基座，用于实现所述射频连杆与所述导热基座之间的热传导及电隔离；以及导热连接部，其第一端连接所述射频连杆，而其第二端连接所述导热陶瓷部，用于将所述射频连杆的热量经由所述导热陶瓷部传导到所述导热基座。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115753422A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211440491.2
申请日：2022-11-17
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种同步带工作监测结构及其控制方法、同步带传动系统，涉及半导体设备的技术领域。同步带工作监测结构包括固定支架、应变传感器和控制器；固定支架的外表面贴设有应变传感器，应变传感器与控制器电连接。同步带工作监测控制方法包括以下步骤：在张紧轮上未安装同步带时，记录应变传感器测出的第一应变值；在张紧轮上安装同步带后，记录应变传感器测出的第二应变值；根据第一应变值和第二应变值设置触发阈值；正常工作过程中，判断应变传感器测出的应变值是否小于触发阈值，如果是，报警停机。同步带传动系统包括同步带工作监测结构。达到了检测同步带的运行状态的技术效果。
-
公开(公告)号：CN115692157A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211384911.X
申请日：2022-11-07
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体设备进料块结构及进气装置，涉及半导体设备的技术领域，包括进料块主体和调温机构；进料块主体贯穿开设有多条输气通道，每条输气通道呈单独贯通，通过利用每个单独的输气通道分别单独输送每种气体，可以保证在进入反应腔内的气体单独进气；调温机构能够调节进料块主体的整体温度，以调节经输气通道输送的气体温度，即利用调温机构即能够对输气通道内的气体进行升温，也可以进行冷却；实现了对不同气体的更广范围的温度控制，缓解了现有技术中存在的两种及以上的气体共用一个气道输送时，会增加反应腔内部的颗粒污染，以及无法满足升温调节气体温度的技术问题。
-
公开(公告)号：CN115595560A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211329939.3
申请日：2022-10-27
Applicant: 拓荆科技股份有限公司(CN)
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及半导体制造设备技术领域，更具体的说，涉及一种半导体处理装置。本发明提供了一种半导体处理装置，包括至少一个反应腔，所述反应腔包括：喷淋板，设置有抽气孔，用于将喷淋板与加热盘之间的反应区域的气体抽出至腔体抽气通道衬套；加热盘，用于对喷淋板加热；腔内衬套，安装在腔体内侧；腔体抽气通道衬套，设置在腔体侧壁的内部；所述腔体抽气通道衬套，设置有抽气通道，所述抽气通道与喷淋板的抽气孔连接，所述抽气通道设置多层导流环，所述多层导流环之间相互叠加分布。本发明提供的半导体处理装置，通过对半导体反应腔的多层导流环在抽气区域的组合使用，实现将反应区域的气体均匀地排到工艺抽气区域后排出。
-
公开(公告)号：CN115574886A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211402744.7
申请日：2022-11-09
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: G01F22/02
Abstract: 本发明提供了一种液体前驱体源瓶储量侦测方法，所述方法包括：对已知储量的所述源瓶进行抽空和回复状态测试；记录进入回复状态的时间段t1以及此时对应的压力检测计读数p1；根据t1和p1的值计算得到所述源瓶内的液体前驱体在当前温度以及当前压力下的扩散系数D，并进而计算得到绝对温度和绝对压力下的扩散系数D0；对于未知储量的所述源瓶进行抽空和回复状态测试；记录进入回复状态的时间段t2以及此时对应的压力检测计读数p2；根据绝对温度和绝对压力下的扩散系数D0，计算出当前温度和当前压力下的扩散系数D；根据当前温度和当前压力下的扩散系数D以及t2和p2的值，计算得到所述液体前驱体表面至压力检测计的距离。
-
公开(公告)号：CN115527831A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211124813.2
申请日：2022-09-15
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Abstract: 本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种喷淋板装置及其半导体设备。该喷淋板装置包括喷淋板和向上凸出于喷淋板的板面设置的冷却气道结构，冷却气道结构的顶部远离喷淋板的板面设置，且冷却气道结构的顶部设置为密封端面，密封端面上具有工艺气体入口；喷淋板的板面上还安装有加热装置或喷淋板的板面上具有用于固定安装加热装置的加热装置固定面。该喷淋板装置及其半导体设备解决了现有技术存在的喷淋板高温时伴随的密封端面出现的高温渗透以及外漏等问题，同时提高加热均匀性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
442
records
(took 0.05 seconds)
