公开(公告)号：CN116005138B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202211598687.4

申请日：2022-12-12

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 郑意 ,  野沢俊久 ,  许嘉毓 ,  娄文博 ,  李健 ,  陈新益

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的薄膜沉积装置、一种半导体器件、一种半导体器件的薄膜沉积方法以及一种计算机可读存储介质。该半导体器件的薄膜沉积装置包括反应腔、射频发生器、可调电容及控制器，其中，控制器被配置为：确定对半导体器件进行薄膜沉积时的目标能量密度；根据目标能量密度及射频发生器的射频频率，调节可调电容的电容值，以使沉积功率、射频时间及反应腔中的沉积压力匹配目标能量密度；以及基于目标能量密度的工艺条件，对半导体器件进行薄膜沉积。

公开(公告)号：CN112736015B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202011627023.7

申请日：2020-12-31

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 张赛谦 ,  李健

IPC: H01L21/687 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明是关于一种用于调节电浆曲线的装置，包含一金属调节环，其具有一内侧面、一斜面及一顶面，所述斜面自该顶面向所述内侧面向下延伸，所述斜面与所述顶面定义一夹角，所述夹角介于150度至120度之间。

公开(公告)号：CN112736015A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202011627023.7

申请日：2020-12-31

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 张赛谦 ,  李健

IPC: H01L21/687 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明是关于一种用于调节电浆曲线的装置，包含一金属调节环，其具有一内侧面、一斜面及一顶面，所述斜面自该顶面向所述内侧面向下延伸，所述斜面与所述顶面定义一夹角，所述夹角介于150度至120度之间。

公开(公告)号：CN116005138A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211598687.4

申请日：2022-12-12

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 郑意 ,  野沢俊久 ,  许嘉毓 ,  娄文博 ,  李健 ,  陈新益

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的薄膜沉积装置、一种半导体器件、一种半导体器件的薄膜沉积方法以及一种计算机可读存储介质。该半导体器件的薄膜沉积装置包括反应腔、射频发生器、可调电容及控制器，其中，控制器被配置为：确定对半导体器件进行薄膜沉积时的目标能量密度；根据目标能量密度及射频发生器的射频频率，调节可调电容的电容值，以使沉积功率、射频时间及反应腔中的沉积压力匹配目标能量密度；以及基于目标能量密度的工艺条件，对半导体器件进行薄膜沉积。

公开(公告)号：CN115574886A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202211402744.7

申请日：2022-11-09

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 许嘉毓 ,  李健 ,  野沢俊久 ,  吕志鹏 ,  赵郁晗 ,  刘雯伊 ,  柴雪

IPC: G01F22/02

Abstract: 本发明提供了一种液体前驱体源瓶储量侦测方法，所述方法包括：对已知储量的所述源瓶进行抽空和回复状态测试；记录进入回复状态的时间段t1以及此时对应的压力检测计读数p1；根据t1和p1的值计算得到所述源瓶内的液体前驱体在当前温度以及当前压力下的扩散系数D，并进而计算得到绝对温度和绝对压力下的扩散系数D0；对于未知储量的所述源瓶进行抽空和回复状态测试；记录进入回复状态的时间段t2以及此时对应的压力检测计读数p2；根据绝对温度和绝对压力下的扩散系数D0，计算出当前温度和当前压力下的扩散系数D；根据当前温度和当前压力下的扩散系数D以及t2和p2的值，计算得到所述液体前驱体表面至压力检测计的距离。

公开(公告)号：CN115637421A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202211398570.1

申请日：2022-11-09

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 付芸绮 ,  李健 ,  陈新益 ,  许嘉毓 ,  赵郁晗 ,  孙萌萌

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供了前驱体混合注入系统、半导体处理设备及前驱体控制方法。所述前驱体混合注入系统包括：多条支路；前置混合储气室，包括进气管路和出气管路，所述多条支路的各输出汇入所述进气管路，所述出气管路耦接反应腔室；以及压力检测计，位于前置混合储气室的进气管路上，用于监测所述前置混合储气室内部压力变化。其中，所述多条支路包括至少两路支路，每条支路为源瓶支路或者气体支路中的一者；所述源瓶支路输送前驱体原始状态为固态或液态的前驱体至所述前置混合储气室，所述气体支路输送气体前驱体或载体至所述前置混合储气室；所述源瓶支路或者气体支路具有流量计，控制进入所述前置混合储气室的流体流量和比例。