半导体器件及其薄膜沉积装置及方法

    公开(公告)号:CN116005138B

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202211598687.4

    申请日:2022-12-12

    Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的薄膜沉积装置、一种半导体器件、一种半导体器件的薄膜沉积方法以及一种计算机可读存储介质。该半导体器件的薄膜沉积装置包括反应腔、射频发生器、可调电容及控制器,其中,控制器被配置为:确定对半导体器件进行薄膜沉积时的目标能量密度;根据目标能量密度及射频发生器的射频频率,调节可调电容的电容值,以使沉积功率、射频时间及反应腔中的沉积压力匹配目标能量密度;以及基于目标能量密度的工艺条件,对半导体器件进行薄膜沉积。

    半导体器件及其薄膜沉积装置及方法

    公开(公告)号:CN116005138A

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202211598687.4

    申请日:2022-12-12

    Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的薄膜沉积装置、一种半导体器件、一种半导体器件的薄膜沉积方法以及一种计算机可读存储介质。该半导体器件的薄膜沉积装置包括反应腔、射频发生器、可调电容及控制器,其中,控制器被配置为:确定对半导体器件进行薄膜沉积时的目标能量密度;根据目标能量密度及射频发生器的射频频率,调节可调电容的电容值,以使沉积功率、射频时间及反应腔中的沉积压力匹配目标能量密度;以及基于目标能量密度的工艺条件,对半导体器件进行薄膜沉积。

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