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公开(公告)号：CN115852341B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202211664236.6
申请日：2022-12-23
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供了一种半导体喷淋板中的导流装置，喷淋板包括侧周密封连接的上盖板和喷淋面板，喷淋气体由上盖板中央的进气口通入后再由喷淋面板上的多个孔洞喷淋至待加工半导体表面，导流装置设于上盖板的进气口与喷淋面板之间，导流装置的主体为锥体，底部通过支撑装置安装于喷淋面板上，锥体的侧周面自上向下呈向外扩散状以将进入进气口的气体导流至喷淋面板的各处。
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公开(公告)号：CN119567062A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411813184.3
申请日：2024-12-10
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于加热盘的清洁系统及其清洁方法，清洁系统包括：基座，其上固定有加热盘；检测组件，固定在基座上且其端部位于加热盘上方用于检测加热盘表面元素的厚度；打磨组件，设置在基座上且其端部能够在加热盘的上方移动，用于对加热盘进行打磨；控制组件，分别与打磨组件和检测组件连接，用于通过检测组件检测的元素的厚度控制打磨组件的工作时间。本发明中，打磨组件的工作时间与元素的厚度相关，且通过控制组件精确控制打磨组件，相较于传统的通过手工打磨，本发明一方面能够精准的控制打磨的厚度，避免打磨时间过短造成打磨不彻底以及打磨时间过长对加热盘造成磨损，另一方面还提高了清洁的效率。
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公开(公告)号：CN115976496B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202211685302.8
申请日：2022-12-27
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种反应腔的开腔机构、一种反应腔系统和一种半导体器件的加工装置。该开腔机构包括：至少一个升降机构，其底座连接该反应腔的侧面，其上部活动端连接该反应腔的腔盖，用于带动该腔盖进行上升及下降；以及机械限位装置，其底部设置于该升降机构的底座，其顶部在该腔盖上升到达行程上限时，抵接该腔盖的下表面以支撑该腔盖。通过采用上述配置，本发明能够防止腔盖突然坠落的风险。
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公开(公告)号：CN115948725B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202211650419.2
申请日：2022-12-21
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/458 , H01L21/67 , C23C16/46 , C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 本发明涉及半导体设备技术领域，具体涉及一种基板及反应腔体结构。本发明提供的一种基板，所述基板呈圆柱体，所述基板的一个面为热吸收面，在所述基板的热吸收面上开设有贯通所述基板的圆孔，所述圆孔与所述基板同轴设置，所述热吸热面上开设有多个孔体，所述孔体为小圆孔，所述小圆孔均匀设置，在所述热吸收面上具有多个与所述基板同心的同心圆，每个所述同心圆上均匀排布有多个所述圆孔。这样由加热盘辐射到基板的热量一部分经过基板顶面多次吸收和反射，另一部分热量经过孔体全部吸收并通过热传导提升基板整体温度，提高了腔室的保温效果，大大降低各被加工基片上的膜厚不均匀性。
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公开(公告)号：CN119322545A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411441667.5
申请日：2024-10-15
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种本发明提供了一种温度控制方法、一种半导体加工设备及一种计算机可读存储介质。所述温度控制方法包括以下步骤：获取加热盘的实际温度与目标温度之间的温度偏差E，以及所述温度偏差的变化率EC；根据所述温度偏差E及所述温度偏差的变化率EC，确定用于对所述加热盘的温度进行模糊控制的比例系数、积分系数及微分系数；建立所述加热盘的温度控制系统的传递函数；以及根据所述比例系数、所述积分系数所述微分系数及所述传递函数，将所述加热盘的实际温度调节至所述目标温度。本发明可以用于对工艺腔室内的反应温度进行控制，以减少控温过程中的温度震荡时间，从而提高薄膜沉积工艺的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115799034B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202211532044.X
申请日：2022-12-01
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供了一种具有聚焦环的下电极组件和半导体沉淀设备，涉及半导体器件制作的技术领域，包括下电极主体和聚焦环；聚焦环沿着下电极主体的圆周边缘环形布置，且聚焦环与下电极主体的侧壁配合连接，聚焦环用于平衡下电极主体的表面高度，以平衡下电极主体与晶圆的高度配合；根据下电极主体的环形设计聚焦环的形状，利用聚焦环直接与下电极主体的侧壁装配连接，通过聚焦环能够控制晶圆边缘的等离子体场的基础上，减少了装配过程中的公差叠加，保证了聚焦环与下电极主体的间隙公差范围，缓解了现有技术中存在的聚焦环装配公差叠加造成高度差不可控，易导致晶圆背面冷却氦气的泄漏，下电极表面以及晶圆背面会沉积反应生成物的技术问题。
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公开(公告)号：CN119082708A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411418900.8
申请日：2024-10-11
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种气体输送装置、半导体器件的工艺方法和工艺设备。该装置包括：第一组气路，进气端连接载气源和TEOS源，传输包括载气和TEOS的第一组气体；第二组气路，进气端连接补充气体源，传输包括补充气体的第二组气体；第三组气路，进气端连接臭氧源，传输包括臭氧的第三组气体；以及若干混气部，其进气端分别连接第一组气路、第二组气路，以及第三组气路的出气端，以获取等比例的第一组气体、第二组气体和第三组气体并混合，将混合气体从各混气部的出气端平均分配到反应腔内对应的各处理站进行沉积工艺。本发明能够提升多组工艺气体分配的均匀性，从而降低各处理站的膜厚差异，同时还能提升TEOS的冷凝温度，改善薄膜颗粒污染。
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公开(公告)号：CN113161279B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202110269673.7
申请日：2021-03-12
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明是关于一种预防圆晶破裂的装置和预防方法，其中，装置包括：高温反应腔，包括反应腔侧壁；反应基座，设置于高温反应腔的中心处，反应基座上设有晶圆，反应基座下方设有PIN升降板，设置晶圆升降PIN，其下端由PIN升降板运动顶起与下落，其上端抵住晶圆；第一传感器，位于PIN升降板上方，第一传感器包括第一发射器和第一接收器，第一发射器和第一接收器相对设置，晶圆升降PIN的下端位于第一发射器和第一接收器之间；光电转换器，与第一接收器连接，光电转换器能够获取第一接收器的光信号；其中，第一传感器的个数与晶圆升降PIN的个数相同。能够适应高温环境，根据晶圆升降PIN的状态，提前预防晶圆的破裂，降低破片率，提高生产效益。
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公开(公告)号：CN115821230B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202211508983.0
申请日：2022-11-29
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种气体混合器及半导体设备，涉及半导体设备的技术领域。气体混合器包括混气器本体；混气器本体内开设贯通混气器本体的混气流道；混气器本体上开设有用于充入反应气体的第一流道和用于充入前驱物的第二流道；第一流道具有沿混气器本体延伸方向设置的返流流道，返流流道贯穿混气器本体的进气端；第二流道与混气流道连通。半导体设备包括气体混合器。达到了气体混合效果好的技术效果。
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公开(公告)号：CN113838771B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202010589816.8
申请日：2020-06-24
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Inventor： 王燚
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明属于半导体设备技术领域，具体为提供了一种晶圆薄膜成型加热装置，以及基于该加热装置提供了一种加热盘辅助拆卸结构及拆卸方法。在加热盘拆卸的时候能很好的保护到加热盘，通过设置辅助拆卸机构，利用该辅助拆卸机构内的顶销，向上旋进最终将加热盘盘柄底部向上顶起，方便拆卸加热盘。
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