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公开(公告)号：CN115821230A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211508983.0
申请日：2022-11-29
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种气体混合器及半导体设备，涉及半导体设备的技术领域。气体混合器包括混气器本体；混气器本体内开设贯通混气器本体的混气流道；混气器本体上开设有用于充入反应气体的第一流道和用于充入前驱物的第二流道；第一流道具有沿混气器本体延伸方向设置的返流流道，返流流道贯穿混气器本体的进气端；第二流道与混气流道连通。半导体设备包括气体混合器。达到了气体混合效果好的技术效果。
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公开(公告)号：CN114210220A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111522231.5
申请日：2021-12-13
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Abstract: 本发明揭露一种用于半导体工艺的气体混合装置，其从上游端至下游端依序包含：一窄孔，界定于所述本体中且具有一上游端及一下游端；一缓冲空间，界定于所述本体中且具有一上游端及一下游端，所述缓冲空间的上游端流体连接至所述窄孔的下游端，且所述缓冲空间的宽度大于所述窄孔的宽度；及一分流板，具有一上表面及一下表面，所述分流板的上表面及下表面之间形成有多个分流孔，所述多个分流孔流体连接至所述缓冲空间的下游端。其特征在于，所述分流板的上表面形成有一凹穴，且所述凹穴正对所述窄孔的下游端，借此使通过所述窄孔的气流撞击所述凹穴的壁而形成湍流。此外，本发明还提供了一种半导体工艺设备。
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公开(公告)号：CN117537709A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311376847.5
申请日：2023-10-23
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种托盘位置的检测装置、调节系统和检测方法。托盘位置的检测装置包括：第一水平工装，设置于托盘的上方，包括多个光学传感器，多个光学传感器分布于第一水平工装上对应于托盘的边缘上方的位置，用以向托盘的方向发出探测光线；以及控制器，连接托盘和所述多个光学传感器，用以根据探测光线的返回信号的光学特性，检测托盘的中心偏移程度，以及根据返回信号的返回时间，检测托盘的水平面倾斜程度。上述托盘位置的检测装置能够避免传统检测方法中由于工装的公差尺寸和加工误差等因素所导致的对托盘位置的检测精度的影响，获得更精确的托盘位置的检测结果，有利于后续对于托盘位置的精确调节，提高托盘的调节效率和精密性。
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公开(公告)号：CN117512561A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210893372.6
申请日：2022-07-27
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本申请的一个方面涉及一种半导体处理系统。所述半导体处理系统包括处理腔室、缓冲容器及控制组件、第一气体源以及第二气体源。所述缓冲容器通过所述控制组件连接至所述处理腔室。所述控制组件经配置以选择性地将所述缓冲容器内的气体提供至所述处理腔室。所述第一气体源用以提供第一气体。所述第一气体源通过第一质量流量控制器连接至所述控制组件。所述第二气体源用以提供第二气体。所述第二气体源通过第二质量流量控制器连接至所述缓冲容器。
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公开(公告)号：CN115821230B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202211508983.0
申请日：2022-11-29
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种气体混合器及半导体设备，涉及半导体设备的技术领域。气体混合器包括混气器本体；混气器本体内开设贯通混气器本体的混气流道；混气器本体上开设有用于充入反应气体的第一流道和用于充入前驱物的第二流道；第一流道具有沿混气器本体延伸方向设置的返流流道，返流流道贯穿混气器本体的进气端；第二流道与混气流道连通。半导体设备包括气体混合器。达到了气体混合效果好的技术效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116288262A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202111531442.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/205
Abstract: 本揭露涉及一种气体切换系统及其相关半导体制程方法。在本揭露的一实施例中，一种气体切换系统，其适用于向半导体制程装置提供气体切换功能，所述半导体制程装置至少包含设置于上游的制程气体源、设置于下游的制程腔室以及真空泵，所述气体切换系统设置在所述制程气体源与所述制程腔室之间，其特征在于，所述气体切换系统包括：实质上居中设置的第一反应气体入口和第二反应气体入口，所述第一反应气体入口和所述第二反应气体入口分别经配置以接收来自所述制程气体源的反应气体；分别设置于所述第一反应气体入口两侧的第一阀体单元和第二阀体单元；及分别设置于所述第二反应气体入口两侧的第三阀体单元和第四阀体单元。
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公开(公告)号：CN114210217B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202111523716.6
申请日：2021-12-14
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体加工设备及其混气装置，该混气装置包括第一部件和第二部件；所述第一部件具有第一腔室和与所述第一腔室连通的第一进气口，所述第一腔室的底壁固接有多个与所述第一腔室连通的管道；所述第二部件具有第二腔室和与所述第二腔室连通的第二进气口，所述第二腔室为敞口形式，所述第二腔室的底壁具有多个通气通孔；多个所述管道分别插入多个所述通气通孔内，且所述第一部件的底壁封堵所述第二腔室的敞口；所述通气通孔的孔周壁与所述管道的外周壁之间形成与所述第二腔室连通的通气流道。该混气装置的结构设置能够减少不同气体间的碰撞，流场可控，可改善晶圆表面聚合物的均匀性，并降低晶圆表面聚合物厚度的差异。
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公开(公告)号：CN114210217A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111523716.6
申请日：2021-12-14
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体加工设备及其混气装置，该混气装置包括第一部件和第二部件；所述第一部件具有第一腔室和与所述第一腔室连通的第一进气口，所述第一腔室的底壁固接有多个与所述第一腔室连通的管道；所述第二部件具有第二腔室和与所述第二腔室连通的第二进气口，所述第二腔室为敞口形式，所述第二腔室的底壁具有多个通气通孔；多个所述管道分别插入多个所述通气通孔内，且所述第一部件的底壁封堵所述第二腔室的敞口；所述通气通孔的孔周壁与所述管道的外周壁之间形成与所述第二腔室连通的通气流道。该混气装置的结构设置能够减少不同气体间的碰撞，流场可控，可改善晶圆表面聚合物的均匀性，并降低晶圆表面聚合物厚度的差异。
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公开(公告)号：CN218763317U
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202223270662.X
申请日：2022-12-07
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: F22B1/28 , F22B35/00 , F22B37/22 , C23C16/455
Abstract: 本实用新型提供了一种半导体钢瓶及半导体沉淀设备，涉及半导体设备的技术领域，包括钢瓶主体、载气入口端、出口端和第一换热机构；第一换热机构与载气入口端连接，第一换热机构用于对经载气入口端进入至钢瓶主体内部的载气加热，以使进入至钢瓶主体内部的载气温度与钢瓶主体内部液态源的液面温度相配适，通过控制载气进入到钢瓶内的温度以稳定液态源的液面温度，保证了蒸汽的稳定发生和输出，最后通过出口端用于将载气和蒸汽输出，使得成膜质量更好，保持一致性，缓解了现有技术中存在的钢瓶内部由于载气输入导致内部液面温度不稳定，以及间接导致出口可能携带未完全汽化的小液滴，导致成膜质量存在异常的技术问题。
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公开(公告)号：CN218621037U
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202223149854.5
申请日：2022-11-25
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种半导体加工工艺腔室及半导体加工设备，具体涉及半导体加工技术领域，所述半导体加工工艺腔室包括：反应腔室，内设有加热器；抽气环道，设于所述反应腔室的外侧；所述抽气环道与所述气泵连接；第一气流通道，开设于所述抽气环道上方；第二气流通道，开设于所述抽气环道与所述反应腔室接触的侧面上。所述半导体加工工艺腔室内的抽气环道在分别在上面开设有第一气流通道和在侧面开设有第二气流通道，残留气体在流动过程中经过第一气流通道被抽入至抽气环道内，减小了残留气体流入反应腔室的气流量，从而减小残留气体对成膜工序的不良影响，从而减小成品不良率，提高生产质量。
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