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公开(公告)号：CN115815087A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211601457.9
申请日：2022-12-13
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种紫外固化设备。紫外固化设备包括真空腔室，真空腔室内设有喷淋板和晶圆载盘，晶圆载盘位于喷淋板的下方，真空腔室内还包括分气环；分气环为环体结构，其环周顶部与喷淋板的周向下边沿相抵接设置；其环形内壁朝向真空腔室的内部设置，且环形内壁沿其周向设有多个分气孔；分气环的环形内壁、环周顶部、环形外壁和环周底部依次相接合围成环形气道，分气孔与环形气道相通设置，将环形气道内的气体通入至真空腔室的内部；晶圆载盘设置为可升降结构，其朝靠近或远离分气环的方向升降。紫外固化设备解决了真空腔室清洗效果不佳，导致单次设备维护与保养时间短、单次跑片数量低、成本过高的技术问题。
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公开(公告)号：CN114695234A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011642970.3
申请日：2020-12-31
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本申请提供一种保护机构及保护晶圆和销的方法。该保护机构包括：驱动器；直线单元，其连接至驱动器，以在驱动器的作用下使得销顶出晶圆；扭力计，其用于在销顶出晶圆的过程中测量保护机构的力矩；控制模块，其接收来自扭力计所测量的力矩，并将力矩与预定值进行比较。扭力计设置于驱动器和直线单元之间。该保护机构能够实时、有效地测量在顶出晶圆的过程所产生的力矩，并能够据此来判断出顶出过程是否出现异常，从而有效防止晶圆破裂或者销钉断裂等事故的发生。
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公开(公告)号：CN114234763B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202111675399.X
申请日：2021-12-31
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种位置调整量监测装置，用于检测半导体设备内加热盘的水平位置，包括：检测器板，所述检测器板上设置有孔洞，所述孔洞用于容纳加热盘与加热盘安装座之间的连接杆；位移检测器，所述位移检测器以所述孔洞的中心为中心沿圆周方向间隔排列，其检测头抵接于所述加热盘安装座的表面；与所述检测器板固定连接的连接件，用于所述检测器板安装于所述半导体设备，使用连接件使设置有位移检测器的检测器板安装于半导体设备的工艺腔体外部，有利于在工艺进行的同时监测加热盘的位置，简化将工艺效果与位置调整量关联起来的步骤，减小调整设备的时间成本，以提高整体的工艺效率。
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公开(公告)号：CN113136564B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202011632547.5
申请日：2020-12-31
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/458 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种单腔镀膜系统，包含：一框架装置；一第一腔体构成装置，连接该框架装置；一升降装置，连接该第一腔体构成装置；一第二腔体构成装置，连接该升降装置；以及一电控装置，连接该框架装置，并电连接该升降装置；其中该升降装置基于该电控装置的一第一指令，使该第二腔体构成装置下降以接合该第一腔体构成装置并构成一腔体；其中该升降装置基于该电控装置的一第二指令，使该第二腔体构成装置上升而与该第一腔体构成装置互相分离。
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公开(公告)号：CN115821232A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211650799.X
申请日：2022-12-21
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/50 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及半导体加工设备技术领域，更具体的说，涉及一种可流动性薄膜沉积设备气体流向系统。本发明提供了一种可流动性薄膜沉积设备气体流向系统，包括第一RPS反应单元、第二RPS反应单元和第三RPS清洗单元：第一RPS反应单元，可通断地与第一反应腔室连接，用于解离并输送工艺气体；第二RPS反应单元，可通断地与第二反应腔室连接，用于解离并输送工艺气体；第三RPS清洗单元，可通断地分别第一反应腔室、第二反应腔室连接，用于解离并输送清洁气体。本发明提供的可流动性薄膜沉积设备气体流向系统，通过控制不同的进气方向，实现不同的配方控制，实现不同区域的清洁，提升穹顶腔室的清洗效果，并提高单次预防性维护的跑片数量，降低持有成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115852341B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202211664236.6
申请日：2022-12-23
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供了一种半导体喷淋板中的导流装置，喷淋板包括侧周密封连接的上盖板和喷淋面板，喷淋气体由上盖板中央的进气口通入后再由喷淋面板上的多个孔洞喷淋至待加工半导体表面，导流装置设于上盖板的进气口与喷淋面板之间，导流装置的主体为锥体，底部通过支撑装置安装于喷淋面板上，锥体的侧周面自上向下呈向外扩散状以将进入进气口的气体导流至喷淋面板的各处。
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公开(公告)号：CN116013811A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211599717.3
申请日：2022-12-12
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及半导体制造设备技术领域，更具体的说，涉及一种针对异形孔喷淋板的工艺间隙校正工装及校正方法。本发明提供了一种针对喷淋板的工艺间隙校正工装，包括上方校准基准板、量块和下托板；所述上方校准基准板，通过量块与下托板连接；所述下托板，用于放置晶圆间隙量测系统；所述上方校准基准板，用于提供校准面，所述校准面与待测喷淋板面形状相同；所述量块高度与所需校准的工艺间隙高度相同。本发明提出的针对喷淋板的工艺间隙校正工装及校正方法，通过将AGS上方校准基准板的校准面设计成实际的异形孔喷淋板面，实现对异形孔喷淋板的无误差间隙校准。
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公开(公告)号：CN115863221A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211664249.3
申请日：2022-12-23
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种半导体喷淋板中的限流装置，喷淋板包括中央设有进气通道的上盖板，限流装置插装于进气通道内，限流装置为圆筒状结构，其内周沿轴向分为多段，中间段的孔径窄于上下两端的孔径，该多段之间通过斜面平滑过渡，本发明提供的半导体喷淋板中的限流装置，可以在不增加气体流量的情况下提升工艺气体进入喷淋腔室内部的动能，进而使得气体进入腔室后可以充分扩展至边缘各处，提升沉积薄膜的均匀性。
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公开(公告)号：CN115852341A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211664236.6
申请日：2022-12-23
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供了一种半导体喷淋板中的导流装置，喷淋板包括侧周密封连接的上盖板和喷淋面板，喷淋气体由上盖板中央的进气口通入后再由喷淋面板上的多个孔洞喷淋至待加工半导体表面，导流装置设于上盖板的进气口与喷淋面板之间，导流装置的主体为锥体，底部通过支撑装置安装于喷淋面板上，锥体的侧周面自上向下呈向外扩散状以将进入进气口的气体导流至喷淋面板的各处。
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公开(公告)号：CN113136564A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202011632547.5
申请日：2020-12-31
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/458 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种单腔镀膜系统，包含：一框架装置；一第一腔体构成装置，连接该框架装置；一升降装置，连接该第一腔体构成装置；一第二腔体构成装置，连接该升降装置；以及一电控装置，连接该框架装置，并电连接该升降装置；其中该升降装置基于该电控装置的一第一指令，使该第二腔体构成装置下降以接合该第一腔体构成装置并构成一腔体；其中该升降装置基于该电控装置的一第二指令，使该第二腔体构成装置上升而与该第一腔体构成装置互相分离。
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