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公开(公告)号：CN118116824A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202211513642.2
申请日：2022-11-29
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种半导体加工设备、一种半导体加工设备的控制方法以及一种计算机可读存储介质。所述半导体加工设备包括进气管路、出气管路及多个腔室，其中，所述进气管路经由多个进气分路连接各所述腔室的进气口，所述出气管路经由多个出气分路连接各所述腔室的出气口。所述半导体加工设备还包括多个后端补偿模块，分别设于各所述出气分路，用于监测各所述腔室的出气气压，并根据各所述腔室的出气气压进行后端补偿，以均衡流经各所述腔室的气体流量。
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公开(公告)号：CN115747767A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211386471.1
申请日：2022-11-07
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供了一种薄膜沉积设备进气模块及薄膜沉积设备。该进气模块包括中间进气管路及第二进气管路。中间进气管路贯穿于薄膜沉积设备进气模块的顶部和底部。第二进气管路包括横向进气支路、纵向的双层环形管路及连通管路。横向进气支路具有进气口和出气口，进气口开设于薄膜沉积设备进气模块的侧部。纵向的双层环形管路包括第一环形管路和第二环形管路。第一环形管路的内径小于和第二环形管路的内径。第二环形管路的顶端入口与横向进气支路的出气口无缝连通。连通管路位于第一环形管路和第二环形管路之间，所述连通管路包括至少一个横向支路，各横向支路的两端分别开设于所述第一环形管路和所述第二环形管路的侧壁。
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公开(公告)号：CN114234763A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111675399.X
申请日：2021-12-31
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种位置调整量监测装置，用于检测半导体设备内加热盘的水平位置，包括：检测器板，所述检测器板上设置有孔洞，所述孔洞用于容纳加热盘与加热盘安装座之间的连接杆；位移检测器，所述位移检测器以所述孔洞的中心为中心沿圆周方向间隔排列，其检测头抵接于所述加热盘安装座的表面；与所述检测器板固定连接的连接件，用于所述检测器板安装于所述半导体设备，使用连接件使设置有位移检测器的检测器板安装于半导体设备的工艺腔体外部，有利于在工艺进行的同时监测加热盘的位置，简化将工艺效果与位置调整量关联起来的步骤，减小调整设备的时间成本，以提高整体的工艺效率。
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公开(公告)号：CN113135209A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110260310.7
申请日：2021-03-10
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多硅片运输取送车，除了具备常规晶圆运送的功能外，还具备升降、伸缩的功能，在承托取送机构中设计有第一升降机构，该第一升降机构可带动托盘取送机构以及托盘进行升降，同时在承托取送机构中还设计有伸缩导轨，进而可实现托盘承托板的前后伸缩，带动托盘进行前后伸缩，通过伸缩功能与升降功的配合能够完成运输取送车的取送功能，以替代人工取送，使得该运输取送车在运送的基础上，还能够一次性取送大量硅片，提高硅片托盘取送效率的同时，有效解决以往人工取送硅片，容易存在高温烫伤的问题；该运输取送车，具有结构简单、设计合理、使用方便、可实现大量硅片的一次性取送、工作效率高，安全性好等优点。
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公开(公告)号：CN115985764A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211613898.0
申请日：2022-12-15
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01L21/04 , C23C16/455 , C23C16/32 , C23C16/40 , C23C16/24 , C23C16/42 , C23C16/34 , C23C16/30 , C23C16/06
Abstract: 本发明提供了一种半导体阻挡层的制备方法及阻挡层薄膜，该制备方法包括：在采用原子层沉积工艺制备该阻挡层的每个周期内，加热半导体基底，在第一脉冲时间内向反应腔室内的该半导体基底上通入金属化合物气体，接着在第二脉冲时间内通入载气进行吹扫，再在第三脉冲时间内通入NH3，以及在第四脉冲时间内再次通入该载气进行吹扫，重复多个周期直至满足预设工艺要求；反应初始经过一个或多个周期后，在该第一脉冲时间内同时通入硅源气体；以及随着反应的进行，逐步加大该硅源气体和该金属化合物气体的流量比例，以使得该阻挡层中沿靠近该半导体基底的方向，沉积反应得到的氮化硅与金属氮化物的含量形成浓度梯度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115595559A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211329816.X
申请日：2022-10-27
Applicant: 拓荆科技股份有限公司(CN)
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及半导体制造设备技术领域，更具体的说，涉及一种多腔室半导体设备。本发明提供的多腔室半导体设备，包括过渡管路，可通断地与吹扫管路、第一反应源管路、第二反应源管路连接，将通入的气体排出设备；吹扫管路，可通断地与第一吹扫源、第二吹扫源连接，选择接入第一吹扫源或第二吹扫源的吹扫气体；第一反应源管路，通过阀门在第一反应空间、第二反应空间和过渡管路之间进行选择切换；第二反应源管路，通过阀门在第一反应空间、第二反应空间和过渡管路之间进行选择切换。本发明将高流量吹扫气体和低流量吹扫气体持续性地流入吹扫管路，实现吹扫气体和反应源交替进入腔体，一方面减少吹扫死区，另一方面可以快速注入和快速吹扫。
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公开(公告)号：CN115274505A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210920220.0
申请日：2022-08-02
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种液体供应装置及半导体沉积设备，涉及半导体沉积设备的技术领域。液体供应装置包括液态源罐体、制冷件和密封隔热壳体；制冷件设置在液态源罐体上，液态源罐体设置在密封隔热壳体内部；密封隔热壳体上开设有出气口和能够与吹拂气源连通的进气口；液态源罐体上设置有进出管路，且进出管路的一端突出于密封隔热壳体。半导体沉积设备包括液体供应装置。达到了低温液态源的的罐子表面不会出现冷凝水的技术效果。
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公开(公告)号：CN115235119A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210917322.7
申请日：2022-08-01
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: F24H9/1809 , F24H9/00 , F24H9/20 , F24H15/212 , C23C16/448
Abstract: 本发明提供了一种流体加热装置及薄膜沉积设备，涉及薄膜沉积设备的技术领域。流体加热装置包括导热壳体和加热件；导热壳体沿其长度方向的外壁开设有流体进口，沿其长度方向的两端均开设有流体出口；导热壳体内开设有沿导热壳体长度方向的第一翻越通道和沿导热壳体宽度方向的第二翻越通道；流体进口与第一翻越通道连通，第一翻越通道与第二翻越通道连通，流体出口与第二翻越通道连通；加热件位于导热壳体内。薄膜沉积设备，包括流体加热装置。达到了占地小加热效果好的技术效果。
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公开(公告)号：CN115190664A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110361648.1
申请日：2021-04-02
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Abstract: 本申请涉及用于多区加热盘的转接结构、交流滤波器组合和方法。提供了一种用于多区加热盘的转接结构。所述多区加热盘包括加热盘射频电极、连接到第一区域加热元件的第一对加热盘交流电极以及连接到第二区域加热元件的第二对加热盘交流电极。所述转接结构包括：射频连接结构、第一对交流连接结构以及第二对交流连接结构。所述射频连接结构包括第一硬质连接器，用于将所述加热盘射频电极连接到调谐器。所述第一对交流连接结构包括第一对硬质连接器，用于将所述第一对加热盘交流电极连接到第一交流滤波器。所述第二对交流连接结构包括第二对硬质连接器，用于将所述第二对加热盘交流电极连接到第二交流滤波器。
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公开(公告)号：CN113838769A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202010587217.2
申请日：2020-06-24
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体处理腔体，包含腔室、气体供应源、远程电浆源、复数个孔洞以及侧面通道。其中，腔室由侧壁、顶部和底部相连接定义而成；气体供应源，用于提供气体；远程电浆源与气体供应源相连接，以将气体转化为电浆态；复数个孔洞位于侧壁且呈现环状排列以围绕该腔室；侧面通道连接远程电浆源与该些孔洞，以将电浆态的气体扩散至该等孔洞。
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