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公开(公告)号：CN116206938A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210926902.2
申请日：2022-08-03
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种密封环及其制备方法。所述密封环安装于真空腔体的本体和盖体之间，在所述盖体闭合时形变以密封所述真空腔体。所述密封环中包括导电部及绝缘部。所述导电部朝向外部环境，并在所述盖体闭合时接触所述本体和所述盖体。所述绝缘部朝向所述真空腔体内部的真空环境，并在所述盖体闭合时阻隔所述导电部与真空环境的接触。本发明能够在狭窄的空间内实现密封和导电的功能，并避免对真空腔体内部的真空环境造成金属污染。
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公开(公告)号：CN113445029A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010221138.X
申请日：2020-03-25
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/505 , C23C16/458 , C23C16/455
Abstract: 本申请涉及双面沉积设备及方法。所述双面沉积设备包括：腔室；上电极，其设置于所述腔室中且包括第一喷淋头，所述第一喷淋头用于提供第一反应气体至晶圆的上表面，以在所述上电极与所述晶圆的上表面之间形成第一等离子体区；下电极，其设置于所述腔室中且包括第二喷淋头，所述第二喷淋头用于提供第二反应气体至所述晶圆的下表面，以在所述下电极与所述晶圆的下表面之间形成第二等离子体区，其中所述第一喷淋头提供第一反应气体的期间与所述第二喷淋头提供第二反应气体的期间至少有部分重叠。
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公开(公告)号：CN112736015B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202011627023.7
申请日：2020-12-31
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01J37/32
Abstract: 本发明是关于一种用于调节电浆曲线的装置，包含一金属调节环，其具有一内侧面、一斜面及一顶面，所述斜面自该顶面向所述内侧面向下延伸，所述斜面与所述顶面定义一夹角，所述夹角介于150度至120度之间。
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公开(公告)号：CN117477298B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202311561155.8
申请日：2023-11-21
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Inventor： 张赛谦
Abstract: 本发明涉及半导体设备技术领域，更具体的说，涉及一种提升热传导性能的用于加热盘的射频连接器以及射频连接组件。本发明提供了一种用于加热盘的射频连接器，包括射频连接器本体和射频连接头：所述射频连接头内部的底端，填充导热材料，与射频杆接触并导热。本发明提出的一种用于加热盘的射频连接组件以及射频连接器，通过在连接器结构内部填充导热材料的方式，显著增强了射频连接器的导热性能，使其能够高温环境下稳定工作，同时延长使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117477298A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311561155.8
申请日：2023-11-21
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Inventor： 张赛谦
Abstract: 本发明涉及半导体设备技术领域，更具体的说，涉及一种提升热传导性能的用于加热盘的射频连接器以及射频连接组件。本发明提供了一种用于加热盘的射频连接器，包括射频连接器本体和射频连接头：所述射频连接头内部的底端，填充导热材料，与射频杆接触并导热。本发明提出的一种用于加热盘的射频连接组件以及射频连接器，通过在连接器结构内部填充导热材料的方式，显著增强了射频连接器的导热性能，使其能够高温环境下稳定工作，同时延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN116403879A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202111615718.8
申请日：2021-12-27
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体设备。所述等离子体设备包括基座、电极以及多层金属网。所述基座经配置以承载待加工工件。所述电极设置于所述基座的上方。所述电极经配置以接收射频功率。所述多层金属网设置于所述基座与所述电极之间。所述多层金属网之间具有电位差。
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公开(公告)号：CN116313972A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202111522216.0
申请日：2021-12-13
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Inventor： 张赛谦
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明揭露一种改善边缘对流的晶圆支撑装置，包括：一支撑盘，具有一顶面及一底面。所述支撑盘的顶面具有一承载面及一非承载面，其中所述非承载面位于所述承载面的外侧，且所述非承载面至所述底面之间形成有多个通孔，所述多个通孔环绕所述承载面，用于将气体引导至所述支撑盘的下方。此外，本发明还提供了一种半导体工艺设备。
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公开(公告)号：CN115852340A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211578788.5
申请日：2022-12-07
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，更具体的说，涉及一种原子层沉积三腔单电源控制系统。本发明提供的原子层沉积多腔单电源控制系统，包括控制模块、射频电源、射频阻抗、若干个固态继电器及对应的射频回路和反应腔：所述控制模块，对固态继电器进行开启或断开；所述控制模块，控制固态继电器的开关通断频率，根据原子层沉积工艺设置供能时间段，分时顺序对各个射频回路提供射频能量；所述射频回路，利用固态断电器的通断，为对应的反应腔提供射频能量，进行原子层沉积工艺。本发明提供的原子层沉积多腔单电源控制系统，采用单电源为多个原子层沉积反应腔进行错峰射频供电，能够有效减少射频电源的配置个数，节约设备投入成本。
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公开(公告)号：CN114203513A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111523567.3
申请日：2021-12-14
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种功率电极及等离子体处理设备，该功率电极的中心区域相对作为下电极的基座的距离较近，外围区域相对基座比较远，故该等离子体设备的反应室内部中间区域的等离子体密度比较高，外围区域的等离子体密度比较低，其中中间区域的等离子体对于晶圆加工起到主要作用，中间区域产生均匀等离子体的沉积区域，周边的等离子体密度小可以消除与功率电极薄膜层的影响，提高功率电极的使用寿命，进而提高等离子体设备的使用寿命和保障晶圆加工质量。
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