公开(公告)号：CN116403879A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202111615718.8

申请日：2021-12-27

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 张赛谦 ,  申思 ,  刘忠武

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种等离子体设备。所述等离子体设备包括基座、电极以及多层金属网。所述基座经配置以承载待加工工件。所述电极设置于所述基座的上方。所述电极经配置以接收射频功率。所述多层金属网设置于所述基座与所述电极之间。所述多层金属网之间具有电位差。

公开(公告)号：CN116403880A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202111616380.8

申请日：2021-12-27

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 张赛谦 ,  刘忠武 ,  申思

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种等离子体设备。所述等离子体设备包括基座、金属环以及可移动介质环。所述基座经配置以承载待加工工件。所述金属环设置于所述基座之上。所述金属环经配置以环绕所述待加工工件。可移动介质环设置于所述基座之上。所述可移动介质环的正投影覆盖所述金属环。

公开(公告)号：CN114334755A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111682474.5

申请日：2021-12-31

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 李慧 ,  沙俊汀 ,  刘忠武

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种用于降低晶圆温度的装置，包含：一存放架，具有一腔室及复数个支撑件，所述复数个支撑件配置于所述腔室内，用以支撑和收容复数个晶圆；以及一气体输送模块，配置于所述存放架的一侧，且与一气体源连接，所述气体输送模块具有复数个分气出口及复数个气孔，每一分气出口对应每一气孔，且每一气孔位于两个支撑件之间。

公开(公告)号：CN111354657B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201811581220.2

申请日：2018-12-24

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 谭华强 ,  周仁 ,  吕光泉 ,  张孝勇 ,  李晶 ,  荒见淳一 ,  金基烈 ,  申思 ,  刘忠武 ,  王卓

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明揭露一种半导体多站处理腔体，其中每一站包含：由多个壁所定义的一下沉空间，其提供有用于支撑基板或晶圆的一支撑座，该支撑座与定义该下沉空间的多个内壁之间形成一第一间隙；一覆盖组件，固定于一盖体且位于该支撑座的上方以定义一处理区，该覆盖组件包含一喷淋板，该喷淋板与该上盖之间形成用于提供吹扫气体的一第二间隙；及一隔离组件，可升降于该下沉空间与该覆盖组件之间，以选择地包围该支撑座与该覆盖组件之间定义的处理区或退回下沉空间中。当该隔离组件包围该处理区时，该站与相邻的另一站形成结构上的隔离。

公开(公告)号：CN113445029A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202010221138.X

申请日：2020-03-25

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 吕光泉 ,  张赛谦 ,  刘忠武

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/458 ,  C23C16/455

Abstract: 本申请涉及双面沉积设备及方法。所述双面沉积设备包括：腔室；上电极，其设置于所述腔室中且包括第一喷淋头，所述第一喷淋头用于提供第一反应气体至晶圆的上表面，以在所述上电极与所述晶圆的上表面之间形成第一等离子体区；下电极，其设置于所述腔室中且包括第二喷淋头，所述第二喷淋头用于提供第二反应气体至所述晶圆的下表面，以在所述下电极与所述晶圆的下表面之间形成第二等离子体区，其中所述第一喷淋头提供第一反应气体的期间与所述第二喷淋头提供第二反应气体的期间至少有部分重叠。