公开(公告)号：CN115747767A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211386471.1

申请日：2022-11-07

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 魏薇 ,  张赛谦 ,  刘振 ,  王婷

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明提供了一种薄膜沉积设备进气模块及薄膜沉积设备。该进气模块包括中间进气管路及第二进气管路。中间进气管路贯穿于薄膜沉积设备进气模块的顶部和底部。第二进气管路包括横向进气支路、纵向的双层环形管路及连通管路。横向进气支路具有进气口和出气口，进气口开设于薄膜沉积设备进气模块的侧部。纵向的双层环形管路包括第一环形管路和第二环形管路。第一环形管路的内径小于和第二环形管路的内径。第二环形管路的顶端入口与横向进气支路的出气口无缝连通。连通管路位于第一环形管路和第二环形管路之间，所述连通管路包括至少一个横向支路，各横向支路的两端分别开设于所述第一环形管路和所述第二环形管路的侧壁。

公开(公告)号：CN115527831A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202211124813.2

申请日：2022-09-15

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 刘振 ,  吴凤丽 ,  魏薇 ,  王婷

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种喷淋板装置及其半导体设备。该喷淋板装置包括喷淋板和向上凸出于喷淋板的板面设置的冷却气道结构，冷却气道结构的顶部远离喷淋板的板面设置，且冷却气道结构的顶部设置为密封端面，密封端面上具有工艺气体入口；喷淋板的板面上还安装有加热装置或喷淋板的板面上具有用于固定安装加热装置的加热装置固定面。该喷淋板装置及其半导体设备解决了现有技术存在的喷淋板高温时伴随的密封端面出现的高温渗透以及外漏等问题，同时提高加热均匀性。

公开(公告)号：CN118880289A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202411277232.1

申请日：2024-09-11

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 汤雨竹 ,  魏有雯 ,  魏薇

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明公开了一种抽气结构和半导体器件的加工设备。该抽气结构位于反应腔内，包括：抽气板，其表面包括若干个抽气孔；以及隔流组件，位于所述抽气板和所述反应腔底部侧方的抽气通道之间，所述隔流组件包括多层隔流层，各所述隔流层上的导流孔的孔位结构与所述抽气通道的距离相关，用于分层降低从所述抽气板到所述抽气通道之间的抽气流阻。通过上述抽气结构，能够调整薄膜沉积工艺过程中的抽气流阻，提升晶圆表面抽气的均匀性，从而避免因抽气口偏心而导致抽气过程中薄膜工艺数据产生偏移，影响工艺精度的均匀性。

公开(公告)号：CN219526782U

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202223481973.0

申请日：2022-12-26

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 褚鑫辉 ,  王婷 ,  魏薇 ,  周伟杰

IPC: C23C14/56 ,  C23C16/44

Abstract: 本实用新型涉及半导体设备技术领域，具体涉及一种抽气环及反应腔结构。本实用新型提供的一种抽气环，包括本体，所述本体为圆环状；所述本体的侧面均匀开设有多个抽气孔；所述本体具有两个半环；两个所述半环之间具有两个连接处，分别为第一连接处和第二连接处；在第一个所述半环上从所述第一连接处到所述第二连接处，所述抽气孔的孔径依次增大；在第二个所述半环上从所述第一连接处到所述第二连接处。保证加热盘上方压力与速度的分布和加热盘的几何中心趋于重合，这样能够改变抽气时气体的分布情况，使气体能够均匀对称地分布在晶圆的表面，能够起到平衡气体抽走速率，改善气体在晶圆表面的分布情况的作用。