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公开(公告)号：CN117654347A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211007478.8
申请日：2022-08-22
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Abstract: 本申请的一个方面提供一种用于流体混合的装置，其包括：输入端，其经配置以接收多种流体；缓冲碗，其第一端耦接到所述输入端，且所述缓冲碗经配置以从所述输入端接收所述多种流体；第一旋流板，其第一侧耦接到所述缓冲碗的第二端，其中所述第一旋流板具有从所述第一侧延伸到所述第一旋流板的第二侧的第一多个通孔，所述第一多个通孔经配置以将来自所述缓冲碗的所述多种流体从所述第一侧引导到所述第二侧；第一混合碗，其第一端耦接到所述第一旋流板的所述第二侧，且所述第一混合碗经配置以容纳来自所述第一多个通孔的所述多种流体；以及输出端，其耦接到所述第一混合碗的第二端且经配置以输出经混合的所述多种流体。
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公开(公告)号：CN113832449B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202010584724.0
申请日：2020-06-24
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/46
Abstract: 本发明是关于一种半导体薄膜的沉积设备和沉积方法，包括腔体和盖板，加热盘，加热盘通过支撑杆支撑，还包括：晶圆升降机构设置于腔体内；水平调节机构设置于腔体外；晶圆升降机构包括：同心定位盘设置于腔体内，位于加热盘的下方；同心调整手，通过板簧设置于同心定位盘的边缘上，与同心定位盘活动连接，同心调整手包括平行设置的第一横板第二横板和竖板；顶针支板，设置于加热盘和第二横板之间，均匀设有多个顶针；蓝宝石玻璃，设置于顶针支板的下方；动力单元，通过支杆与顶针支板连接，支杆贯穿腔体。保证晶圆与加热盘和喷淋板的同心设置，以及三者平行度，从而提高晶圆的薄膜沉积质量，提高产品的成品率，进而提高企业的经济性。
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公开(公告)号：CN113136564A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202011632547.5
申请日：2020-12-31
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/458 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种单腔镀膜系统，包含：一框架装置；一第一腔体构成装置，连接该框架装置；一升降装置，连接该第一腔体构成装置；一第二腔体构成装置，连接该升降装置；以及一电控装置，连接该框架装置，并电连接该升降装置；其中该升降装置基于该电控装置的一第一指令，使该第二腔体构成装置下降以接合该第一腔体构成装置并构成一腔体；其中该升降装置基于该电控装置的一第二指令，使该第二腔体构成装置上升而与该第一腔体构成装置互相分离。
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公开(公告)号：CN118880289A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411277232.1
申请日：2024-09-11
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种抽气结构和半导体器件的加工设备。该抽气结构位于反应腔内，包括：抽气板，其表面包括若干个抽气孔；以及隔流组件，位于所述抽气板和所述反应腔底部侧方的抽气通道之间，所述隔流组件包括多层隔流层，各所述隔流层上的导流孔的孔位结构与所述抽气通道的距离相关，用于分层降低从所述抽气板到所述抽气通道之间的抽气流阻。通过上述抽气结构，能够调整薄膜沉积工艺过程中的抽气流阻，提升晶圆表面抽气的均匀性，从而避免因抽气口偏心而导致抽气过程中薄膜工艺数据产生偏移，影响工艺精度的均匀性。
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公开(公告)号：CN113136564B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202011632547.5
申请日：2020-12-31
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/458 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种单腔镀膜系统，包含：一框架装置；一第一腔体构成装置，连接该框架装置；一升降装置，连接该第一腔体构成装置；一第二腔体构成装置，连接该升降装置；以及一电控装置，连接该框架装置，并电连接该升降装置；其中该升降装置基于该电控装置的一第一指令，使该第二腔体构成装置下降以接合该第一腔体构成装置并构成一腔体；其中该升降装置基于该电控装置的一第二指令，使该第二腔体构成装置上升而与该第一腔体构成装置互相分离。
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公开(公告)号：CN114203609A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111523715.1
申请日：2021-12-14
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本申请公开一种反应腔设备，其腔室内设有加工待加工件的加工位，包括同心设置的至少两个传送装置，所述传送装置均设有多个支撑部，所述加工位位于相邻两个所述传送装置之间；且相邻两个所述传送装置中，位于外侧的所述传送装置的至少一个所述支撑部与位于内侧的所述传送装置的至少一个所述支撑部组成一个支撑所述待加工件的支撑位，所有所述传送装置的所述支撑部均能够同心旋转。本申请中，反应腔设备的加工位分布于相邻两个传送装置之间，位于外侧的传送装置的支撑部，与位于内侧的传送装置的支撑部沿径向具有间距，这样支持待加工件的支撑部无需位于整个加热盘的上方，从而减少产生污染颗粒的概率，保障待加工件的加工品质。
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公开(公告)号：CN116031196A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202111445081.2
申请日：2021-11-30
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种基板调平结构和调平装置，本发明的基板调平结构包括固定组件、调平板和定位组件，固定组件设有第一抵接面，调平板设有第二抵接面，且第一抵接面和/或第二抵接面设置为球面，第二抵接面抵接于第一抵接面，调平板通过第二抵接面和第一抵接面转动设置于固定组件，定位组件的一端固定设置于固定组件，定位组件的另一端活动设置于调平板，定位组件用于固定调平板。本发明的基板调平结构通过第一抵接面和第二抵接面使调平板可转动的设置于固定组件，使得调平板可在球面的范围内进行调整，能够全方位进行调整，转动角度和方位受限程度小，且通过定位组件能够使调平板能够保持固定的角度。
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公开(公告)号：CN110284119B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910663986.3
申请日：2019-07-23
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 本发明属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域，涉及一套防止加热盘边缘热量损失的保温罩。该保温罩设置在腔室内衬和加热盘边缘上，即包括腔室内壁保温罩和加热盘边缘罩，所述腔室内壁保温罩为在腔室的底部、顶部、围墙即在做薄膜沉积时的加热盘(8)的周围设置一层三维保温罩，所述加热盘边缘罩为在加热盘(8)上加盖一组保温盖，包括边缘保温罩(9)和顶部保温盖(10)。本发明的目的是防止腔室内加热盘边缘热量损失，且保证晶圆工艺环境温度均匀，使沉积对温度要求很高的膜时其质量不被温度所影响。
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公开(公告)号：CN116276738A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202111510425.3
申请日：2021-12-10
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体工艺零件安装工装结构，所述工装结构包括：第一工艺零件、第二工艺零件、承载件、升降机构和第三定位件；所述第二工艺零件用于与所述第一工艺零件配合；所述承载件用于承载所述第一工艺零件；所述升降机构用于控制所述承载件升降；所述第三定位件用于固定所述承载件。该工装结构用于在拆装过程中托举第一工艺零件，使第一工艺零件与第二工艺零件精准贴合，便于紧固安装，实现省时省力的技术效果。
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公开(公告)号：CN115235119A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210917322.7
申请日：2022-08-01
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: F24H9/1809 , F24H9/00 , F24H9/20 , F24H15/212 , C23C16/448
Abstract: 本发明提供了一种流体加热装置及薄膜沉积设备，涉及薄膜沉积设备的技术领域。流体加热装置包括导热壳体和加热件；导热壳体沿其长度方向的外壁开设有流体进口，沿其长度方向的两端均开设有流体出口；导热壳体内开设有沿导热壳体长度方向的第一翻越通道和沿导热壳体宽度方向的第二翻越通道；流体进口与第一翻越通道连通，第一翻越通道与第二翻越通道连通，流体出口与第二翻越通道连通；加热件位于导热壳体内。薄膜沉积设备，包括流体加热装置。达到了占地小加热效果好的技术效果。
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