公开(公告)号：CN116005138A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211598687.4

申请日：2022-12-12

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 郑意 ,  野沢俊久 ,  许嘉毓 ,  娄文博 ,  李健 ,  陈新益

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的薄膜沉积装置、一种半导体器件、一种半导体器件的薄膜沉积方法以及一种计算机可读存储介质。该半导体器件的薄膜沉积装置包括反应腔、射频发生器、可调电容及控制器，其中，控制器被配置为：确定对半导体器件进行薄膜沉积时的目标能量密度；根据目标能量密度及射频发生器的射频频率，调节可调电容的电容值，以使沉积功率、射频时间及反应腔中的沉积压力匹配目标能量密度；以及基于目标能量密度的工艺条件，对半导体器件进行薄膜沉积。

公开(公告)号：CN116005138B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202211598687.4

申请日：2022-12-12

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 郑意 ,  野沢俊久 ,  许嘉毓 ,  娄文博 ,  李健 ,  陈新益

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的薄膜沉积装置、一种半导体器件、一种半导体器件的薄膜沉积方法以及一种计算机可读存储介质。该半导体器件的薄膜沉积装置包括反应腔、射频发生器、可调电容及控制器，其中，控制器被配置为：确定对半导体器件进行薄膜沉积时的目标能量密度；根据目标能量密度及射频发生器的射频频率，调节可调电容的电容值，以使沉积功率、射频时间及反应腔中的沉积压力匹配目标能量密度；以及基于目标能量密度的工艺条件，对半导体器件进行薄膜沉积。