公开(公告)号：CN116024553A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211723735.8

申请日：2022-12-30

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 柴雪 ,  李晶 ,  田云龙 ,  陈新益 ,  野沢俊久

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供了一种多站式沉积腔、一种多站式沉积腔的控制方法、一种半导体器件的加工装置以及一种计算机可读存储介质。该多站式沉积腔包括：多个晶圆托盘，用于承载多个晶圆，以对各晶圆进行同步的薄膜沉积反应；以及喷淋盖，包括多个喷淋头，其中，每一喷淋头对应一个晶圆托盘，喷淋头的边缘设置有气体喷射口，用于在进行薄膜沉积反应之前，在晶圆托盘的边缘喷气形成气帘。通过在每站周围增加气帘，本发明能够在多站式沉积腔中的狭小空间内实现站与站之间有效阻隔，从而避免了共通区域成膜及微粒的产生。

公开(公告)号：CN115574886A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202211402744.7

申请日：2022-11-09

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 许嘉毓 ,  李健 ,  野沢俊久 ,  吕志鹏 ,  赵郁晗 ,  刘雯伊 ,  柴雪

IPC: G01F22/02

Abstract: 本发明提供了一种液体前驱体源瓶储量侦测方法，所述方法包括：对已知储量的所述源瓶进行抽空和回复状态测试；记录进入回复状态的时间段t1以及此时对应的压力检测计读数p1；根据t1和p1的值计算得到所述源瓶内的液体前驱体在当前温度以及当前压力下的扩散系数D，并进而计算得到绝对温度和绝对压力下的扩散系数D0；对于未知储量的所述源瓶进行抽空和回复状态测试；记录进入回复状态的时间段t2以及此时对应的压力检测计读数p2；根据绝对温度和绝对压力下的扩散系数D0，计算出当前温度和当前压力下的扩散系数D；根据当前温度和当前压力下的扩散系数D以及t2和p2的值，计算得到所述液体前驱体表面至压力检测计的距离。

公开(公告)号：CN114322772A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111675360.8

申请日：2021-12-31

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 柴雪 ,  李晶 ,  野沢俊久

IPC: G01B11/00

Abstract: 本发明提供了一种调整基座装置，所述调整基座装置包括检测部和调整部，所述检测部用于检测基座的边缘以获取最大弧长，所述检测部还用于检测所述检测部与基座之间的最短距离，所述调整部与所述检测部连接，所述调整部用于根据所述最大弧长、所述最短距离和预设的标准数据调整基座的水平位置和中心位置。本发明还提供了一种调整基座方法。

公开(公告)号：CN114322772B

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202111675360.8

申请日：2021-12-31

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 柴雪 ,  李晶 ,  野沢俊久

IPC: G01B11/00

Abstract: 本发明提供了一种调整基座装置，所述调整基座装置包括检测部和调整部，所述检测部用于检测基座的边缘以获取最大弧长，所述检测部还用于检测所述检测部与基座之间的最短距离，所述调整部与所述检测部连接，所述调整部用于根据所述最大弧长、所述最短距离和预设的标准数据调整基座的水平位置和中心位置。本发明还提供了一种调整基座方法。

公开(公告)号：CN117051376A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202210479646.7

申请日：2022-05-05

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 黄明策 ,  野沢俊久 ,  李晶 ,  柴雪

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/448 ,  C23C16/52

Abstract: 本申请提供一种用于薄膜沉积的系统，其包括：管路系统，其包括第一管路；液箱，其包含阀门组，所述阀门组经配置以将第一气体输送至所述第一管路；加热装置，其经配置以加热第二气体并将经加热的所述第二气体提供至所述第一管路；以及反应设备，其包括混气装置，所述混气装置经配置以接收来自第一管路的所述第一气体和经加热的所述第二气体。

公开(公告)号：CN216902795U

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202123382538.8

申请日：2021-12-29

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 柴雪 ,  李晶 ,  野沢俊久

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本实用新型提供了一种晶圆加工设备，包括反应腔室、供料装置、加工装置、支撑座和绝缘件；反应腔室设有第一通孔，供料装置与第一通孔连通，加工装置对应第一通孔设置于反应腔室内，支撑座对应加工装置设置；绝缘件设置于第一通孔，绝缘件用于阻碍等离子体进入第一通孔。本实用新型的晶圆加工设备通过设置反应腔室，提供晶圆加工的场所，通过设置供料装置提供晶圆加工的原料，通过设置支撑座对晶圆进行支撑，通过设置加工装置向晶圆喷射等离子体并对晶圆进行加工，同时通过设置绝缘件能够阻碍加工装置产生的等离子体进入工料装置的供料管和第一通孔，能够对供料管和第一通孔处的反应腔室形成保护。