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公开(公告)号：CN115692157A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211384911.X
申请日：2022-11-07
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体设备进料块结构及进气装置，涉及半导体设备的技术领域，包括进料块主体和调温机构；进料块主体贯穿开设有多条输气通道，每条输气通道呈单独贯通，通过利用每个单独的输气通道分别单独输送每种气体，可以保证在进入反应腔内的气体单独进气；调温机构能够调节进料块主体的整体温度，以调节经输气通道输送的气体温度，即利用调温机构即能够对输气通道内的气体进行升温，也可以进行冷却；实现了对不同气体的更广范围的温度控制，缓解了现有技术中存在的两种及以上的气体共用一个气道输送时，会增加反应腔内部的颗粒污染，以及无法满足升温调节气体温度的技术问题。
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