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公开(公告)号:CN1208626C
公开(公告)日:2005-06-29
申请号:CN00818564.6
申请日:2000-11-23
申请人: 克里斯多弗·沃彻
发明人: 克里斯多弗·沃彻
IPC分类号: G01R31/305
CPC分类号: G01R31/305
摘要: 本发明涉及测量导体(4)的一端到另一端的电阻或导体之间的电阻,为此测试目的,与导体无任何机械接触地在导体中建立电流;该方法包括面向并靠近所述导体(4)设置一块包含多个导电区(8、10)的装置板(2),这些导电区可被个别地置于任何可调电位;用一粒子束(7)照射所述导体(4)上的第一点(C)以从中击出电子,并在所述导体(4)的第二点(B)处注入电子。
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公开(公告)号:CN1425138A
公开(公告)日:2003-06-18
申请号:CN00818564.6
申请日:2000-11-23
申请人: 克里斯多弗·沃彻
发明人: 克里斯多弗·沃彻
IPC分类号: G01R31/305
CPC分类号: G01R31/305
摘要: 本发明涉及测量导体(4)的一端到另一端的电阻或导体之间的电阻,为此测试目的,与导体无任何机械接触地在导体中建立电流;该方法包括面向并靠近所述导体(4)设置一块包含多个导电区(8、10)的装置板(2),这些导电区可被个别地置于任何可调电位;用一粒子束(7)照射所述导体(4)上的第一点(C)以从中击出电子,并在所述导体(4)的第二点(B)处注入电子。
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公开(公告)号:CN117795431A
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202280055937.1
申请日:2022-07-15
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: H·P·M·佩莱曼斯 , B·H·高利
IPC分类号: G03F7/20 , G01R31/305 , H01J37/28 , H01L21/66
摘要: 一种确定衬底的套刻测量的方法,包括:将电荷注入到衬底的电荷注入元件中;确定第一对元件的第一电容和第二对元件的第二电容;以及基于第一电容和第二电容确定电容比。套刻测量可以基于电容比来确定,电容比可以指示不平衡。
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公开(公告)号:CN106443420B
公开(公告)日:2019-11-15
申请号:CN201610783052.X
申请日:2016-08-30
申请人: 哈尔滨工业大学
IPC分类号: G01R31/305 , G01R31/3181 , G01R31/319
摘要: 本发明涉及一种空间飞行器信息处理单元辐射退化测量装置及方法,为了解决现有技术的测试方法需要外接测量设备,不适合卫星上的实际使用情况的问题,本发明提出一种空间飞行器信息处理单元辐射退化测量装置,包括环振组、输出选择开关、计数器、定时器、测量控制模块以及输出总线接口,输出选择开关用于从所有环振单元中选择一个为计数器提供频率信号,频率信号用于反映FPGA器件的退化程度;定时器达到定时时长后,向计数器及测量控制模块发送停止信号;测量控制模块能够向计数器以及定时器发送启动信号;输出总线接口用于将测量控制模块中的频率信号读取至总线。本发明还包括一种空间飞行器信息处理单元辐射退化测量方法。本发明适用于空间飞行器。
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公开(公告)号:CN105588844A
公开(公告)日:2016-05-18
申请号:CN201410576461.3
申请日:2014-10-24
申请人: 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号: G01N21/95 , G01Q30/02 , G01R31/305
摘要: 本发明公开了一种芯片对数据库的接触窗检测方法,包括取得晶片中数个接触窗的实际影像,并对所述实际影像的位置进行译码,以得到图形文件。将图形文件与芯片的设计数据库(design database)对准。然后,对所述实际影像进行影像萃取,以得到接触窗的影像轮廓,随后测量接触窗的所述影像轮廓与上述设计数据库中的对应接触窗在关键尺寸上的差异,以得到晶片的接触窗检测结果。
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公开(公告)号:CN103649764A
公开(公告)日:2014-03-19
申请号:CN201280035123.8
申请日:2012-07-10
申请人: 奥宝科技股份有限公司 , 烽腾科技有限公司
IPC分类号: G01R31/305
CPC分类号: G01R1/072 , G01R31/305 , H01J33/00 , H01J2237/164
摘要: 本发明提供一种非机械性接触信号测量装置,其包括:位于待测结构上的第一导体以及接触所述第一导体的气体。至少一电子束被引导至所述气体中,以在所述至少一电子束穿过所述气体之处在所述气体中形成等离子体。第二导体电性接触所述等离子体。当所述等离子体被引导于所述第一导体上时,信号源经由所述第一导体、所述等离子体及所述第二导体耦接至电性测量设备。所述电性测量设备可响应于所述信号源。
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公开(公告)号:CN100535678C
公开(公告)日:2009-09-02
申请号:CN200380110686.X
申请日:2003-11-12
申请人: 国际商业机器公司
发明人: C·W·克莱因 , E·J·亚姆出克 , V·A·阿雷纳 , D·A·默特 , T·皮昆科 , B·J·沃斯金斯基 , C·J·亨德里克斯 , M·E·斯卡马 , R·S·小奥利亚 , A·哈尔珀林
IPC分类号: G01R31/06 , G01R31/305 , G03G15/00
CPC分类号: G01R31/2805 , G01R19/0061 , G01R31/302
摘要: 一种用于在电子衬底(20)中的断路和短路的无接触电测试的方法和装置。将顶表面电测试部件(22)暴露于在环境条件下的电离源(10)并且通过与对应的底表面部件(23)接触的探针测量随后的电荷积累作为漏电流。通过漏电流的消失检测断路,并且通过关闭电离源(10)以及利用施加到阵列中每个探针的不同偏置再次测量底表面探针来检测短路。
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公开(公告)号:CN101460857A
公开(公告)日:2009-06-17
申请号:CN200780020797.X
申请日:2007-04-04
申请人: 应用材料合资公司
发明人: 伯恩哈德·冈特·米勒 , 拉尔夫·施密德 , 麦特瑟斯·波拉纳
IPC分类号: G01R31/305 , G02F1/1362 , G02F1/13
CPC分类号: G02F1/1309 , G02F2001/136254
摘要: 本发明涉及光电模块的光辅助测试,并提供了一种用于测试光电模块(10)的设备(1),所述设备包括用于生成电磁束或粒子束(15)的第一源(11)、用于照射光电模块(10)的第二源(12)和检测器(13)。还提供了一种用于测试光电模块(10)的方法,所述方法包括照射光电模块(10)、引导电磁束或粒子束(15)和检测光电模块(10)中的缺陷。通过除电磁束或粒子束(15)之外的照射,使在没有照射时无法检测的缺陷可见。
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公开(公告)号:CN1879026A
公开(公告)日:2006-12-13
申请号:CN200380110686.X
申请日:2003-11-12
申请人: 国际商业机器公司
发明人: C·W·克莱因 , E·J·亚姆出克 , V·A·阿雷纳 , D·A·默特 , T·皮昆科 , B·J·沃斯金斯基 , C·J·亨德里克斯 , M·E·斯卡马 , R·S·小奥利亚 , A·哈尔珀林
IPC分类号: G01R31/06 , G01R31/305 , G03G15/00
CPC分类号: G01R31/2805 , G01R19/0061 , G01R31/302
摘要: 一种用于在电子衬底(20)中的断路和短路的无接触电测试的方法和装置。将顶表面电测试部件(22)暴露于在环境条件下的电离源(10)并且通过与对应的底表面部件(23)接触的探针测量随后的电荷积累作为漏电流。通过漏电流的消失检测断路,并且通过关闭电离源(10)以及利用施加到阵列中每个探针的不同偏置再次测量底表面探针来检测短路。
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公开(公告)号:CN1714298A
公开(公告)日:2005-12-28
申请号:CN200380103561.4
申请日:2003-11-14
申请人: 应用材料有限公司
发明人: 马蒂亚斯·布伦纳
IPC分类号: G01R31/305 , G01R31/28 , G09G3/00 , G01R31/302 , G01R1/073
CPC分类号: G09G3/006 , G01R31/2887 , G01R31/302
摘要: 本发明涉及定位基底(140)以及为了用具有光轴或相应设备的检验装置检验而接触检验对象(301)的方法。从而,基底被放置在支撑台(130)上。相对于光轴定位基底。接触单元(150)也相对于光轴被定位,其中接触单元的定位与基底的定位操作无关。因此可以实现基底上检验对象的灵活接触。
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