使用平衡电容目标的套刻测量

发明公开

CN117795431A 使用平衡电容目标的套刻测量审中-实审

摘要：

一种确定衬底的套刻测量的方法，包括：将电荷注入到衬底的电荷注入元件中；确定第一对元件的第一电容和第二对元件的第二电容；以及基于第一电容和第二电容确定电容比。套刻测量可以基于电容比来确定，电容比可以指示不平衡。

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IPC分类:

G	物理
G03	摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F	图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G）
G03F7/00	图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L21/00，H05K）
G03F7/20	.曝光及其设备（复制用照相印制设备入G03B27/00）