公开(公告)号：CN103179788A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210564476.9

申请日：2012-12-21

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 边鹤均 ,  金泰勋 ,  朴智贤 ,  全炳哲 ,  千承振

IPC分类号： H05K1/18

CPC分类号： H01L23/18 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/18161 ,  H05K3/284 ,  H05K2203/1316 ,  H05K2203/1327 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种用于模塑底部填充的印刷电路板和印刷电路板模塑结构，其可以扩展印刷电路板的应用范围，并且可以解决在制造半导体封装件的过程中会产生空隙的问题。所述印刷电路板包括：其上安装有多个半导体芯片并且被密封的模塑区域；以及形成在模塑区域周围的外围区域，该外围区域在模塑处理期间接触用于进行模塑的模具，并且该外围区域包括第一截面和与第一截面相对所第二截面，第一截面邻近将模塑材料注入的部分，第二截面邻近将空气排出的部分，其中在模塑区域中布置半导体芯片的有源区域被布置成靠近第一截面。

公开(公告)号：CN103154070A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180049911.8

申请日：2011-10-18

申请人： 三菱化学株式会社

发明人： 池本慎 ,  河瀬康弘 ,  村瀬友英 ,  高桥淳 ,  平井孝好 ,  上村以帆

IPC分类号： C08G59/14 ,  C08G59/20

CPC分类号： H01L23/18 ,  C08L63/00 ,  C09D163/00 ,  H01L24/13 ,  H01L24/83 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供在半导体器件芯片的3D叠层化中，将半导体器件芯片间的焊料凸块等与触点接合的同时、形成导热性高的层间填充层的层间填充材料组合物、涂布液、以及三维集成电路的制造方法。所述三维集成电路用层间填充材料组合物含有树脂(A)及熔剂(B)，所述树脂(A)在120℃的熔融粘度为100Pa·s以下，且相对于树脂(A)每100重量份，熔剂(B)的含量为0.1重量份以上且10重量份以下；或者，其含有树脂(A)、无机填料(C)、以及固化剂(D)和/或熔剂(B)，所述树脂(A)在120℃的熔融粘度为100Pa·s以下、且其导热系数为0.2W/mK以上，所述无机填料(C)的导热系数为2W/mK以上、体积平均粒径为0.1μm以上且5μm以下、且最大体积粒径为10μm以下。

公开(公告)号：CN102034788A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010184938.5

申请日：2010-05-21

申请人： 冲电气工业株式会社

发明人： 伊藤正纪

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/56 ,  H01L23/053 ,  H01L23/10 ,  H01L23/18 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/06 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17135 ,  H01L2224/17164 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/922 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 半导体元件内置基板和半导体元件内置基板的制造方法，抑制电介质对构成为包含分布常数电路的半导体元件的影响，且能够保护半导体元件不受对其施加的载荷的影响。半导体元件内置基板(10)具有：基板(18A)，其在电介质层上层叠有第1金属层；半导体元件，其构成为包含分布常数电路，并且，在与基板(18A)相向的面的周边区域形成有多个接合焊盘，通过与接合焊盘对应的具有导电性的焊锡凸块(22A)，与第1金属层电连接；焊锡凸块(22B)，其在半导体元件的上述周边区域的内侧、且与形成有上述分布常数电路的内侧区域对应配置，介于半导体元件和基板(18A)之间来支承半导体元件；以及基板(18B)，其粘贴在基板(18A)和半导体元件上。

公开(公告)号：CN108231705A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711349402.2

申请日：2017-12-15

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R·拜尔雷尔

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/293 ,  C09K21/06 ,  H01L23/18 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/3192 ,  H01L2223/58

摘要： 描述了一种满足多个预定的电学、机械、化学和/或环境要求的半导体封装体。所述半导体封装体包括嵌入模制塑性体或被模制塑性体覆盖的半导体裸片，所述模制塑性体仅满足所述多个预定的电学、机械、化学和/或环境要求的一个子集。所述半导体封装体还包括从所述模制塑性体伸出并且电连接到所述半导体裸片的多个端子以及至少施加到所述模制塑性体的一部分上和/或所述多个端子的一部分上的涂层。所述涂层满足通过所述模制塑性体不能满足的每个预定的电学、机械、化学和/或环境要求。

公开(公告)号：CN107799485A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710789958.7

申请日：2017-09-05

申请人： 德州仪器公司

发明人： S·幕克吉 ,  R·塞尔瓦拉杰 ,  V·戈皮纳坦

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/76805 ,  H01L23/18 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L23/66 ,  H01L28/10 ,  H01L29/0619 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/3512 ,  H01L23/3157 ,  H01L21/56

摘要： 本发明涉及用于刻划密封结构的方法及设备。实例性集成电路裸片(图8，801)包含：多个下部层级导体层、位于所述多个下部层级导体层之间的多个下部层级绝缘体层、垂直延伸穿过所述下部层级绝缘体层的多个下部层级导通孔、上覆于所述下部层级导体层上的多个上部层级导体层、位于所述上部层级导体层之间且环绕所述上部层级导体层的多个上部层级绝缘体层、多个上部层级导通孔；至少两个刻划密封(805、807)，其经布置以形成从半导体衬底垂直延伸到在所述集成电路裸片的上表面处的钝化层的垂直阻挡层；及至少一个开口(809)，其垂直延伸穿过所述至少两个刻划密封中的一者且延伸穿过：所述上部层级导体层、所述上部层级导通孔层、所述下部层级导体层及所述下部层级导通孔层。

公开(公告)号：CN107464789A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201610596028.5

申请日：2016-07-26

申请人： 艾马克科技公司

发明人： 波拉·巴洛葛卢 ,  罗恩·休莫勒 ,  可陆提斯·史温格

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/492 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L23/49838 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/16 ,  H01L23/18 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/351 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/492 ,  H01L23/528

摘要： 本发明提供一种半导体装置。作为非限制性的例子，本发明内容的各种特点是提供通过各种制造半导体装置的方法所制造的半导体装置，其包括利用金属柱头以进一步将一半导体晶粒设置到所述囊封剂中。

公开(公告)号：CN107230642A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710119851.1

申请日：2017-03-01

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 金井直之 ,  浅井竜彦

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  C08K3/32 ,  C08L63/00

CPC分类号： H01L23/3735 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/52 ,  H01L21/565 ,  H01L23/053 ,  H01L23/08 ,  H01L23/18 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/01 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2912 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4516 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45624 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/067 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/2076 ,  H01L21/561 ,  C08K3/32 ,  C08K2003/329 ,  H01L23/293 ,  C08L63/00

摘要： 提供一种提高密封材料与被密封部件和/或外壳部件之间的粘着性的、高可靠性半导体装置。该半导体装置具有层叠基板2和密封介质10，其中，层叠基板2上安装有半导体元件1，密封材料10包括环氧树脂主剂、硬化剂和膦酸。

公开(公告)号：CN106783783A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710019146.4

申请日：2017-01-12

申请人： 广东百圳君耀电子有限公司

发明人： 张晗 ,  周云福 ,  黄亚发

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/06 ,  H01L23/18

CPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/06 ,  H01L23/18

摘要： 本发明公开了一种功率型贴片半导体元件，涉及电子元器件技术领域。所述半导体元件包括组合芯片，所述组合芯片的上表面焊接有上电极片，下表面焊接有下电极片；所述组合芯片的外侧设有容器状阻燃绝缘外壳，所述外壳与所述组合芯片之间填充有封装填料，所述上电极片和下电极片的自由端延伸至所述外壳外，作为所述半导体元件的两个连接引脚。所述半导体元件可封装与传统插件式半导体元件相同的半导体芯片，在功率和其它电性指标上与插件元件保持相同的水平；电极片与半导体芯片焊接好后装入外壳，并填充以封装填料，所填充的封装填料具有阻燃特性，所用外壳也为阻燃材质，半导体芯片整个被阻燃材料所包裹，能有效阻止明火。

公开(公告)号：CN103154070B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201180049911.8

申请日：2011-10-18

申请人： 三菱化学株式会社

发明人： 池本慎 ,  河瀬康弘 ,  村瀬友英 ,  高桥淳 ,  平井孝好 ,  上村以帆

IPC分类号： C08G59/14 ,  C08G59/20

CPC分类号： H01L23/18 ,  C08L63/00 ,  C09D163/00 ,  H01L24/13 ,  H01L24/83 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供在半导体器件芯片的3D叠层化中，将半导体器件芯片间的焊料凸块等与触点接合的同时、形成导热性高的层间填充层的层间填充材料组合物、涂布液、以及三维集成电路的制造方法。所述三维集成电路用层间填充材料组合物含有树脂(A)及熔剂(B)，所述树脂(A)在120℃的熔融粘度为100Pa·s以下，且相对于树脂(A)每100重量份，熔剂(B)的含量为0.1重量份以上且10重量份以下；或者，其含有树脂(A)、无机填料(C)、以及固化剂(D)和/或熔剂(B)，所述树脂(A)在120℃的熔融粘度为100Pa·s以下、且其导热系数为0.2W/mK以上，所述无机填料(C)的导热系数为2W/mK以上、体积平均粒径为0.1μm以上且5μm以下、且最大体积粒径为10μm以下。

公开(公告)号：CN102034788B

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201010184938.5

申请日：2010-05-21

申请人： 冲电气工业株式会社

发明人： 伊藤正纪

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/56 ,  H01L23/053 ,  H01L23/10 ,  H01L23/18 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/06 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17135 ,  H01L2224/17164 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/922 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 半导体元件内置基板和半导体元件内置基板的制造方法，抑制电介质对构成为包含分布常数电路的半导体元件的影响，且能够保护半导体元件不受对其施加的载荷的影响。半导体元件内置基板(10)具有：基板(18A)，其在电介质层上层叠有第1金属层；半导体元件，其构成为包含分布常数电路，并且，在与基板(18A)相向的面的周边区域形成有多个接合焊盘，通过与接合焊盘对应的具有导电性的焊锡凸块(22A)，与第1金属层电连接；焊锡凸块(22B)，其在半导体元件的上述周边区域的内侧、且与形成有上述分布常数电路的内侧区域对应配置，介于半导体元件和基板(18A)之间来支承半导体元件；以及基板(18B)，其粘贴在基板(18A)和半导体元件上。